• 全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無線單元,，部署5G基站更快,、更輕松

• 簡化設(shè)計(jì)和制造,，同時(shí)保證性能

　　荷蘭埃因霍溫——2023年6月9日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.,，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI）宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列，其中采用的創(chuàng)新封裝技術(shù)有助于為5G基礎(chǔ)設(shè)施打造更輕薄的無線產(chǎn)品,。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經(jīng)濟(jì)性,，同時(shí)能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片模塊系列與全新的射頻功率器件頂部冷卻解決方案相結(jié)合,，不僅有助于將無線電產(chǎn)品的厚度和重量減少20%以上,，而且還可以減少5G基站制造和部署的碳足跡。

　　恩智浦副總裁兼射頻功率業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Pierre Piel表示：“頂部冷卻技術(shù)為無線基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè)帶來了重大機(jī)遇,，借助該技術(shù),，我們可以將高功率功能與出色的熱性能相結(jié)合，打造出尺寸更小的射頻子系統(tǒng),?；谶@一創(chuàng)新技術(shù)的解決方案，讓我們既可以部署更環(huán)保的基站,，同時(shí)又能保證實(shí)現(xiàn)5G全部性能優(yōu)勢所需的網(wǎng)絡(luò)密度,?！?/p>

　　恩智浦新推出的頂部冷卻式器件具有顯著的設(shè)計(jì)和制造優(yōu)勢，如無需專用射頻屏蔽,、可以使用高性價(jià)比的精簡印刷電路板,，以及分離熱管理與射頻設(shè)計(jì)。這些特性有助于網(wǎng)絡(luò)解決方案提供商為移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商打造更輕薄的5G無線產(chǎn)品,，同時(shí)縮短產(chǎn)品的整體設(shè)計(jì)周期,。

　　恩智浦首個(gè)頂部冷卻式射頻功率模塊系列專為32T32R、200W射頻而設(shè)計(jì),，覆蓋3.3GHz至3.8GHz的頻率范圍,。這款器件結(jié)合使用了恩智浦專有的LDMOS和GaN半導(dǎo)體技術(shù)，兼具高增益,、高效率和寬帶性能,，能夠在400MHz瞬時(shí)帶寬下提供31 dB的增益和46%的效率。

　　A5M34TG140-TC,、A5M35TG140-TC和A5M36TG140-TC日前已上市,。恩智浦RapidRF參考板系列將為A5M36TG140-TC提供支持。

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