8月15日消息,，大家都知道,，晶體管是集成電路的基本單元,，是如今時代不可或缺的元件之一。

晶體管能夠調控由電子或空穴等載流子形成電流的大小,，通常載流子與周圍環(huán)境處于熱平衡狀態(tài),，稱為“穩(wěn)態(tài)”；但通過電場加速等方法,，可以提升載流子的能量,，使其成為“熱載流子”。

如果能夠有效操控這種高能的熱載流子,，并提高其濃度,，將有望進一步提升晶體管的速度和功能。

近日,，中國科學院金屬研究所通過使用石墨烯等材料,，發(fā)明了一種“受激發(fā)射”新型熱載流子生成機制，并構建了“熱發(fā)射極”晶體管,，得到了一種既可以降低功耗又具有“負電阻”功能的晶體管,，有望用于設計集成度更高、功能更豐富的集成電路,。

據了解,，此次研究成果新型晶體管由兩個耦合的“石墨烯/鍺”肖特基結組成。

載流子由石墨烯基極注入,，隨后擴散到發(fā)射極,，并激發(fā)出受電場加熱的載流子，從而導致電流急劇增加,。

這一設計實現了低于1 mV/dec的亞閾值擺幅,，突破了傳統(tǒng)晶體管的玻爾茲曼極限（60 mV/dec）,。

此外,，該晶體管在室溫下還表現出峰谷電流比超過100的負微分電阻，展示出其在多值邏輯計算中的應用潛力,。

該工作開辟了晶體管器件研究的新領域,，為熱載流子晶體管家族增添了新成員，并有望推動其在未來低功耗,、多功能集成電路中廣泛應用,。