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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET

以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標準
2024-03-21
來源:英飛凌
關(guān)鍵詞: 英飛凌 OptiMOS MOSFET 功率密度

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列,,使電機驅(qū)動應用取得了飛躍性的進展,。這一全新產(chǎn)品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開關(guān)性能均有所改善,,降低了電磁干擾(EMI)和開關(guān)損耗,,有益于用于服務器,、電信,、儲能系統(tǒng)(ESS)、音頻,、太陽能等用途的各種開關(guān)應用,。此外,憑借寬安全工作區(qū)(SOA)和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),,該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應用,。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品系列為客戶提供更高的功率密度、效率和系統(tǒng)可靠性,,樹立了新的行業(yè)標準,。

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與上一代OptiMOS? 3相比,OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品組合具有更加強大的技術(shù)特性,,其RDS(on)降低了42%,,有助于減少傳導損耗和提高輸出功率。在二極管性能方面,,OptiMOS? 6 200 V的軟度大幅提升至OptiMOS? 3的三倍多,,且 Qrr(typ)降低了 89%,使開關(guān)和 EMI 性能均得到明顯改善,。該技術(shù)還提升了寄生電容線性度(Coss 和 Crss),,減少了開關(guān)期間的振蕩并降低了電壓過沖。更緊密的 VGS(th) 分布和低跨導特性有助于MOSFET并聯(lián)和電流共享,,使溫度變得更加均勻且減少了并聯(lián)MOSFET的數(shù)量,。

OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品具有更出色的SOA并達到J-STD-020標準中的MSL 1等級。該半導體產(chǎn)品組合符合RoHS規(guī)范且不含鉛,,滿足當前行業(yè)標準的要求,。

 

供貨情況

OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品提供多種封裝,,包括PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6,、TOLL,、TO-220、D2PAK-7P和D2PAK-3P,,適用于各種應用,。所有型號目前均可訂購。

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