《電子技術(shù)應(yīng)用》
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強(qiáng)茂推出SGT MOSFET第一代系列:創(chuàng)新槽溝技術(shù)

車規(guī)級(jí)60 V N通道突破車用電子的高效表現(xiàn)
2024-11-22
來(lái)源:強(qiáng)茂電子
關(guān)鍵詞: 強(qiáng)茂 MOSFET 汽車電子

  隨著汽車產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展,強(qiáng)茂推出最新車規(guī)級(jí)60 V N通道MOSFETs系列,,采用屏蔽柵槽溝技術(shù)(SGT)來(lái)支持汽車電力裝置,。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(biāo)(FOM)、超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容,,能有效提升汽車電子系統(tǒng)的性能與能源效率,,降低導(dǎo)通與切換的損耗,提供更卓越的電氣性能,。

 (banner)PANJIT's Automotive-Grade 60 V N-Channel Gen.1 SGT Series.png

  強(qiáng)茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇,,包括DFN3333-8L、DFN5060-8L,、DFN5060B-8L,、TO-252AA以及TO-220AB-L,為各類電力電子應(yīng)用提供更為可靠的解決方案,。這些MOSFETs皆通過(guò)AEC-Q101之認(rèn)證,,具備優(yōu)異的導(dǎo)通和切換特性,在車用領(lǐng)域中是電源轉(zhuǎn)換,、驅(qū)動(dòng)與控制應(yīng)用的理想選擇,。此外,可承受結(jié)溫高達(dá)175°C,,為現(xiàn)代電子產(chǎn)品提供最佳的設(shè)計(jì)彈性,。

  最重要的是強(qiáng)茂在SGT-MOSFETs的產(chǎn)品研發(fā)上,不僅推動(dòng)電動(dòng)/燃油汽車技術(shù)的發(fā)展,,還致力于促進(jìn)整個(gè)汽車業(yè)鏈的持續(xù)成長(zhǎng)與發(fā)展,,服務(wù)廣泛涵蓋各終端之應(yīng)用。此外,,強(qiáng)茂的產(chǎn)品皆采用符合IEC 61249和EU RoHS 2.0標(biāo)準(zhǔn)的綠色材質(zhì),體現(xiàn)了強(qiáng)茂致力于為客戶提供高性能,、可靠和環(huán)保產(chǎn)品的承諾,。

 

什么是屏蔽柵槽溝SGT-MOSFET呢?

屏蔽柵槽溝MOSFETs (Shielded Gate Trench-SGT) 多使用于中壓MOSFETs,,被廣泛應(yīng)用于電源供應(yīng),、工業(yè)系統(tǒng)以及汽車設(shè)備等高性能的應(yīng)用領(lǐng)域中,作為核心的電力控制元件,。通過(guò)加深槽溝深度,,其獨(dú)特的電荷耦合結(jié)構(gòu)可涵蓋水平與垂直的耗盡區(qū)域,,從而在相同的摻雜濃度下提升擊穿電壓的卓越性能。

 (SGT MOSFET) PANJIT's Automotive-Grade 60 V N-Channel Gen.1 SGT Series.png

  相較于傳統(tǒng)槽溝式MOSFETs的特性,,SGT-MOSFETs在柵極電極下增加了一個(gè)屏蔽電極并與源極相連,,使屏蔽柵極在漂移區(qū)內(nèi)減少米勒效應(yīng)帶來(lái)的切換損耗。此外,,此設(shè)計(jì)還降低了漂移區(qū)的臨界電場(chǎng),,使總柵極電荷(Qg, @RDS(on) 3 mΩ)降低了57%,并顯著提升了性能指標(biāo)(FOM),。  

 

主要特性

l 屏蔽柵槽溝技術(shù) (SGT)

提升效率和性能,,滿足嚴(yán)苛的電力需求。

l AEC-Q101認(rèn)證

確保在嚴(yán)格的汽車和工業(yè)應(yīng)用中具備卓越的耐用性,。

l 超低導(dǎo)通電阻

將功率損耗降至最低,,最大化功率敏感設(shè)計(jì)的能源效率。

l 高功率密度封裝

緊湊的設(shè)計(jì)提供強(qiáng)大的功率輸出,,是多種應(yīng)用的首選,。

l 可承受高結(jié)溫

支持在極端環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行,能承受高達(dá)175℃的溫度,。

 

產(chǎn)品應(yīng)用

l 汽車電子

先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)

車身控制器 (BCU)

冷卻風(fēng)扇

影音娛樂(lè) / 儀表板

LED照明

馬達(dá)泵

車載充電器

傳感器

USB充電器 / USB集線器

無(wú)線充電器

   

l 電源供應(yīng)

發(fā)動(dòng)機(jī)控制器

執(zhí)行器/促動(dòng)器

電池管理系統(tǒng)

服務(wù)器嵌入式系統(tǒng)

 

l 工業(yè)電子

工業(yè)電腦

太陽(yáng)能逆變器 / 控制器

電風(fēng)扇

焊接機(jī)

   

 

60 V N通道第一代SGT系列表

(prodcut list)PANJIT's Automotive-Grade 60 V N-Channel Gen.1 SGT Series.png

產(chǎn)品推薦

PJQ5560A-AU

這款60 V N通道的增強(qiáng)型MOSFET具備優(yōu)異的FOM (Qg, VGS@10 V, ID@20 A<82 nC) 以及低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON), VGS@10 V, ID@20 A<2.6 mΩ),,采用DFN5060-8L封裝。該產(chǎn)品符合AEC-Q101認(rèn)證,,并設(shè)計(jì)為邏輯電平驅(qū)動(dòng),,非常適合用于汽車應(yīng)用中的先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、車身及舒適系統(tǒng),,以及汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng),。

(DFN5060-8L)PANJIT's Automotive-Grade 60 V N-Channel Gen.1 SGT Series.png

   

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