《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 模擬設(shè)計(jì) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 臺(tái)積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片

臺(tái)積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片

功耗僅類似技術(shù)的1%
2024-01-18
來(lái)源:IT之家

臺(tái)積電" target="_blank">臺(tái)積電攜手工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)在下一代 MRAM 存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展,,成功研發(fā)出“自旋軌道力矩式磁性內(nèi)存”(SOT-MRAM),,搭載創(chuàng)新運(yùn)算架構(gòu),功耗僅為類似技術(shù) STT-MRAM 的百分之一,,成為臺(tái)積電搶占 AI,、高性能運(yùn)算(HPC)市場(chǎng)的新“殺手锏”,。

1.png

業(yè)內(nèi)人士指出,伴隨著 AI,、5G 時(shí)代來(lái)臨,,自動(dòng)駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷,、衛(wèi)星影像辨識(shí)等場(chǎng)景應(yīng)用,,都需要更快、更穩(wěn),、功耗更低的新一代內(nèi)存,。

磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)是一種非易失性內(nèi)存技術(shù),采用硬盤中常見的精致磁性材料,,能滿足新一代內(nèi)存需求,,吸引三星、英特爾,、臺(tái)積電等大廠投入研發(fā),。

臺(tái)積電目前已經(jīng)成功開發(fā)出 22 納米、16/12 納米工藝的 MRAM 產(chǎn)品線,,并手握大量?jī)?nèi)存,、車用市場(chǎng)訂單,,而本次臺(tái)積電乘勝追擊,再次推出 SOT-MRAM,,會(huì)進(jìn)一步鞏固其市場(chǎng)地位,。

臺(tái)積電表示新款 SOT-MRAM 內(nèi)存搭載創(chuàng)新運(yùn)算架構(gòu),功耗僅為 STT-MRAM 的 1%,,相關(guān)研發(fā)成果領(lǐng)先國(guó)際,,并在全球微電子元件領(lǐng)域頂尖會(huì)議國(guó)際電子元件會(huì)議(IEDM)上共同發(fā)表論文。

編者注:STT-MRAM 是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器,,是磁性存儲(chǔ)器 MRAM 的二代產(chǎn)品,。STT-MRAM 存儲(chǔ)單元的核心仍然是一個(gè) MTJ,由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個(gè)納米厚的非磁性隔離層組成,,它是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的,。

weidian.jpg

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn),。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問(wèn)題,,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected],。