據(jù) TheElec,,三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充(MUF)技術(shù)。三星最近測(cè)試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 內(nèi)存的 MR MUF 工藝,,與 TC NCF 相其吞吐量有所提升,,但物理特性卻出現(xiàn)了一定惡化。
經(jīng)過(guò)測(cè)試,,該公司得出結(jié)論,,MUF 不適用于高帶寬內(nèi)存 (HBM),但非常適合 3DS RDIMM,,而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技術(shù)制造,主要用于服務(wù)器,。
MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個(gè)微小的孔,,然后將上下層半導(dǎo)體連接的 TSV 工藝后,注入到半導(dǎo)體之間的材料,,它的作用是將垂直堆疊的多個(gè)半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來(lái),。
在此之前,三星已經(jīng)在其現(xiàn)有的注冊(cè)雙列直插式內(nèi)存模塊(RDIMM)中使用了熱壓非導(dǎo)電膜(TC NCF)技術(shù),,而 MUF 是 SK 海力士用于制造高帶寬內(nèi)存(HBM)的技術(shù)(具體來(lái)說(shuō)是 Mass Re-flow Molded Underfill,,簡(jiǎn)稱 MR-MUF)。
經(jīng)查詢發(fā)現(xiàn),,MUF 是一種環(huán)氧樹脂模塑化合物,,自從著 SK 海力士成功將其應(yīng)用于 HBM 生產(chǎn)后便在芯片行業(yè)愈發(fā)受關(guān)注,業(yè)界認(rèn)為該材料被認(rèn)為在避免晶圓翹曲方面更有優(yōu)勢(shì),。
資料顯示,,SK 海力士所使用的化合物是與 Namics 合作開發(fā)的,而消息人士稱三星則計(jì)劃與三星 SDI 合作開發(fā)自己的 MUF 化合物,,目前已經(jīng)訂購(gòu)了 MUF 應(yīng)用所需的模壓設(shè)備,。
三星是世界最大的存儲(chǔ)半導(dǎo)體龍頭企業(yè),如果三星也引入 MUF,,那么 MUF 可能會(huì)成為主流技術(shù),,半導(dǎo)體材料市場(chǎng)也會(huì)發(fā)生巨大的變化,不過(guò)三星電子相關(guān)人士對(duì)此回應(yīng)稱“無(wú)法確認(rèn)內(nèi)部技術(shù)戰(zhàn)略”,。