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宏光半導體公布2022年全年業(yè)績

產品研發(fā)領域實現(xiàn)突破性進展 持續(xù)加大力度完善第三代半導體GaN產業(yè)鏈
2023-04-03
來源:宏光半導體
關鍵詞: 半導體 GaN 芯片

  香港,, 2023年4月3日 - (亞太商訊) - 宏光半導體有限公司(「宏光半導體」,,連同其附屬公司統(tǒng)稱「集團」,;股份代號:6908.HK)宣布其截至2022年12月31日止年度(「年內」)之經(jīng)審核全年業(yè)績,。年內,,宏光半導體積極發(fā)展第三代半導體新業(yè)務,,進一步加快氮化鎵(「GaN」)的技術研發(fā)和應用步伐,,并實現(xiàn)多個重要里程碑,。

  本年度,,由于第三代半導體業(yè)務仍處于投放及研發(fā)階段,集團的收益貢獻主要來自LED燈珠業(yè)務,。2019冠狀病毒?。ā感鹿诜窝住够颉敢咔椤梗┏掷m(xù)反復對中國經(jīng)濟造成嚴重負面影響;因各地實施封城措施導致工廠臨時關閉,,使集團LED燈珠業(yè)務產業(yè)鏈有部分時間受停頓,,產能受到波及,年內收益約為人民幣87.5百萬元(2021年:約人民幣126.1百萬元),;毛利亦因而降至人民幣16.4百萬元(2021年:約人民幣25.5百萬元),。由于集團并無錄得收購無形資產所得虧損等非現(xiàn)金流項目,縱然用于推展及研發(fā)第三代半導體業(yè)務之開支有所增加,,公司擁有人應占之年內虧損大幅收窄至人民幣約101.3百萬元(2021年:約人民幣446.8百萬元),。

  集團管理層表示,,年內全球經(jīng)濟復蘇受多重下行風險拖累,世界經(jīng)濟呈現(xiàn)動蕩態(tài)勢,??v然如此,全球對半導體的需求量依然巨大,。面對國際大環(huán)境挑戰(zhàn),,集團于年內積極發(fā)展GaN新業(yè)務,朝著成為以半導體設計與制造為核心,,集研發(fā),、制造、包裝,、封測及銷售為一體的全產業(yè)鏈半導體整合設備生產模式(「IDM」)企業(yè)之目標邁進,。

  業(yè)務回顧

  年內,LED燈珠的收益約為人民幣87.2百萬元(2021年:約人民幣126.1百萬元),。收益下降主要由于新冠肺炎疫情反復爆發(fā)及出現(xiàn)變異毒株嚴重損害中國經(jīng)濟,,令中國對高端LED產品的需求大幅減少,導致年內LED燈珠平均售價下降,。

  然而,,憑借集團的科學家團隊的雄厚科研實力以及在研發(fā)和生產方面投入的辛勤努力,集團的第三代半導體GaN業(yè)務中之外延片及快充產品已于年內開始為集團錄得收入貢獻,。

  GaN外延片研發(fā)及生產實現(xiàn)突破性進展 全力開拓第三代半導體產業(yè)鏈

  年內,,集團在GaN第三代半導體方面的研發(fā)、制造及落地得以實現(xiàn),,并快速切入外延片生產,。集團已在其位于中國江蘇省徐州經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)的半導體工廠內安裝兩條用作生產包括GaN相關產品的生產線,同時從歐洲和日本引入的核心機器已運抵廠房,,并已準備就緒制造迎合市場需要的芯片,。憑借本集團科學家團隊的努力以及雄厚的研發(fā)實力,集團亦于年內實現(xiàn)重大突破,,成功于10月開始生產自家6英吋GaN功率器件外延片,,遠早于預期時間表成功制造外延片,此乃集團邁向第三代半導體GaN供貨商轉型的重要成果,,為量產GaN芯片鋪路,。

  此外,集團于本年度獲得九個實用新型及外觀專利,,包括氮化鎵基逆變器及電源組件等,,另有多個發(fā)明專利正在受理審批中。集團之全資附屬公司徐州金沙江半導體有限公司亦于年內與GaN Systems于互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心電力基礎設施進行首次公開GaN之行業(yè)實地試驗,,測試 結果標志著GaN在數(shù)據(jù)中心的電源基礎設施中可廣泛使用,。

  達成多方戰(zhàn)略合作為GaN業(yè)務注入源源動力

  集團于年內策略性與多家行業(yè)領先企業(yè)訂立戰(zhàn)略框架協(xié)議,,建立互利共贏的戰(zhàn)略合作關系,提升其自身的創(chuàng)新及生產制造能力,,其中包括于3月與硬蛋創(chuàng)新(股份代號:400.HK)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,,協(xié)助集團于中國境內出售其所生產的芯片,以及雙方在芯片應用及發(fā)展方面開展長期的戰(zhàn)略合作,;于5月與中國泰坦能源技術集團有限公司(股份代號:2188.HK)就技術研發(fā)及交流達成戰(zhàn)略合作協(xié)議,,于未來三年合作研發(fā)采用集團的第三代半導體技術的新一代快速充電樁。海外方面,,集團與GUH Holdings Berhad(「GUH」; 股份代號:3247.KL)訂立無法律約束力諒解備忘錄,,將快充電池及GaN器件產品銷售擴展至馬來西亞及東南亞,,同時會為GUH提供電池工廠之建設計劃及采購相關設備,以及提供100兆瓦時儲能站之全套模塊設備,。此外,,集團于年內繼續(xù)與香港法定機構合作,共同研究推進香港于「智慧城市」方面的發(fā)展,,并升級香港的電動車及充電設施,。

  引入主要戰(zhàn)略股東 加快進軍新能源領域之步伐

  GaN作為新興高新科技,其廣闊的前景得到投資者青睞,。集團于年內成功引入多個戰(zhàn)略股東,,為開發(fā)關鍵技術募集更多資金,同時進一步擴大股東基礎,。當中,,集團于8月與協(xié)鑫科技控股有限公司(「協(xié)鑫科技」;股份代號:3800.HK)創(chuàng)辦人,、主席兼執(zhí)行董事朱共山先生(「朱先生」)之間接全資擁有的常盛有限公司(「戰(zhàn)略投資者」)訂立投資協(xié)議,,戰(zhàn)略投資者同意認購6,000萬股認購股份及6,000萬份認股權證,隨后更與協(xié)鑫集團有限公司(「協(xié)鑫集團」)訂立戰(zhàn)略合作框架協(xié)議,,于GaN功率芯片在新能源領域的應用開展長期戰(zhàn)略合作,,將協(xié)助宏光半導體進軍新能源產業(yè)供應鏈市場。

  展望

  隨著5G及人工智能等技術崛起,,以GaN等為代表的第三代半導體研發(fā)及應用也被納進國家戰(zhàn)略規(guī)劃中,。集團將繼續(xù)加大力度完善第三代半導體GaN產業(yè)鏈,務求加快步伐研發(fā)及拓展GaN相關產品的應用,,配合徐州廠房升級,、生產線及機器相繼就緒,集團之科研團隊及專家將繼續(xù)聚焦生產研究,,冀能加快實現(xiàn)產能落地,。

  鑒于電動汽車在內地及香港的滲透率提升,,加上在政策支持與需求推動下,GaN功率產品領域可望快速發(fā)展,。集團將繼續(xù)于中港兩地開發(fā)及商業(yè)化新一代充電樁,,積極于香港探索及建立快速充電電池解決方案據(jù)點。此外,,集團預計GaN技術在未來的大能源系統(tǒng)中將起核心作用,,將與協(xié)鑫集團在中國境內成立新能源合營公司,并向合營公司提供技術支持,,共同開發(fā)基于硅基功率芯片及第三代半導體之應用產品,,使集團有望進一步加快GaN在新能源領域的技術研發(fā)和應用步伐。

  展望未來,,集團將積極尋求戰(zhàn)略合作伙伴,,秉持資源互補、合作共贏的原則,,實現(xiàn)集團產業(yè)鏈升級,。同時,集團亦會繼續(xù)引入更多半導體領域的優(yōu)秀專家人才以加強生產研發(fā),,務求實現(xiàn)集團產品應用和技術的疊代升級,。在政府的利好政策驅動、廣泛的下游應用市場和國產替代機遇三重因素的鼓舞下,,集團將順勢謀變,,進一步探索與發(fā)展以GaN重心的第三代半導體產品及應用,增質提效,,為股東創(chuàng)造最大價值,。



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