IMEC(比利時(shí)微電子研究中)舉辦的ITF World 2024大會(huì)上,，AMD董事長(zhǎng)兼CEO蘇姿豐博士領(lǐng)取了IMEC創(chuàng)新大獎(jiǎng),，表彰其行業(yè)創(chuàng)新與領(lǐng)導(dǎo)——戈登·摩爾,、比爾·蓋茨也都得到過這個(gè)榮譽(yù),。

在獲獎(jiǎng)后的演講中，蘇姿豐重點(diǎn)提到,，AMD正在全力沖刺30x25目標(biāo),，也就是到2025年將計(jì)算能效提升30倍，而到了2026-2027年,，AMD將把計(jì)算能效提升100倍,！

這一速度，將遠(yuǎn)超行業(yè)平均水平,。

處理器,、顯卡等計(jì)算產(chǎn)品的能耗越來越高，AMD早在2014年就設(shè)定了名為25x20的目標(biāo),，也就是到2020年將產(chǎn)品能效提升25倍,，最終超額做到了31.7倍。

隨后,，AMD就立下了30x25的新目標(biāo),，明年就能順利實(shí)現(xiàn)。

蘇姿豐指出,，眼下提升計(jì)算產(chǎn)品能效的最大障礙就是AI大模型訓(xùn)練,、微調(diào)所需的龐大算力，往往離不開成千上萬的GPU加速器,，以及成千上萬兆瓦的電力,，而且還在急劇膨脹。

為此,，AMD將多管齊下,，從產(chǎn)品架構(gòu)、制造工藝,、封裝技術(shù),、互連技術(shù)等方面提升能效，比如3nm GAA全環(huán)繞柵極工藝,，比如2.5D/3D混合封裝,，等等。

她指出,，Instinct MI300X就是高能效的典型代表,，包含1530億個(gè)晶體管，分為12顆小芯片,、24顆共192GB HBM3內(nèi)存芯片,。

再比如處理器，2024年的第四代EPYC,，對(duì)比1984年的AM286(Intel 80286的克隆版本),，40年間,，制造工藝從1.5微米進(jìn)步到6/5納米，單顆芯片變成13顆小芯片,，晶體管從13.4萬個(gè)增加到900億個(gè),。

核心線程數(shù)從1/1個(gè)增加到96/192個(gè)，頻率從20MHz提高到3.5GHz,，緩存從16MB增加到486MB,，內(nèi)核面積從49平方毫米增加到1240平方毫米。