隨著人工智能的發(fā)展,，市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存的要求更高，三星正在向市場(chǎng)推出基于特定應(yīng)用要求的存儲(chǔ)組合產(chǎn)品,。

據(jù)悉,，三星最近正在研發(fā)新型存儲(chǔ)器LLW DRAM，將高帶寬,、低延遲,、低功耗的特性結(jié)合在一起,。三星將新的內(nèi)存技術(shù)定位在需要運(yùn)行大型語(yǔ)言模型（LLM）的設(shè)備上，未來(lái)也可能出現(xiàn)在各種客戶端工作負(fù)載中,。

LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存,，擁有寬I/O、低延遲,、每個(gè)模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬,，與一個(gè)128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。

同時(shí),，LLW DRAM還有另一個(gè)重要特性,，就是1.2pJ/bit的超低功耗，不過(guò)三星沒(méi)有告知該功耗下的具體數(shù)據(jù)傳輸速率,。

據(jù)了解,，LLW DRAM在設(shè)計(jì)上可能會(huì)借鑒GDDR6W，并采用扇出晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)將多個(gè)DRAM集成到一個(gè)封裝中,。

目前三星已公布技術(shù)的預(yù)期性能細(xì)節(jié),，根據(jù)過(guò)往經(jīng)驗(yàn)，LLW DRAM很可能到了開發(fā)階段的尾聲,。