2023 年以碳化硅 （SiC） 半導(dǎo)體在電動汽車 （EV） 牽引逆變器中的兩項重大設(shè)計勝利開始，牽引逆變器位于 EV 中的高壓電池和電動機(jī)之間,，可將來自電池的直流電轉(zhuǎn)換為 EV 電動機(jī)使用的交流電,。   首先，2023 年 1 月 4 日,，onsemi 宣布其 SiC 模塊將為起亞 EV6 GT 車型的牽引逆變器供電，實現(xiàn)從 800 V 直流電池到后橋交流驅(qū)動的高效功率轉(zhuǎn)換,。值得一提的是,，2022年12月，意法半導(dǎo)體宣布其SiC模組已納入現(xiàn)代電動全球模組平臺（E-GMP）,，起亞EV6等多款車型共享,。   后來，2023年1月10日,，2010年開始量產(chǎn)SiC MOSFET 的Rohm Semiconductor 宣布其 SiC MOSFET 和柵極驅(qū)動器 IC 將為日本汽車零部件供應(yīng)商 Hitachi Astemo 開發(fā)的 EV 逆變器提供動力,。柵極驅(qū)動器 IC 是 EV 逆變器中的重要組件，它在逆變器控制微控制器 （MCU） 和向逆變器供電的 SiC MOSFET 之間提供接口,。柵極驅(qū)動器 IC 在低壓域中接收來自 MCU 的控制信號,，并傳輸這些信號以快速打開和關(guān)閉高壓域中的功率器件。   SiC 半導(dǎo)體在DC/DC 轉(zhuǎn)換器,、牽引逆變器和車載充電器 （OBC） 等電動汽車系統(tǒng)中得到廣泛采用 ,。本文將解釋 SiC 半導(dǎo)體和模塊如何重振牽引逆變器,，這是車輛電氣化的基本組成部分。根據(jù) Research and Markets 的數(shù)據(jù),，到 2028 年,，全球牽引逆變器行業(yè)預(yù)計將達(dá)到 390 億美元。

　　800 伏系統(tǒng)逆變器中的碳化硅

　　雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處,，但對于依賴硅 （Si） MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說,，在更高電壓下的性能會受到影響。因此,，汽車設(shè)計企業(yè)正在用 SiC 取代傳統(tǒng)的 Si 功率器件,。SiC 是一種寬帶隙半導(dǎo)體，可以實現(xiàn)更快的開關(guān)速度并且可以在更高的溫度下工作,。與對應(yīng)的 Si 器件相比,，SiC 器件更小并且可以承受更高的工作電壓。   以汽車解決方案供應(yīng)商 Delphi Technologies 為例,，該公司在轉(zhuǎn)向 800 V 電池系統(tǒng)時,，在 EV 逆變器中采用了Wolfspeed的 SiC MOSFET。這使得Delphi能夠開發(fā)出比競爭對手的逆變器輕 40%,、緊湊 30% 的逆變器,。   SiC 功率開關(guān)是Delphi逆變器設(shè)計的核心，有助于實現(xiàn)更高水平的雙面冷卻集成,。這顯著降低了 SiC 組件與冷卻系統(tǒng)設(shè)計之間的熱阻,。這是電動汽車等高功率應(yīng)用的一個重要方面，在這些應(yīng)用中,，功率模塊的散熱至關(guān)重要,。   與硅基逆變器相比，冷卻系統(tǒng)與 SiC MOSFET 的高效接口導(dǎo)致功率系統(tǒng)更輕,、更小,、成本更低。因此,，在 EV 逆變器中,，基于 Si IGBT 的功率開關(guān)正越來越多地被 SiC MOSFET 取代，SiC MOSFET 可將開關(guān)損耗降低多達(dá) 70%,，從而提高電氣化推進(jìn)系統(tǒng)的性能并降低成本,。   除了更高的開關(guān)效率和更高的結(jié)溫能力外，SiC MOSFET 還提供改進(jìn)的短路耐受時間和更低的導(dǎo)通電阻,。與 Si IGBT 相比,，這進(jìn)一步降低了功耗。Rohm聲稱,，根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)WLTC燃油效率測試計算,，其第四代SiC MOSFET與主逆變器中的IGBT相比,，功耗降低了6%。

　　從 Si IGBT 到 SiC MOSFET

　　在牽引逆變器（電動汽車設(shè)計中的一個重要組成部分）中,，像 IGBT 這樣的開關(guān)設(shè)備最初管理電源,，因為逆變器將直流電轉(zhuǎn)換為電動汽車電機(jī)的交流電。多年來,，工程師們意識到逆變器在 EV 性能和續(xù)航里程方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,。在這里，節(jié)能組件可以以更高的效率從電池中提取更多能量,，從而延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸,。   接下來，雖然電動汽車的續(xù)航里程以及電池尺寸和重量一直是一個關(guān)鍵問題,，但當(dāng)電動汽車從 400V 電池系統(tǒng)轉(zhuǎn)向 800V 電池系統(tǒng)時,，汽車工程師開始尋找能夠有效處理更高工作電壓和溫度的組件。就在那時,，SiC MOSFET 成為牽引逆變器等電動汽車構(gòu)建模塊的首選技術(shù),。   據(jù)Delphi科技首席執(zhí)行官 Richard F. Dauch 稱，與 400 V 系統(tǒng)相比,，基于 SiC 的逆變器可使高達(dá) 800 V 的電氣系統(tǒng)顯著延長 EV 續(xù)航里程并將充電時間減半,。“將電壓從 400 V 提高一倍可以為汽車用戶和制造商帶來廣泛的好處,，”他說,。   onsemi 執(zhí)行副總裁兼電源解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 Simon Keeton 詳細(xì)闡述了基于 SiC 的動力牽引解決方案的優(yōu)勢?！案呙芏?SiC 器件最大限度地減少了寄生效應(yīng)和熱阻,，”他說?！斑@會減少與直流到交流轉(zhuǎn)換相關(guān)的功率損耗,，同時減小牽引逆變器的尺寸和重量?！?nbsp;  根據(jù)行業(yè)研究公司 IHS Markit 的數(shù)據(jù),，到 2025 年,，全球高達(dá) 45% 的汽車生產(chǎn)將實現(xiàn)電氣化,，每年將售出約 4600 萬輛電動汽車。據(jù)估計,，到 2030 年,，這些數(shù)字將上升到 57%，每年的電動汽車銷量約為 6200 萬輛,。   雄心勃勃的汽車電氣化之路首先需要高壓功率器件,。在這里,，SiC 半導(dǎo)體因其更快的開關(guān)速度和支持更高的電壓和溫度而被公認(rèn)為一種技術(shù)選擇。   隨著全球?qū)ζ囯姎饣耐苿?，這使得 SiC 成為 2023 年及以后值得關(guān)注的技術(shù),。

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