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Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

該器件已準備就緒:為Transphorm的創(chuàng)新常關(guān)型氮化鎵平臺應(yīng)用于新一代汽車和三相電力系統(tǒng)
2023-06-01
來源:Transphorm
關(guān)鍵詞: Transphorm TP120H070WS GaN-on-Sapphire

  加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性,、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體,,領(lǐng)先同類產(chǎn)品,。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng),,以及已普遍用于工業(yè),、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng),。與替代技術(shù)相比,,這些應(yīng)用可受益于1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優(yōu)異的可靠性,、同等或更優(yōu)越的性能,,以及更為合理的成本。Transphorm近期已驗證了氮化鎵器件在100kHz開關(guān)頻率的5kW 900伏降壓轉(zhuǎn)換器中更高的性能,。1200伏氮化鎵器件實現(xiàn)了98.7%的效率,,超過了具有類似額定值的量產(chǎn)SiC MOSFET。

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  創(chuàng)新的1200伏技術(shù)也展現(xiàn)了Transphorm在氮化鎵功率轉(zhuǎn)換方面的領(lǐng)先地位,。垂直整合模式,、自有外延片生產(chǎn)能力、以及專利工藝技術(shù),,再加上數(shù)十年的工程專業(yè)知識,,使該公司能夠?qū)⑿阅茏顑?yōu)異的氮化鎵器件組合推向市場,并且還在以下四個方面具有重大差異化優(yōu)勢:可制造性,、易驅(qū)動性,、易設(shè)計和可靠性。

  在5月9日至11日的PCIM 2023展會上,, Transphorm 也發(fā)表了關(guān)于1200伏器件的信息,。

  初步器件規(guī)格及如何獲取樣品

  Transphorm的1200伏技術(shù)以經(jīng)過驗證的工藝和成熟的技術(shù)為基礎(chǔ),,滿足了客戶在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工藝目前在LED市場上已批量生產(chǎn),。此外,,1200伏技術(shù)充分利用了Transphorm當前器件組合中使用的性能優(yōu)越、常關(guān)型的氮化鎵平臺,。

  TP120H070WS器件主要規(guī)格包括:

  ·內(nèi)部阻值70毫歐

  ·常關(guān)型

  ·高效雙向?qū)?/p>

  ·最大值±20V柵極電壓

  ·4伏的柵極驅(qū)動低擾度

  ·零QRR 反向恢復電荷

  ·3引腳TO-247封裝

  我們建議將Verilog-A器件型號與SIMetrix Pro v8.5電路模擬器結(jié)合使用,。LTSpice型號正在開發(fā)中,將于2023年第四季度發(fā)布,。仿真建模有助于實現(xiàn)快速高效的電力系統(tǒng)設(shè)計驗證,,同時還可減少設(shè)計迭代、開發(fā)時間和硬件投資,。

  1200伏功率管樣品預計會于2024年第一季度推出,。

  Transphorm氮化鎵功率器件在汽車動力系統(tǒng)和充電生態(tài)系統(tǒng)中的應(yīng)用

  1200伏氮化鎵器件不但是各種市場應(yīng)用的理想解決方案,而且也可為汽車系統(tǒng)提供獨特的優(yōu)勢,。

  電動汽車行業(yè),,尤其是在大型汽車的更高千瓦節(jié)點,,將在這十年的后半期朝著800伏電池的方向發(fā)展,。因此,1200伏電源轉(zhuǎn)換開關(guān)將會被用于提供所需的性能水平,。因此,,Transphorm的1200伏平臺在新一代車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器,、驅(qū)動逆變器和充電樁系統(tǒng)領(lǐng)域定會大顯身手,。

  對于當前使用400伏電池的電動汽車,Transphorm可提供650伏常關(guān)型SuperGaN?功率管解決方案,。這些功率器件符合AEC-Q101標準,,可承受175°C的高溫,并已批量生產(chǎn),。

  Transphorm首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh Mishra表示: “我們是領(lǐng)先的功率半導體公司,,展示并兌現(xiàn)了GaN的承諾。Transphorm的專業(yè)知識為市場帶來性能卓越的氮化鎵器件,,這些器件時時刻刻在功率密度,、性能和系統(tǒng)成本方面樹立新的標準。我們的1200伏技術(shù)證明了Transphorm工程團隊的創(chuàng)新愿景和決心,。我們正在證明,,氮化鎵可以輕松地在此前指定用碳化硅的應(yīng)用市場中發(fā)揮作用。對于我們的業(yè)務(wù)和氮化鎵技術(shù)而言,,開啟了廣泛的市場應(yīng)用潛力,?!?/p>



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