日前，繼自研SLC NAND Flash系列產品規(guī)?；慨a后,，江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式發(fā)布。
該產品采用BGA132封裝,，支持Toggle DDR模式,，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達400MB/s，將有望應用于eMMC,、SSD等產品上。
江波龍表示,，近年來在存儲芯片自主研發(fā)投入了大量的精力和資源,，公司引進了一批具備超過20年存儲芯片設計經(jīng)驗的高端人才。
據(jù)介紹,，該團隊不僅精通閃存芯片設計技術,，還對于流片工藝制程、產品生產過程有深入了解,，對4xnm,、2xnm、1xnm等Flash工藝節(jié)點的產品實現(xiàn)擁有豐富經(jīng)驗,。
在產品測試方面,，江波龍自研NAND Flash產品通過內嵌片上DFT電路，配合自主開發(fā)的測試平臺,，實現(xiàn)高效生產測試,。
目前，江波龍已具備SLC NAND Flash,、MLC NAND Flash,、NOR Flash產品的設計能力，并將通過完善的工程及品控能力逐步拓展更豐富的Flash產品系列,。
值得一提的是,，江波龍除了在NAND Flash芯片領域持續(xù)發(fā)力，還在DRAM芯片方面進行深入研究,。
據(jù)江波龍介紹,，2023年就已推出復合式存儲nMCP,，將自研SLC NAND Flash和通過自研測試平臺驗證的LPDDR4x進行合并封裝，實現(xiàn)高頻低耗,、寬溫運行的優(yōu)異特性,，可充分滿足5G網(wǎng)絡模塊存儲需求。
江波龍表示,，未來將繼續(xù)大力投入存儲芯片的自主研發(fā),，深入挖掘NAND Flash、DRAM存儲芯片的應用潛力,。
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