Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于 32Gb 單裸片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存,，具有高達(dá) 8,000 MT/s 速率的一流性能,，可支持當(dāng)前及未來的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載,。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對(duì)數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用,，例如人工智能 (AI),、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫 (IMDB) 以及需要對(duì)多線程,、多核通用計(jì)算工作負(fù)載進(jìn)行高效處理的場景,，滿足它們對(duì)于性能和數(shù)據(jù)處理的需求。美光基于 32Gb DDR5 DRAM 裸片的 128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存采用行業(yè)領(lǐng)先的 1β (1-beta)制程技術(shù),，相較于采用 3DS 硅通孔 (TSV) 技術(shù)的競品,，在以下方面得到顯著提升：

? 容量密度提升超過 45% 

? 能效提升高達(dá) 24%

? 延遲降低高達(dá) 16%

? AI 訓(xùn)練性能提升高達(dá) 28%

美光副總裁兼計(jì)算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理 Praveen Vaidyanathan 表示：“我們非常自豪美光 128GB DDR5 RDIMM 為數(shù)據(jù)中心大容量、高速內(nèi)存樹立了新標(biāo)桿,，為日益增長的計(jì)算密集型工作負(fù)載提供所需的內(nèi)存帶寬和容量,。美光將加速提供先進(jìn)技術(shù)，為設(shè)計(jì)和集成大容量內(nèi)存解決方案提供更及時(shí)的支持,，從而促進(jìn)數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展,。”

美光的 32Gb DDR5 內(nèi)存解決方案采用創(chuàng)新的裸片架構(gòu),，實(shí)現(xiàn)了卓越的陣列效率和更大的單塊DRAM 裸片容量密度,。電壓域和刷新管理功能有助于優(yōu)化電力傳輸網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)了所需的能效提升,。此外,，裸片尺寸的縱橫比經(jīng)過優(yōu)化，有助于提高 32Gb 大容量 DRAM 裸片的制造效率,。

通過采用 AI 驅(qū)動(dòng)的智能制造技術(shù),，美光的 1β 技術(shù)節(jié)點(diǎn)以公司歷史上的最快速度實(shí)現(xiàn)了成熟的良率。美光 128GB RDIMM 將于 2024 年面向支持 4800 MT/s,、5600 MT/s 和 6400 MT/s 速率的平臺(tái)出貨,，未來還將支持高達(dá) 8,000 MT/s 速率的平臺(tái)。