2023 年 6 月 21 日

　　英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices （CGD）是一家無(wú)晶圓廠(chǎng)環(huán)保科技半導(dǎo)體公司,，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,，致力于打造更環(huán)保的電子器件。該公司很高興宣布,，其首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Florin Udrea 教授于近期入選 IEEE ISPSD（功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議）名人堂,。ISPSD 名人堂旨在表彰在推動(dòng)功率半導(dǎo)體技術(shù)以及在維持 ISPSD 成功發(fā)展方面做出巨大貢獻(xiàn)的個(gè)人。在對(duì) Udrea 的表彰中這樣說(shuō)道：“Florin Udrea 對(duì)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的杰出貢獻(xiàn)以及對(duì) ISPSD 的多方助益,，激勵(lì)著一代又一代工程師在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域去追求卓越,。”除了在第 23 屆 ISPSD（于中國(guó)香港舉辦）入選名人堂外,，Udrea 教授還因其對(duì)第 22 屆 ISPSD（于加拿大舉辦）的卓越貢獻(xiàn)而榮獲“最佳論文獎(jiǎng)”和“最佳海報(bào)獎(jiǎng)”,，這是 ISPSD 舉辦 35 年以來(lái)首次將這兩個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)授予同一個(gè)人。

　　Florin Udrea | CGD 首席技術(shù)官 “很榮幸能夠入選 ISPSD 名人堂,，這一群體是如此的莊嚴(yán)卓越,，其中更是不乏開(kāi)拓進(jìn)取的優(yōu)秀同仁,，能夠成為其中的一員讓我感到無(wú)比自豪,。并且能在當(dāng)今這樣一個(gè)‘功率’主題變得越來(lái)越重要的時(shí)代中保持活躍,，我感到非常榮幸和幸運(yùn)。通過(guò)使用 GaN 等新型 WBG 材料,，我們不僅可以提高效率,，還可以減少碳足跡?！?/p>

　　Giorgia Longobardi | CGD 首席執(zhí)行官

　　“祝賀 Florin 榮獲此殊榮,，他當(dāng)之無(wú)愧。很幸運(yùn) CGD 能擁有這樣一位在硅,、碳化硅,、金剛石以及氮化鎵等眾多不同類(lèi)型的功率材料方面有著豐富經(jīng)驗(yàn)的人才擔(dān)任首席技術(shù)官。我們還從 HVMS（劍橋大學(xué)高壓微電子和傳感器研究組）的研究成果中受益良多,，這個(gè)團(tuán)隊(duì)目前也由 Florin 所領(lǐng)導(dǎo),。CGD 的基礎(chǔ)支柱之一是創(chuàng)新，而 Florin 正是一位真正的創(chuàng)新者,?！?/p>

　　Udrea 教授在期刊和國(guó)際會(huì)議上已發(fā)表了超過(guò) 600 篇論文，并且在功率半導(dǎo)體器件和傳感器領(lǐng)域擁有 200 項(xiàng)專(zhuān)利,。2015 年,，他入選為英國(guó)皇家工程院院士。Udrea 在最近的 ISPSD 會(huì)議上獲得“最佳海報(bào)獎(jiǎng)”,，其獲獎(jiǎng)演示文稿主題為“可提高易用性和柵極可靠性的具有感應(yīng)和保護(hù)功能的智能 ICeGaN? 平臺(tái)”,。CGD 的 650 V ICeGaN GaN HEMT 系列具備業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性、易用性,，可實(shí)現(xiàn)最高效率,。ICeGaN 可作為平臺(tái)技術(shù)應(yīng)用于多種領(lǐng)域，包括從商業(yè)領(lǐng)域的電源到工業(yè)領(lǐng)域的轉(zhuǎn)換器和逆變器等多種應(yīng)用,。Udrea 教授因在劍橋大學(xué)與日本 Misrise Technologies 和日本京都大學(xué)針對(duì)垂直 SiC FinFET 器件合作開(kāi)展的研究而榮獲“最佳論文獎(jiǎng)”,。

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