瑞薩率先推出第二代面向服務(wù)器的DDR5 MRDIMM完整內(nèi)存接口芯片組解決方案
2024-11-21
來源:瑞薩電子
2024 年 11 月 20 日,,中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案,。
人工智能(AI)、高性能計算(HPC)和其它數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對內(nèi)存帶寬的要求不斷提高,,這就需要新的DDR5 MRDIMM,。它們的運行速度高達(dá)每秒12,800兆次傳輸(MT/s);與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍,。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應(yīng)商在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者以及終端客戶合作,,在新型MRDIMM的設(shè)計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用,。
瑞薩設(shè)計并推出三款全新關(guān)鍵組件:RRG50120第二代多路復(fù)用寄存時鐘驅(qū)動器(MRCD),、RRG51020第二代多路復(fù)用數(shù)據(jù)緩沖器(MDB),和RRG53220第二代電源管理集成電路(PMIC),。此外,,瑞薩還批量生產(chǎn)溫度傳感器(TS)和串行存在檢測(SPD)集線器解決方案,并為包括行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)下一代MRDIMM在內(nèi)的各類服務(wù)器和客戶端DIMM提供全面的芯片組解決方案,。作為內(nèi)存接口領(lǐng)域的卓越廠商,,瑞薩致力于為用戶提供高質(zhì)量、高性能的產(chǎn)品和服務(wù),。
Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of Analog & Connectivity and Embedded Processing表示:“AI和HPC應(yīng)用對更高性能系統(tǒng)的需求持續(xù)增長,。瑞薩緊跟這一趨勢,與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者攜手開發(fā)下一代技術(shù)及規(guī)范,。這些公司依靠瑞薩提供的專業(yè)技術(shù)知識和生產(chǎn)能力來滿足日益增長的需求,。我們面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片組解決方案,體現(xiàn)了瑞薩在這一市場領(lǐng)域的卓越地位,?!?/p>
瑞薩RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM,緩沖主機控制器與DRAM之間的命令/地址(CA)總線,、芯片選擇和時鐘,。與第一代產(chǎn)品相比,其功耗降低45%,。這對于超高速系統(tǒng)的熱管理而言是一個關(guān)鍵指標(biāo),。RRG51020 Gen 2 MDB是MRDIMM中使用的另一個關(guān)鍵器件,用于緩沖從主機CPU到DRAM的數(shù)據(jù)。瑞薩的新MRCD和MDB均支持高達(dá)每秒12.8吉比特(Gbps)的速度,。此外,,瑞薩的RRG53220下一代PMIC提供出色的電氣過壓保護和卓越的能效,并針對高電流及低電壓操作進(jìn)行優(yōu)化,。
供貨信息
瑞薩現(xiàn)已開始提供RRG50120 MRCD,、RRG51020 MDB和RRG53220 PMIC的樣品。預(yù)計新產(chǎn)品將于2025年上半年投產(chǎn),。
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