5月7日消息，據(jù)媒體報道,，SK海力士正在評估東京電子最新的低溫蝕刻設備,，該設備可以在-70℃的低溫下運行，用來生成400層以上堆疊的新型3D NAND,。

據(jù)了解，SK海力士此次并未直接引進設備，而是選擇將測試晶圓發(fā)送到東京電子的實驗室進行評估,，以驗證新設備在生產(chǎn)中的實際表現(xiàn)。這一舉措顯示了SK海力士在新技術引入上的謹慎態(tài)度和對質(zhì)量的嚴格把控,。

與傳統(tǒng)的蝕刻工藝相比,，東京電子的這款低溫蝕刻設備在工作溫度上形成了鮮明對比。傳統(tǒng)蝕刻工藝通常在0℃到30℃的溫度范圍內(nèi)進行,，而這款新設備能在-70℃的低溫下運行,，這樣的低溫環(huán)境為生產(chǎn)更高性能的3D NAND提供了可能。

據(jù)東京電子提供的論文數(shù)據(jù),，這款新的蝕刻機能在短短33分鐘內(nèi)完成10微米深的高深度比蝕刻,，效率比現(xiàn)有工具高出三倍以上。這一顯著的技術進步不僅提高了3D NAND的生產(chǎn)效率,，還有望進一步推動閃存技術的發(fā)展,。

目前，SK海力士的321層3D NAND采用了三重堆棧結構,。而采用東京電子的新設備后,，該公司可能實現(xiàn)以單堆棧或雙堆棧的方式構建400層的3D NAND,，這將進一步提升生產(chǎn)效率,。然而，這一目標的實現(xiàn)還需等待新設備在可靠性及性能一致性方面的進一步驗證,。

值得一提的是,，東京電子的這款低溫蝕刻設備在環(huán)保方面也表現(xiàn)出色。它采用氟化氫（HF）氣體作為蝕刻介質(zhì),，相較于傳統(tǒng)系統(tǒng)使用的氟碳化物氣體,，具有更低的溫室效應，為半導體行業(yè)的綠色發(fā)展提供了有力支持,。

此外,，全球半導體巨頭三星也在驗證這一新技術。與SK海力士不同,，三星選擇了直接引進東京電子的新設備進行測試,，顯示出其對新技術的高度關注和積極態(tài)度,。