長江存儲已于11月9日起訴美光科技有限公司（下稱“美光”）及全資子公司美光消費(fèi)產(chǎn)品集團(tuán)有限責(zé)任公司侵犯其8項(xiàng)美國專利,。長江存儲在專利侵權(quán)起訴書中稱，訴訟是為了終止美光廣泛且未經(jīng)授權(quán)使用長江存儲專利創(chuàng)新,。

　　長江存儲是國內(nèi)最大的3D NAND Flash（閃存芯片制造）廠商,。長江存儲在起訴書中提到，美光使用長江存儲的專利技術(shù),，以抵御來自長江存儲的競爭,，并獲得和保護(hù)市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新,。

　　據(jù)悉,，本次涉案的長江存儲的美國專利包括：US10,950,623（3D NAND存儲器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲裝置及控制方法）,、US10,658,378（三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC)）,、US10,937,806 （三維存儲器件的直通陣列接觸 (TAC)）、US10,861,872（三維存儲器件及其形成方法） ,、US11,468,957（NAND存儲器操作的體系結(jié)構(gòu)和方法）,、US11,600,342（三維閃存的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊三維存儲器件及其制造方法）,。

　　長江存儲在以上起訴書中稱,，長江存儲不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場的重要參與者,。長江存儲表示,，去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論：長江存儲是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,，超過了美光,。

　　長江存儲表示，目前其已經(jīng)是全球3D NAND市場的領(lǐng)導(dǎo)者,。2022年11月,，半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights在一項(xiàng)分析后得出的結(jié)論：“長江存儲所取得的成就令人驚嘆，現(xiàn)在是3D NAND 閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者”,，“一舉超越了美光”,。

　　2018年，長江存儲量產(chǎn)第一代32層3D NAND Flash芯片,，2019年量產(chǎn)64層256Gb TLC 3D NAND閃存,，2020年跳過96層研發(fā)兩款128層閃存產(chǎn)品,。

　　特別值得一提的是，近年來,，隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高,，外圍CMOS電路所占據(jù)的芯片面積或?qū)⑦_(dá)到50%以上。為了解決這一問題,，長江存儲在2018年推出了自研的創(chuàng)新的Xtacking技術(shù),。

　　Xtacking是通過將兩塊獨(dú)立的晶圓分別制造NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路，然后將CMOS邏輯電路堆疊在NAND陣列之上,，二者之間的垂直連接則需要相應(yīng)的鍵合技術(shù)來實(shí)現(xiàn),，形成間距為10μm 及以下的互連，且不會影響 I/O 性能,。另外,，由于兩種類型的芯片可以在不同的生產(chǎn)線上制造，因此可以使用各自優(yōu)化的工藝節(jié)點(diǎn)分別生產(chǎn),，不僅可以縮短生產(chǎn)周期,，還可以降低制造復(fù)雜度和成本。此外,，該技術(shù)也使得每平方毫米的存儲密度,、性能和可擴(kuò)展性可以進(jìn)一步提高。目前長江存儲的Xtacking技術(shù)已經(jīng)進(jìn)展到了3.0版本,。

　　2022年10月,，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局發(fā)布出口管制新規(guī)，限制對中國出口芯片制造設(shè)備等,，將長江存儲NAND Flash芯片層數(shù)卡在已量產(chǎn)的最新工藝上,。當(dāng)年12月，美國又將長江存儲納入出口管制“實(shí)體清單”,。

　　長江存儲作為國內(nèi)最大的3D NAND制造廠商,，自去年以來受到美方的打壓，無法獲取先進(jìn)的美日荷設(shè)備,，產(chǎn)能擴(kuò)張受到了限制。此次,，長江存儲通過對美國存儲芯片大廠美光發(fā)起專利訴訟,，維護(hù)自身權(quán)益，不僅反應(yīng)了自身技術(shù)的領(lǐng)先性,，也體現(xiàn)了國內(nèi)受制企業(yè)敢于“亮劍”的精神,。