《電子技術(shù)應(yīng)用》
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跨電感電壓調(diào)節(jié)器的多相設(shè)計(jì)、決策和權(quán)衡

2024-06-12
作者:Alexandr Ikriannikov,,ADI公司研究員
來(lái)源:ADI
關(guān)鍵詞: ADI TLVR設(shè)計(jì) DL

  摘要

  最近推出的跨電感電壓調(diào)節(jié)器(TLVR)在多相DC-DC應(yīng)用中頗受歡迎,這些應(yīng)用為CPU,、GPU和ASIC等低壓大電流負(fù)載供電,。這一趨勢(shì)主要基于該技術(shù)出色的瞬態(tài)性能。TLVR還支持靈活的設(shè)計(jì)和布局,,但有幾個(gè)缺點(diǎn),。本文闡述了TLVR設(shè)計(jì)選擇如何影響性能參數(shù),并討論了相關(guān)權(quán)衡,。

  TLVR降壓器中的電流紋波和瞬態(tài)

  對(duì)于許多高電流應(yīng)用而言,,多相降壓轉(zhuǎn)換器的任何改進(jìn)都有意義。瞬態(tài)性能改進(jìn)尤其值得關(guān)注,,因?yàn)樵S多CPU,、GPU和ASIC現(xiàn)在都有非常嚴(yán)格的瞬態(tài)規(guī)格,而高效率對(duì)于節(jié)能和熱性能也至關(guān)重要,。

  電感中的電流紋波是影響設(shè)計(jì)選擇的重要參數(shù):它影響效率和輸出電壓紋波,,并間接關(guān)系到瞬態(tài)性能、解決方案尺寸和其他性能指標(biāo),。另一個(gè)關(guān)鍵特性是瞬態(tài)條件下的電流擺率,,這是瞬態(tài)性能的基本限制因素。通常,,電流紋波(以及效率)和瞬態(tài)性能(直接影響輸出電容大小等因素)導(dǎo)致設(shè)計(jì)決策需要權(quán)衡,。

  采用分立電感(DL)的傳統(tǒng)多相降壓轉(zhuǎn)換器如圖1a所示。為了實(shí)現(xiàn)較理想的波形交錯(cuò),,假定所有相位之間都具有適當(dāng)?shù)南嘁?。一種替代方案是用耦合電感(CL)代替DL,如圖1b所示,。1-3,5另一種替代方案如圖1c所示,稱為TLVR,,其中調(diào)諧電感Lc會(huì)影響電流紋波和瞬態(tài)性能,。4,6,7,10TLVR方法的原理是向分立電感添加次級(jí)繞組,并通過(guò)次級(jí)繞組的電氣連接來(lái)鏈接相位,。這種設(shè)計(jì)思路類似于耦合電感:對(duì)所有鏈接相位之間的交流波形進(jìn)行平均,,以在特定瞬態(tài)擺率下獲得更好的電流紋波,但TLVR的有效耦合電感是有限的,,因?yàn)楸仨毧紤]全部相電流,。TLVR的缺點(diǎn)是TLVR變壓器不能傳送電流的直流部分,因此直流電不會(huì)像在磁耦合電感中那樣在相位之間抵消掉,。本文將重點(diǎn)介紹TLVR的更多細(xì)節(jié)和特定權(quán)衡,;由于論文篇幅限制,這些內(nèi)容未包含在之前的研究中。9

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  圖1.多相降壓轉(zhuǎn)換器,,分別采用(a)分立電感(DL),、(b)耦合電感(CL)和(c) TLVR

  TLVR中紋波和電流擺率的第一個(gè)數(shù)學(xué)模型及方程可能已出現(xiàn)在相關(guān)文獻(xiàn)中。7雖然這是一個(gè)非常有用的數(shù)學(xué)模型,,適用于任何電路條件(任何占空比D = Vo/VIN或多個(gè)相位Nph等),,但它有一些局限性。例如,,低Lc值(圖1c中的調(diào)諧電感)會(huì)導(dǎo)致誤差增加,,當(dāng)Lc = 0時(shí),誤差變得無(wú)窮大,等等。低Lc值的極端情況比Lc = 開路的極端情況更重要,,因?yàn)槭褂肨LVR的主要原因是改善瞬態(tài)性能,,這意味著Lc值相當(dāng)?shù)汀?/p>

  此外還給出了更準(zhǔn)確的TLVR推導(dǎo),通過(guò)指定適當(dāng)?shù)腣x狀態(tài),,推導(dǎo)出的方程可以得出穩(wěn)態(tài)(對(duì)于電流紋波)或瞬態(tài)下的電流擺率。10該推導(dǎo)是針對(duì)更準(zhǔn)確的等效TLVR原理圖(圖2)進(jìn)行的。此模型與任何極端情況下的仿真都具有極好的相關(guān)性,,但穩(wěn)態(tài)下的電流擺率僅對(duì)D < 1/Nph范圍有效。后者是可以接受的,,因?yàn)橐呀?jīng)證明,,恰好在D < 1/Nph區(qū)域,TLVR具有相對(duì)于DL基線的最大電流紋波增量,,并且當(dāng)Nph足夠高時(shí),,其接近DL紋波。9,10

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  圖2.TLVR模型10

  通常,,TLVR值在數(shù)據(jù)手冊(cè)中的顯示方式與分立電感DL相同,,從中可推導(dǎo)出TLVR。圖2中的模型假設(shè)TLVR總值或自感被分成兩部分:一個(gè)是通常較小的Lk,,其余部分實(shí)際上成為TLVR變壓器的互感Lm = TLVR-Lk(方程1),。

  基于圖2中的模型,TLVR中的電流擺率可用方程2表示,,其中Lk是主繞組和輔助繞組之間的TLVR漏感,。Vx1電壓分配給目標(biāo)相位,而所有其他Vx節(jié)點(diǎn)均假定具有相同電壓(VIN或0),。相應(yīng)的節(jié)點(diǎn)電壓Vy1如方程3所示,。強(qiáng)制Vx1 = Vx,并將這些電壓指定為VIN(斜坡上升)或0(斜坡下降),,便可使用方程2直接計(jì)算TLVR中的最大瞬態(tài)擺率,。此外,,方程2中的電流擺率可用于方程4中的穩(wěn)態(tài)紋波計(jì)算,其中Vx1 = VIN,,所有其他開關(guān)節(jié)點(diǎn)均為Vx = 0,。不過(guò),方程4僅對(duì)D < 1/Nph有效,,因?yàn)樗僭O(shè)全部導(dǎo)通時(shí)間D/Fs內(nèi)具有單一且相同的擺率,。

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  如文獻(xiàn)所述,品質(zhì)因數(shù)(FOM)是反映系統(tǒng)性能的一個(gè)良好指標(biāo),,最大化FOM通常是實(shí)現(xiàn)理想權(quán)衡的正確方向,。9,10但請(qǐng)注意,高FOM本身并不能確保特定應(yīng)用規(guī)格中的每個(gè)參數(shù)都得到滿足,,高FOM僅是良好設(shè)計(jì)的一個(gè)指標(biāo),。FOM的定義如方程5所示,這對(duì)于D<1/Nph范圍是合適的,,我們可以用方程6來(lái)表示TLVR FOM,。

  為了進(jìn)行比較,我們將使用CL方程(此處未顯示),,但重點(diǎn)關(guān)注TLVR性能和權(quán)衡,。5,10我們還將使用陷波耦合電感(NCL)結(jié)構(gòu)作為基準(zhǔn),與尺寸和大小兼容的特定TLVR = 150 nH解決方案進(jìn)行比較,。10

  TLVR權(quán)衡

  圖3顯示了基于12 V至1.8 V 6相設(shè)計(jì)的關(guān)鍵TLVR性能參數(shù)與調(diào)諧電感Lc的關(guān)系(電流紋波的Fs = 300 kHz),。TLVR = 150 nH是給定尺寸下勉強(qiáng)滿足Isat/ph規(guī)格的最大可能值,因此它能充分有效地減小TLVR紋波并提高效率,。此外還繪制出DL = 150 nH,,作為TLVR = 150 nH的基線,以及NCL = 6× 25 nH (Lm = 375 nH)參數(shù)以供比較,。圖3中所有TLVR曲線上都突出顯示了實(shí)際設(shè)計(jì)點(diǎn)Lc = 120 nH,。

  內(nèi)容中需要考慮TLVR參數(shù)的變化:圖3顯示了(a) FOM,(b)電流瞬態(tài)擺率和(c)電流紋波與Lc的關(guān)系,,水平刻度相同,。請(qǐng)注意,隨著Lc增加,,所有TLVR曲線都漸近地接近DL性能。TLVR的FOM隨著Lc值的降低而提高,,因?yàn)樗矐B(tài)擺率大幅提高,,但代價(jià)是電流紋波進(jìn)一步增加(DL基線的紋波已經(jīng)相當(dāng)大),參見圖3c,。將具有隔離功能的次級(jí)繞組添加到初始DL時(shí),,鐵氧體會(huì)減少,,但TLVR FOM繪圖未考慮這一點(diǎn)。正如預(yù)期的那樣,,TLVR紋波始終大于DL基線8-10,。

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  圖3.TLVR權(quán)衡與Lc的關(guān)系:(a) FOM,(b) 電流擺率(向上),,(c) 電流紋波,。其中突出顯示了實(shí)際設(shè)計(jì)點(diǎn)Lc = 120 nH。12 V至1.8 V,,6相,,F(xiàn)s = 300 kHz。

  圖4顯示了FOM,、瞬態(tài)擺率和電流紋波與TLVR值(實(shí)際上是Lm)的關(guān)系,。值得注意的是,在繪制數(shù)學(xué)曲線時(shí),,TLVR的Isat規(guī)格是每相的全部Isat(在測(cè)試解決方案中,,對(duì)于TLVR = 150 nH,Isat = 65 A),,而對(duì)于NCL的Lm,,Isat明顯較低(對(duì)于必須承受相間電流不平衡的Lm = 375 nH,保守Isat = 25 A),。因此,,在相同給定尺寸的測(cè)試解決方案中,高于150 nH的TLVR曲線和高于375 nH的NCL曲線僅有理論意義(需要更大的尺寸來(lái)擴(kuò)展這些值),。由于TLVR和CL的電氣模型相似,,并且與Lm的函數(shù)關(guān)系的相關(guān)曲線可能彼此接近,因此關(guān)鍵的一點(diǎn)是,,對(duì)于TLVR和CL,,給定空間中互感受到的限制大不相同10。這為同一特定體積中的TLVR和NCL提供了一個(gè)現(xiàn)實(shí)的比較角度,。

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  圖4.TLVR權(quán)衡與TLVR值(Lm)的關(guān)系:(a) FOM,,(b) 電流擺率(向上),(c) 電流紋波,。Lc = 120 nH,,標(biāo)出了給定尺寸下TLVR = 150 nH和Lm = 375 nH(對(duì)于NCL)的最大值。12 V至1.8 V,,6相,,F(xiàn)s = 300 kHz。

  正如預(yù)期的那樣,,對(duì)于TLVR和NCL,,Lm 增加都會(huì)導(dǎo)致耦合系數(shù)和FOM變大,,如圖4a所示。10瞬態(tài)擺率一般由NCL中的漏感Lk和TLVR中的調(diào)諧電感Lc定義,,而不是由Lm定義,,因此圖4b中的曲線大部分是平坦的。然而,,當(dāng)TLVR值(有效Lm)變得過(guò)小時(shí),,并聯(lián)Lc實(shí)際上會(huì)短路,瞬態(tài)擺率迅速增加,。

  圖4c證實(shí),,對(duì)于TLVR和NCL,增加Lm非常有利于減小電流紋波(但Lm增加不會(huì)降低瞬態(tài)性能,,參見圖4b),。TLVR和NCL的電流紋波與Lm的關(guān)系曲線非常相似,這是因?yàn)槎叩碾姎饽P拖嗨?,但Lm值的限制因素卻截然不同,。10當(dāng)然,大部分差異來(lái)自于給定尺寸下Lm所需的Isat額定值,,因此NCL的電流紋波比相關(guān)TLVR小得多,。

  實(shí)驗(yàn)結(jié)果

  NCL設(shè)計(jì)為適合相同的TLVR尺寸,并且還匹配TLVR解決方案的所有其他外部尺寸,。10圖5顯示了同一電路板上的兩個(gè)測(cè)試解決方案(NCL不需要Lc),。

  正如根據(jù)擺率值所預(yù)期的那樣,TLVR和NCL都是非??斓慕鉀Q方案(圖3b和圖4b),。我們特意驗(yàn)證了瞬態(tài)性能相同的情況,即使將Fs降低至300 kHz,,仍然不會(huì)導(dǎo)致相位相互耦合的6相解決方案中出現(xiàn)反饋帶寬限制,。8

  由于NCL的FOM明顯高于TLVR(圖3a),因此匹配瞬態(tài)性能導(dǎo)致NCL的電流紋波只有TLVR的大約1/2.6,。圖6顯示了相應(yīng)的效率比較結(jié)果,,其中TLVR性能受到大電流紋波峰峰值的挑戰(zhàn)。

  由于CL(尤其是NCL)的漏感通常遠(yuǎn)低于TLVR值,,因此預(yù)計(jì)CL和NCL的每相電流能力也高得多:TLVR = 150 nH示例中Isat = 65 A(每相),,而相同體積中的NCL = 6× 25 nH顯示Isat > 300 A(每相)。

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  圖5.同一電路板上的解決方案:(a) TLVR和(b) NCL

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  圖6.同一電路板上6相12 V至1.8 V解決方案的效率與Io的關(guān)系:(a) TLVR和(b) NCL

  結(jié)論

  TLVR的FOM一般約為2,,從這個(gè)角度來(lái)看,,它相對(duì)于FOM = 1的分立電感基線有所改進(jìn)。其優(yōu)勢(shì)在于,,與電流紋波增加相比,,TLVR改善瞬態(tài)性能的速度更快。然而,,TLVR只能改善瞬態(tài),,同時(shí)會(huì)產(chǎn)生一些弊端。例如,,由于相位之間的鏈接以及較低的有效磁化電感和Lc,,TLVR電流紋波總是高于相同值DL情況的電流紋波。這會(huì)對(duì)效率產(chǎn)生不利影響,,特別是考慮到添加具有高壓隔離功能的次級(jí)繞組時(shí)鐵氧體橫截面會(huì)減小,。本文未考慮鐵氧體損失所導(dǎo)致的額外電感值損失(假設(shè)Isat與原始DL相同)。串聯(lián)的次級(jí)TLVR繞組也會(huì)造成潛在的高壓?jiǎn)栴},,并且通常會(huì)導(dǎo)致磁元件的成本增加,。8

  TLVR的瞬態(tài)電流擺率通常由Lc設(shè)置,但如果Lm足夠低:那么Lm實(shí)際上會(huì)使Lc短路,,使得瞬態(tài)性能更快,,但這會(huì)產(chǎn)生非常大的電流紋波,導(dǎo)致效率受損,。

  一般來(lái)說(shuō),,TLVR的行為類似于耦合電感,但TLVR的全電流額定值會(huì)限制有效Lm,,使其表現(xiàn)明顯不佳,。在相同的體積下,由于Lm通常要高出幾倍,,因此CL或NCL可以實(shí)現(xiàn)高得多的FOM和性能,。因此,在所考慮的例子中,,NCL顯示出高得多的效率,,同時(shí)瞬態(tài)性能相比TLVR也有所改善,10但卻不存在TLVR方法的成本影響或高壓?jiǎn)栴},。

  NCL與TLVR相比,,每相Isat電流能力顯著提高,這是一個(gè)額外的好處(上例中差異大于4.5倍),。


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