10月24日消息，據(jù)路透社報(bào)道,，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛本周在接受采訪時(shí)承認(rèn),，此前曝光的導(dǎo)致Blackwell GPU良率問(wèn)題的設(shè)計(jì)缺陷是由英偉達(dá)自身造成的，但是該設(shè)計(jì)缺陷在幾個(gè)月前就已經(jīng)在臺(tái)積電的幫助下得到了修復(fù),，B100/B200 處理器的改進(jìn)版本即將進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn),。

“我們?cè)?Blackwell 中遇到了一個(gè)設(shè)計(jì)缺陷，它的功能很好,，但設(shè)計(jì)缺陷導(dǎo)致良率很低,。”黃仁勛說(shuō)：“這 100% 是英偉達(dá)的錯(cuò),?！?/p>

當(dāng)關(guān)于設(shè)計(jì)缺陷的第一批報(bào)道出現(xiàn)時(shí)，一些媒體報(bào)道說(shuō)臺(tái)積電是罪魁禍?zhǔn)?，并暗示這可能會(huì)導(dǎo)致英偉達(dá)與臺(tái)積電之間的合作緊張關(guān)系,。但是，根據(jù)黃仁勛的說(shuō)法,，情況并非如此,，英偉達(dá)自己的誤判導(dǎo)致了問(wèn)題。黃仁勛還駁斥了有關(guān)兩家公司之間緊張關(guān)系的報(bào)道,，稱(chēng)其為“假新聞”,。

英偉達(dá)的 Blackwell B100 和 B200 GPU 使用臺(tái)積電的 CoWoS-L 封裝技術(shù)將其兩個(gè)小芯片連接起來(lái)，該技術(shù)依賴(lài)于配備本地硅互連 （LSI） 橋接器的 RDL 中介層（以實(shí)現(xiàn)約 10 TB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率）,。這些橋梁的放置至關(guān)重要,。然而，GPU 小芯片,、LSI 橋片,、RDL 中介層和主板基板之間的熱膨脹特性被認(rèn)為不匹配，導(dǎo)致系統(tǒng)翹曲和失效,。據(jù)報(bào)道,，英偉達(dá)不得不修改 GPU 硅的頂部金屬層和凸起，以提高產(chǎn)量,。雖然該公司沒(méi)有透露有關(guān)修復(fù)的具體細(xì)節(jié),，但它確實(shí)提到需要新的光罩,。

良率扼殺問(wèn)題和主要功能問(wèn)題在半導(dǎo)體領(lǐng)域并非聞所未聞。通常,，公司通過(guò)修改一個(gè)（或兩個(gè)）金屬層并將其稱(chēng)為新的臺(tái)階來(lái)修復(fù)它們,。

舉個(gè)例子：據(jù)報(bào)道，英特爾的 Sapphire Rapids 有 500 個(gè)錯(cuò)誤,，該公司發(fā)布了大約十幾個(gè)步驟來(lái)修復(fù)它們（五個(gè)是基礎(chǔ)重新旋轉(zhuǎn)）,。每個(gè)新步驟大約需要三個(gè)月才能完成（包括識(shí)別問(wèn)題、修復(fù)問(wèn)題和生產(chǎn)新版本的芯片）,，因此英偉達(dá)和臺(tái)積電修復(fù) Blackwell GPU 的速度令人印象深刻,。

用于 AI 和超級(jí)計(jì)算機(jī)的現(xiàn)已修復(fù)的 Blackwell GPU 將于 10 月下旬進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)，并應(yīng)在明年初開(kāi)始發(fā)貨,。也就是說(shuō),，英偉達(dá)今年早些時(shí)候透露，為了滿(mǎn)足 AWS,、谷歌和Microsoft等主要云服務(wù)提供商對(duì)其 Blackwell GPU 的需求,，它仍必須在 2024 年底前出貨一些最初的低產(chǎn)量 Blackwell 處理器。目前尚不清楚 2024 年將有多少 Blackwell GPU 運(yùn)往數(shù)據(jù)中心客戶(hù),。