日前,，繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品規(guī)?；慨a(chǎn)后，江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式發(fā)布,。

該產(chǎn)品采用BGA132封裝,，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達(dá)400MB/s,，將有望應(yīng)用于eMMC,、SSD等產(chǎn)品上。

江波龍表示,，近年來在存儲芯片自主研發(fā)投入了大量的精力和資源,，公司引進(jìn)了一批具備超過20年存儲芯片設(shè)計經(jīng)驗的高端人才。

據(jù)介紹,，該團隊不僅精通閃存芯片設(shè)計技術(shù),，還對于流片工藝制程、產(chǎn)品生產(chǎn)過程有深入了解,，對4xnm,、2xnm、1xnm等Flash工藝節(jié)點的產(chǎn)品實現(xiàn)擁有豐富經(jīng)驗,。

在產(chǎn)品測試方面,，江波龍自研NAND Flash產(chǎn)品通過內(nèi)嵌片上DFT電路，配合自主開發(fā)的測試平臺,，實現(xiàn)高效生產(chǎn)測試,。

目前，江波龍已具備SLC NAND Flash,、MLC NAND Flash,、NOR Flash產(chǎn)品的設(shè)計能力，并將通過完善的工程及品控能力逐步拓展更豐富的Flash產(chǎn)品系列,。

值得一提的是,，江波龍除了在NAND Flash芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力,，還在DRAM芯片方面進(jìn)行深入研究。

據(jù)江波龍介紹,，2023年就已推出復(fù)合式存儲nMCP,，將自研SLC NAND Flash和通過自研測試平臺驗證的LPDDR4x進(jìn)行合并封裝，實現(xiàn)高頻低耗,、寬溫運行的優(yōu)異特性,，可充分滿足5G網(wǎng)絡(luò)模塊存儲需求。

江波龍表示,，未來將繼續(xù)大力投入存儲芯片的自主研發(fā)，深入挖掘NAND Flash,、DRAM存儲芯片的應(yīng)用潛力,。