9 月 5 日消息,，據(jù)《韓國先驅報》報道，三星電子 DS 部門存儲器業(yè)務總裁兼總經(jīng)理李禎培昨日在臺灣地區(qū)出席業(yè)界活動時展示了三星未來內存產(chǎn)品路線圖,。
根據(jù) DDR 內存路線圖,，三星計劃在 2024 年內推出 1c nm 制程 DDR 內存，該節(jié)點可提供 32Gb 顆粒容量產(chǎn)品,；而在 2026 年三星將推出其最后一代 10nm 級工藝 1d nm,，仍最大提供 32Gb 容量。
來到 2027 年,，三星將突入 10nm 以下級 DRAM 制程節(jié)點,，發(fā)布 0a nm 工藝 DDR 內存產(chǎn)品,，同時該節(jié)點的內存單顆粒容量也將來到更高的 48Gb，即 6GB,。
此外對于 LPDDR 內存,，李禎培介紹了 LPDDR5-PIM（注：內存內處理）產(chǎn)品。這一整合計算單元的存儲介質可提升 70% 系統(tǒng)能效和最多 8 倍性能,。
而在 HBM 內存路線圖上,，三星電子明確其下下代產(chǎn)品 HBM4E 將于 2026 年推出，與 SK 海力士的進度相當,。
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,。轉載的所有的文章,、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者,。如涉及作品內容、版權和其它問題,，請及時通過電子郵件或電話通知我們,，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,。聯(lián)系電話：010-82306118,；郵箱：[email protected]。