三星2月27日宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲(chǔ)芯片,，這也是迄今為止容量最高的HBM產(chǎn)品,，達(dá)36GB，帶寬高達(dá)1280GB/s,。與8層堆疊HBM3產(chǎn)品相比,，這款新品在容量,、帶寬方面都提高了50%以上，可顯著提高人工智能（AI）訓(xùn)練,、推理速度,。

三星電子存儲(chǔ)產(chǎn)品規(guī)劃執(zhí)行副總裁Yongcheol Bae表示,，業(yè)界AI服務(wù)供應(yīng)商越來(lái)越需要更高容量的HBM，而我們開(kāi)發(fā)的全新HBM3E 12H產(chǎn)品正是為滿足這一需求設(shè)計(jì)的,。

技術(shù)方面,，三星HBM3E 12H采用先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF），使12層產(chǎn)品具有與8層HBM芯片相同的高度,，以滿足當(dāng)前HBM封裝要求,。該技術(shù)預(yù)計(jì)將在未來(lái)帶來(lái)更多優(yōu)勢(shì)，特別是更高層數(shù)堆疊方面,，因?yàn)闃I(yè)界正在努力減輕芯片裸片變薄帶來(lái)的翹曲問(wèn)題,。三星不斷降低NCF材料的厚度，并實(shí)現(xiàn)了當(dāng)前業(yè)界最小的芯片間隙（7微米）,，同時(shí)消除了層間空隙,。與此前的HBM3 8H產(chǎn)品相比，新技術(shù)的進(jìn)步使得垂直密度提高了20%以上,。

三星表示,，TC NCF技術(shù)還能夠通過(guò)在芯片之間使用不同大小的凸塊，來(lái)改善HBM的熱性能,。在芯片鍵合層面,，較小的凸塊用于信號(hào)傳輸區(qū)域，而較大的凸塊用于需要散熱的區(qū)域,；該方法還有助于提高產(chǎn)品產(chǎn)量,。

集微網(wǎng)了解到，英偉達(dá)目前的H200旗艦AI芯片宣布采用HBM3E存儲(chǔ),，下一代B100預(yù)計(jì)將同樣采用HBM3E,，目前三大存儲(chǔ)芯片巨頭三星、SK海力士,、美光均重點(diǎn)發(fā)力HBM,。

三星表示，HBM3E 12H將成為未來(lái)最佳解決方案,，并降低數(shù)據(jù)中心總成本（TCO）,。性能方面，新產(chǎn)品與HBM3 8H相比,，人工智能訓(xùn)練平均速度可提高34%,，用于推理服務(wù)支持的用戶數(shù)量最高可增加11.5倍以上。

目前三星已開(kāi)始向客戶提供HBM3E 12H樣品,，計(jì)劃于今年上半年量產(chǎn),。