介紹

半導體行業(yè)一直專注于使用先進的刻蝕設(shè)備和技術(shù)來實現(xiàn)圖形的微縮與先進技術(shù)的開發(fā)。隨著半導體器件尺寸縮減,、工藝復雜程度提升,，制造工藝中刻蝕工藝波動的影響將變得明顯?？涛g終點探測用于確定刻蝕工藝是否完成,、且沒有剩余材料可供刻蝕。這類終點探測有助于最大限度地減少刻蝕速率波動的影響,。

刻蝕終點探測需要在刻蝕工藝中進行傳感器和計量學測量,。當出現(xiàn)特定的傳感器測量結(jié)果或閾值時，可指示刻蝕設(shè)備停止刻蝕操作,。如果已無材料可供刻蝕,，底層材料（甚至整個器件或晶圓）就會遭受損壞，從而極大影響良率[1],，因此可靠的終點探測在刻蝕工藝中十分重要,。半導體行業(yè)需要可以在刻蝕工藝中為工藝監(jiān)測和控制提供關(guān)鍵信息的測量設(shè)備。目前,，為了提升良率,，晶圓刻蝕工藝使用獨立測量設(shè)備和原位（內(nèi)置）傳感器測量。相比獨立測量,，原位測量可對刻蝕相關(guān)工藝（如刻蝕終點探測）進行實時監(jiān)測和控制,。

使用 SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測

通過構(gòu)建一系列包含虛擬刻蝕步驟、變量,、流程和循環(huán)的“虛擬”工藝,，可使用 SEMulator3D 模擬原位刻蝕終點探測。流程循環(huán)用于在固定時間內(nèi)重復工藝步驟,，加強工藝流程控制（如自動工藝控制）的靈活性[2],。為模擬控制流程，可使用 "For Loop" 或 "Until Loop"（就像計算機編程）設(shè)置一定數(shù)量的循環(huán),。在刻蝕終點探測中,，可使用 "Until Loop"，因為它滿足“已無材料可供刻蝕”的條件,。在循環(huán)中,，用戶可以在循環(huán)索引的幫助下確認完成的循環(huán)數(shù)量。此外,，SEMulator3D 能進行“虛擬測量”,，幫助追蹤并實時更新刻蝕工藝循環(huán)中的材料厚度。通過結(jié)合虛擬測量薄膜厚度估測和流程循環(huán)索引，用戶可以在每個循環(huán)后準確獲取原位材料刻蝕深度的測量結(jié)果,。

用 SEMulator3D 模擬刻蝕終點探測的示例

初始設(shè)定

在一個簡單示例中,，我們的布局圖像顯示處于密集區(qū)的四個鰭片和密集區(qū)右側(cè)的隔離區(qū)（見圖1）。我們想測量隔離區(qū)的材料完成刻蝕時密集區(qū)的刻蝕深度,。我們將用于建模的區(qū)域用藍框顯示,，其中有四個鰭片（紅色顯示）需要制造。此外,，我們框出了黃色和綠色的測量區(qū)域,，將在其中分別測量隔離區(qū)的薄膜厚度 (MEA_ISO_FT) 和溝槽區(qū)的刻蝕深度 (MEA_TRENCH_FT)。工藝流程的第一步是使用 20nm 厚的硅晶體層（紅色）,、30nm 的氧化物（淺藍色）和 10nm 的光刻膠（紫色）進行晶圓設(shè)定（圖2）,。我們曝光鰭片圖形，并對使用基本模型刻蝕對光刻膠進行刻蝕,，使用特定等離子體角度分布的可視性刻蝕對氧化物材料進行刻蝕,。氧化物對光刻膠的選擇比是100比1。我們在 SEMulator3D 中使用可視性刻蝕模型來觀察隔離區(qū)和有鰭片的密集區(qū)之間是否有厚度上的差異,。

SEMulator3D 刻蝕終點探測循環(huán)

SEMulator3D 的工藝流程使用 Until Loop 循環(huán)流程,。我們將測量隔離區(qū)的材料厚度，并在隔離氧化物薄膜耗盡,、即厚度為0時 (MEA_ISO_FT==0) 停止該工藝,。在這個循環(huán)中，每個循環(huán)我們每隔 1nm 對氧化物材料進行1秒的刻蝕,，并同時測量此時隔離區(qū)氧化物薄膜厚度,。此外，我們將在每次循環(huán)后追蹤兩個鰭片間溝槽區(qū)的刻蝕深度,。這個循環(huán)索引有助于追蹤刻蝕循環(huán)的重復次數(shù)（圖3）,。

結(jié)果

對隔離薄膜進行刻蝕，直至其剩余 20nm,、10nm 和 0nm 深度的模擬結(jié)果如圖4所示,。模型中計算出隔離薄膜厚度的測量結(jié)果，以及兩個鰭片間溝槽區(qū)的刻蝕深度,。

我們對循環(huán)模型進行近30次重復后,，觀察到隔離區(qū)的薄膜厚度已經(jīng)達到0，并能追蹤到溝槽區(qū)氧化物的刻蝕深度（當隔離區(qū)被完全刻蝕時,，密集區(qū) 30nm 的氧化物已被刻蝕 28.4nm）。

結(jié)論

SEMulator3D 可用來創(chuàng)建刻蝕終點探測工藝的虛擬模型,。這項技術(shù)可用來確定哪些材料在刻蝕工藝中被完全去除,，也可測量刻蝕后剩下的材料（取決于刻蝕類型）。使用這一方法可成功模擬原位刻蝕深度控制。使用類似方法,，也可以進行其他類型的自動工藝控制,，例如深度反應離子刻蝕 (DRIE) 或高密度等離子體化學氣相沉積 (HDP-CVD) 工藝控制。

參考資料：

[1] Derbyshire, Katherine. In Situ Metrology for Real-Time Process Control, Semiconductor Online, 10 July 1998, https://www.semiconductoronline.com/doc/in-situ-metrology-for-real-time-process-contr-0001.

[2] SEMulator3D V10 Documentation: Sequences, Loops, Variables, etc.