9 月 5 日消息,，據(jù)《韓國先驅(qū)報(bào)》報(bào)道,，三星電子 DS 部門存儲器業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理李禎培昨日在臺灣地區(qū)出席業(yè)界活動時(shí)展示了三星未來內(nèi)存產(chǎn)品路線圖,。
根據(jù) DDR 內(nèi)存路線圖,，三星計(jì)劃在 2024 年內(nèi)推出 1c nm 制程 DDR 內(nèi)存，該節(jié)點(diǎn)可提供 32Gb 顆粒容量產(chǎn)品,；而在 2026 年三星將推出其最后一代 10nm 級工藝 1d nm,，仍最大提供 32Gb 容量。
來到 2027 年,，三星將突入 10nm 以下級 DRAM 制程節(jié)點(diǎn),，發(fā)布 0a nm 工藝 DDR 內(nèi)存產(chǎn)品，同時(shí)該節(jié)點(diǎn)的內(nèi)存單顆粒容量也將來到更高的 48Gb,，即 6GB,。
此外對于 LPDDR 內(nèi)存，李禎培介紹了 LPDDR5-PIM（注：內(nèi)存內(nèi)處理）產(chǎn)品,。這一整合計(jì)算單元的存儲介質(zhì)可提升 70% 系統(tǒng)能效和最多 8 倍性能,。
而在 HBM 內(nèi)存路線圖上，三星電子明確其下下代產(chǎn)品 HBM4E 將于 2026 年推出,，與 SK 海力士的進(jìn)度相當(dāng),。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn),。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,，請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施,，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：[email protected]。