瑞薩推出全新RA8入門(mén)級(jí)MCU產(chǎn)品群,, 提供極具性?xún)r(jià)比的高性能Arm Cortex-M85處理器
2024-11-06
來(lái)源:瑞薩電子
2024 年 11 月 5 日,中國(guó)北京訊 -全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布,,推出RA8E1和RA8E2微控制器(MCU)產(chǎn)品群,,進(jìn)一步擴(kuò)展其業(yè)界卓越和廣受歡迎的MCU系列。2023年推出的RA8系列MCU是首批采用Arm? Cortex?-M85處理器的MCU,,實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)領(lǐng)先的6.39 CoreMark/MHz(注)性能,。新款RA8E1和RA8E2 MCU在保持同等性能的同時(shí),通過(guò)精簡(jiǎn)功能集降低成本,,成為工業(yè)和家居自動(dòng)化,、辦公設(shè)備、醫(yī)療保健和消費(fèi)品等大批量應(yīng)用的理想之選,。
RA8E1和RA8E2 MCU采用Arm Helium?技術(shù),,即Arm的M-Profile矢量擴(kuò)展,與基于Arm Cortex-M7處理器的MCU相比,,在數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)應(yīng)用層面實(shí)現(xiàn)高達(dá)4倍的性能提升,,使得快速增長(zhǎng)的AIoT領(lǐng)域應(yīng)用成為可能——在這一領(lǐng)域,高性能對(duì)于AI模型的執(zhí)行至關(guān)重要,。
RA8系列產(chǎn)品集成低功耗特性和多種低功耗模式,,在提供業(yè)界卓越性能的同時(shí),可進(jìn)一步提高能效,。低功耗模式,、獨(dú)立電源域、更低的電壓范圍,、快速喚醒時(shí)間,,以及較低的典型工作和待機(jī)電流組合,使得系統(tǒng)整體功耗更低,。幫助客戶(hù)降低整體系統(tǒng)功耗并滿(mǎn)足相關(guān)法規(guī)要求,。新款A(yù)rm Cortex-M85內(nèi)核還能以更低的功耗執(zhí)行各種DSP/ML任務(wù)。
RA8系列MCU由瑞薩靈活配置軟件包(FSP)提供支持,。FSP帶來(lái)所需的所有基礎(chǔ)架構(gòu)軟件,,包括多個(gè)RTOS、BSP、外設(shè)驅(qū)動(dòng)程序,、中間件,、連接、網(wǎng)絡(luò)和TrustZone支持,,以及用于構(gòu)建復(fù)雜AI,、電機(jī)控制和云解決方案的參考軟件,從而加快應(yīng)用開(kāi)發(fā)速度,。它允許客戶(hù)將自己的既有代碼和所選的RTOS與FSP集成,,為應(yīng)用開(kāi)發(fā)打造充分的靈活性。借助FSP,,可輕松將現(xiàn)有設(shè)計(jì)遷移至新的RA8系列產(chǎn)品,。
Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing 1st Business Division at Renesas表示:“我們的客戶(hù)對(duì)RA8 MCU的卓越性能贊不絕口,現(xiàn)在他們期望獲得性能更高且功能更優(yōu)化的版本,,以滿(mǎn)足其成本敏感的工業(yè),、視覺(jué)AI和中端圖形應(yīng)用需求。RA8E1和RA8E2為這些市場(chǎng)打造了性能和功能的完美平衡,,并且借助FSP實(shí)現(xiàn)了在RA8系列內(nèi)部或從RA6 MCU的輕松遷移?!?/p>
RA8E1 MCU的關(guān)鍵特性
內(nèi)核:360MHz Arm Cortex-M85,,包含Helium和TrustZone技術(shù)
存儲(chǔ):集成1MB閃存、544KB SRAM(包括帶ECC的32KB TCM,、帶奇偶校驗(yàn)保護(hù)的512KB用戶(hù)SRAM),、1KB待機(jī)SRAM、32KB I/D緩存
外設(shè):以太網(wǎng),、XSPI(八線SPI),、SPI、I2C,、USBFS,、CAN-FD、SSI,、12位ADC,、12位DAC、HSCOMP,、溫度傳感器,、8位CEU、GPT,、LP-GPT,、WDT、RTC
封裝:100/144引腳LQFP
RA8E2 MCU的關(guān)鍵特性
內(nèi)核:480MHz Arm Cortex-M85,包含Helium和TrustZone技術(shù)
存儲(chǔ):集成1MB閃存,、672KB SRAM(包括帶ECC的32KB TCM,、帶奇偶校驗(yàn)保護(hù)的512KB用戶(hù)SRAM+額外128KB用戶(hù)SRAM)、1KB待機(jī)SRAM,、32KB I/D緩存
外設(shè):16位外部存儲(chǔ)器接口,、XSPI(八線SPI)、SPI,、I2C,、USBFS、CAN-FD,、SSI,、12位ADC、12位DAC,、HSCOMP,、溫度傳感器、GLCDC,、2DRW,、GPT、LP-GPT,、WDT,、RTC
封裝:224引腳BGA
成功產(chǎn)品組合
瑞薩將全新RA8E1和RA8E2產(chǎn)品群MCU與其產(chǎn)品組合中的眾多兼容器件相結(jié)合,創(chuàng)建了廣泛的“成功產(chǎn)品組合”,,包括入門(mén)級(jí)語(yǔ)音和視覺(jué)人工智能系統(tǒng)以及家用電器人機(jī)界面 (HMI),。這些“成功產(chǎn)品組合”基于相互兼容且可無(wú)縫協(xié)作的產(chǎn)品,具備經(jīng)技術(shù)驗(yàn)證的系統(tǒng)架構(gòu),,帶來(lái)優(yōu)化的低風(fēng)險(xiǎn)設(shè)計(jì),,以加快產(chǎn)品上市速度。瑞薩現(xiàn)已基于其產(chǎn)品陣容中的各類(lèi)產(chǎn)品,,推出超過(guò)400款“成功產(chǎn)品組合”,,使客戶(hù)能夠加速設(shè)計(jì)過(guò)程,更快地將產(chǎn)品推向市場(chǎng),。
供貨信息
RA8E1和RA8E2產(chǎn)品群MCU以及FSP軟件現(xiàn)已上市,。瑞薩還推出了RA8E1快速原型開(kāi)發(fā)板,并計(jì)劃于2025年第一季度初發(fā)布包括TFT顯示屏在內(nèi)的RA8E2評(píng)估套件,。
?。ㄗⅲ〦EMBC的CoreMark?基準(zhǔn)測(cè)試用于衡量嵌入式系統(tǒng)中采用的MCU和CPU性能。
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