8月26日消息,，在英偉達（NVIDIA）于下周在美國召開的 Hot Chips 會議上披露其 Blackwell GPU 架構(gòu)的細節(jié)之前,，英偉達已經(jīng)提前曝光了其更詳細的芯片路線圖。

在今年6月,，英偉達CEO黃仁勛在中國臺灣大學綜合體育館發(fā)表主題為“開啟產(chǎn)業(yè)革命的全新時代”的演講當中,，披露了英偉達將會在2025年推出增強版的Blackwell Ultra GPU（8S HBM3e 12H）,。在2026年，英偉達還將推出再下一代的Rubin GPU,，將集成8顆HBM4,，隨后在2027年，將推出將集成12顆HBM4版本的Rubin Ultra GPU的路線圖規(guī)劃,。

近期,，英偉達最新曝光的信息顯示，英偉達將在 2026年推出名為 Vera 的新 CPU ,，以及具有 288GB HBM3e 內(nèi)存的 Blackwell 版本,，稱為 Blackwell Ultra。2026年將會推出GPU 架構(gòu)Rubin 將會集成HBM4內(nèi)存,，在2027年,，將推出更高HBM容量的Rubin Ultra GPU。

“當然,，在 Blackwell Ultra 中也將增加計算量,。我們不會透露具體數(shù)量,，但我們確實在 Blackwell Ultra 中擁有更多的計算能力”,，英偉達加速計算總監(jiān) Dave Salvator 說。

Dave Salvator 表示,，“然后,，隨著我們進入 2026 年，我們將進入新的 Ruben GPU架構(gòu),，在 CPU 方面,，我們將在 2026 年的時間框架內(nèi)從 Grace 轉(zhuǎn)向 Vera CPU 架構(gòu)，然后你也會看到我們網(wǎng)絡產(chǎn)品的一些進展,。這一點也很重要,，因為我們歸根結(jié)底是一家數(shù)據(jù)中心平臺公司，需要所有這些組件來實現(xiàn)該平臺,。,。

JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會 （JEDEC Solid State Technology Association） 的高性能存儲器 HBM4 標準即將完成。與 HBM3 相比,，HBM4 將每個堆棧的通道數(shù)增加一倍,，并且物理占用空間更大,。為了支持設備兼容性，該標準確保單個控制器可以在需要時同時與 HBM3 和 HBM4 配合使用,。不同的配置將需要不同的中介層來適應不同的封裝,。HBM4 將指定 24 Gb 和 32 Gb 層，并可選擇支持 4 層,、8 層,、12 層和 16 層 TSV 堆棧。該委員會已就高達 6.4 Gbps 的速度箱達成初步協(xié)議,，并正在討論更高的頻率,。

英偉達的高級工程師將展示為 Blackwell 平臺提供支持的最新進展，以及對數(shù)據(jù)中心液體冷卻和芯片設計 AI 代理的研究,。

GB200 NVL72 液冷機架系統(tǒng)連接 72 個 Blackwell GPU 和 36 個 Grace CPU,。

在下周的Hot Chips 會議上，英偉達架構(gòu)總監(jiān) Ajay Tirumala 和 Raymond Wong 將介紹該平臺,，并解釋這些技術(shù)如何協(xié)同工作,，為 AI 和加速計算性能提供新標準，同時提高能源效率,。

英偉達數(shù)據(jù)中心冷卻和基礎(chǔ)設施總監(jiān) Ali Heydari 將展示混合冷卻數(shù)據(jù)中心的幾種設計,。

一些設計使用液體冷卻裝置改造現(xiàn)有的風冷數(shù)據(jù)中心，提供了一種快速簡便的解決方案,，為現(xiàn)有機架添加液體冷卻功能,。其他設計需要安裝管道，以便使用冷卻分配裝置或?qū)⒎掌魍耆]在浸入式冷卻罐中進行直接到芯片的液體冷卻,。盡管這些選項需要更大的前期投資,，但它們可以節(jié)省大量能源消耗和運營成本。

Heydari 還將分享他的團隊的工作,，作為 COOLERCHIPS 的一部分,，COOLERCHIPS 是美國能源部的一項計劃，旨在開發(fā)先進的數(shù)據(jù)中心冷卻技術(shù),。作為該項目的一部分,，該團隊正在使用 Omniverse 平臺創(chuàng)建基于物理的數(shù)字孿生，這將幫助他們對能耗和冷卻效率進行建模,，以優(yōu)化其數(shù)據(jù)中心設計,。