中文引用格式: 劉鴻睿,,趙宏亮,尹飛飛. C波段高效率內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用,,2023,,49(9):58-62.
英文引用格式: Liu Hongrui,Zhao Hongliang,,Yin Feifei. Design of high efficiency internal matching power amplifier of C band[J]. Application of Electronic Technique,,2023,49(9):58-62.
0 引言
在射頻功率放大器中,,高功率密度,、高效率是人們一直追求的目標(biāo)。目前主流的射頻功率放大器設(shè)計方案分為單片微波集成電路(Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC),、射頻功率模塊和內(nèi)匹配三種形式,。內(nèi)匹配功率放大器是一種混合集成電路(Hybrid Integrated Circuit, HIC),它可以將多種不同襯底材料,、不同工藝的裸芯片通過粘接,、焊接、共晶等工藝裝配在同一個載片上,。與其他兩種形式相比,,內(nèi)匹配具有大功率、低成本,、小型化的優(yōu)點[1],。由于內(nèi)匹配將管芯,、無源電路、偏置電路分別設(shè)計在不同的襯底上,,它可以實現(xiàn)不同工藝的優(yōu)勢互補(bǔ),。但也正是這個因素,給內(nèi)匹配功放的設(shè)計帶來很多不確定性,。因此,,高性能內(nèi)匹配功率放大器是近年來研究的重點[2-3]。根據(jù)電氣與電子工程師協(xié)會(Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE)對電磁波頻譜的劃分,,C波段指的是頻率在4~8 GHz范圍的電磁波,,該頻段包含了衛(wèi)星下行頻段、5G移動通信頻段,、雷達(dá)頻段等,,用途較為廣泛,具有廣闊的市場前景,。本文基于氮化鎵高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)技術(shù),,設(shè)計了一款高效率C波段50 W內(nèi)匹配功率放大器,其在飽和輸出功率48 dBm下可以實現(xiàn)55%的功率附加效率(Power Added Efficiency, PAE),,同時可裝配在8 mm×8 mm載片上,,實現(xiàn)了小型化,可廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星,、雷達(dá),、移動通信等領(lǐng)域中[4-6]。
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作者信息:
劉鴻睿,,趙宏亮,,尹飛飛 (遼寧大學(xué) 物理學(xué)院,遼寧 沈陽 110036)