AI,、高性能計(jì)算等新技術(shù)持續(xù)驅(qū)動下,，晶圓代工先進(jìn)制程重要性不斷凸顯。當(dāng)前3nm制程芯片已經(jīng)進(jìn)入消費(fèi)級市場,，晶圓代工廠商正持續(xù)發(fā)力2nm芯片,，近期市場又傳出1nm芯片的新進(jìn)展，晶圓代工先進(jìn)制程競賽可謂愈演愈烈,。

目前,，臺積電、三星,、Rapidus等晶圓代工廠商正積極推動2nm芯片的量產(chǎn),。

臺積電2nm工藝計(jì)劃2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段。臺積電介紹,，公司將在2nm制程節(jié)點(diǎn)首度使用GAAFET晶體管,，相較于N3E ，該工藝在相同功耗下,，速度最快將可增加至15% ,；在相同速度下，功耗最多可降低30% ,，同時芯片密度增加大于15% ,。

三星方面同樣計(jì)劃2025年底前推出2nm制程，今年10月媒體報(bào)道三星電子旗下晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry 透露,，已開始跟大型芯片客戶接洽,，準(zhǔn)備提供2nm等制程的服務(wù),。晶圓代工客戶大約需要3年才能做出最終購買決定。三星正在跟大客戶接洽,，可能在未來幾年展現(xiàn)成果,。

Rapidus則計(jì)劃2nm芯片將于2025年開始試產(chǎn)，2027年大規(guī)模量產(chǎn),。為推動2nm芯片如期生產(chǎn),，Rapidus也在積極尋求外力幫助。9月媒體報(bào)道ASML將在2024年于日本北海道新設(shè)技術(shù)支持據(jù)點(diǎn),，并派遣約50名工程師至Rapidus興建中的2nm芯片工廠內(nèi)的試產(chǎn)產(chǎn)線設(shè)置EUV光刻機(jī)設(shè)備,，對工廠啟用、維修檢查提供協(xié)助,。

2nm之后,，晶圓代工廠商關(guān)注焦點(diǎn)將是1nm級別芯片，按照晶圓代工廠商的規(guī)劃,，2027年至2030年，業(yè)界有望看到1nm級別芯片量產(chǎn),。

日媒近期消息顯示,，日本芯片制造商Rapidus、東京大學(xué)將和法國機(jī)構(gòu)Leti攜手研發(fā)1nm等級芯片設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)技術(shù),，計(jì)劃于2024年正式展開人才交流,、技術(shù)共享，旨在建構(gòu)提升自動駕駛,、人工智能（AI）性能所不可或缺的1nm芯片產(chǎn)品供應(yīng)體制,。

據(jù)悉，Rapidus,、東大等日本國立大學(xué)以及理化學(xué)研究所參與的研究機(jī)構(gòu)「最先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)中心（LSTC）」和Leti已在10月簽訂考慮合作的備忘錄,。LSTC和Leti的目標(biāo)是確立1.4nm-1nm芯片研發(fā)所必要的基礎(chǔ)技術(shù)。

在2nm芯片的量產(chǎn)上,，Rapidus正和美國IBM,、比利時半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)imec合作，同時Rapidus也考慮在1nm等級產(chǎn)品上和IBM進(jìn)行合作,。預(yù)計(jì)在2030年代以后普及的1nm產(chǎn)品運(yùn)算性能將較2nm提高1-2成,。

除了Rapidus外，臺積電,、三星同樣也瞄準(zhǔn)1nm芯片的開發(fā),。臺積電此前規(guī)劃在臺灣地區(qū)興建1.4nm制程的晶圓廠，原預(yù)定2026年開始建廠,，規(guī)劃在2027-2028年之間進(jìn)入量產(chǎn),。不過,，今年10月臺積電宣布放棄原本的選址地，需要另覓土地建廠,，業(yè)界認(rèn)為,，臺積電1.4nm芯片量產(chǎn)時間或?qū)⒂兴雍蟆?/p>

三星計(jì)劃2027年底前推出1.4nm制程，近期三星電子旗下的代工部門Samsung Foundry副總裁Jeong Gi-Tae透露,，三星即將推出 SF1.4（1.4 nm）工藝,，納米片（nanosheets）的數(shù)量從3個增加到4個，有望明顯改善性能和功耗,。據(jù)悉,，每個晶體管增加納米片數(shù)量，可以增強(qiáng)驅(qū)動電流,，從而提高性能,。同時，更多的納米片可以更好地控制電流,，這有助于減少漏電流,，從而降低功耗。