2023年3月22日，基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET),，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝,，且具有增強安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化,，可在175°C下工作,，適用于先進(jìn)的電信和計算設(shè)備。
憑借數(shù)十年開發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識,，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V,，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，在緊湊的8x8 mm封裝尺寸中兼顧低RDS(on)和強大線性模式（安全工作區(qū)）性能,，可滿足嚴(yán)苛的熱插拔應(yīng)用要求,。此外，Nexperia還發(fā)布了一款80 V ASFET產(chǎn)品PSMN1R9-100SSE（80 V,，1.9 mΩ）,，旨在響應(yīng)計算服務(wù)器和其他工業(yè)應(yīng)用中使用48 V電源軌的增長趨勢，在這些應(yīng)用中,，環(huán)境條件允許MOSFET采用較低的VDS擊穿電壓額定值,。
在熱插拔和軟啟動應(yīng)用中，具有增強型SOA的ASFET越來越受市場歡迎。當(dāng)容性負(fù)載引入帶電背板時,，這些產(chǎn)品強大的線性模式性能對于高效可靠地管理浪涌電流必不可少,。當(dāng)ASFET完全導(dǎo)通時，低RDS(on)對于最大限度地降低I2R損耗也同樣重要,。除了RDS(on)更低且封裝尺寸更緊湊之外,，Nexperia的第三代增強SOA技術(shù)與前幾代D2PAK封裝相比還實現(xiàn)了10% SOA性能改進(jìn)（在 50 V、1 ms 條件下,，電流分別為33 A和30 A）,。
Nexperia的另一項創(chuàng)新在于，用于熱插拔的新型ASFET完整標(biāo)示了25°C和125°C下的SOA特性,。數(shù)據(jù)手冊中提供了經(jīng)過全面測試的高溫下SOA曲線,，設(shè)計工程師無需進(jìn)行熱降額計算，并顯著擴(kuò)展了實用的高溫下SOA性能,。
到目前為止,，適合熱插拔和計算應(yīng)用的ASFET通常采用較大尺寸的D2PAK封裝(16x10 mm)。LFPAK88封裝是D2PAK封裝的理想替代選項,，空間節(jié)省效率高達(dá)60%,。PSMN2R3-100SSE的RDS(on)僅為2.3 mΩ，相較于現(xiàn)有器件至少降低了40%,。 LFPAK88不僅將功率密度提高了58倍,，還提供兩倍的ID(max)額定電流以及超低熱阻和電阻。該產(chǎn)品結(jié)合了Nexperia先進(jìn)的晶圓和銅夾片封裝技術(shù)的功能優(yōu)勢,，包括占用空間更小,、RDS(on)更低以及SOA性能更優(yōu)。Nexperia還提供采用5x6 mm LFPAK56E封裝的25 V,、30 V、80 V和100 V ASFET系列產(chǎn)品,，并針對需要更小PCB管腳尺寸的低功耗應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,。
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關(guān)于Nexperia
Nexperia,，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家,，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管,、雙極性晶體管,、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件,、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC,。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn),。其產(chǎn)品在效率（如工藝,、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可,，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù),，可有效節(jié)省功耗及空間。
憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗,，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù),，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過14,000名員工,。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,，擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949,、ISO 9001,、ISO 14001和ISO 45001認(rèn)證。