12月1日消息,，全球?qū)W術界和工業(yè)界公認的集成電路設計領域最高級別的會議?ISSCC即將于2月16日至2月20日在加利福尼亞州舊金山舉行,。三星已宣布將于2月19日在ISSCC期間舉行的“非易失性存儲器和 DRAM”專題活動上,，展示其超快的GDDR7顯存,，該顯存比旗艦級GDDR6顯存快約 77%,。

據(jù)介紹,，三星旗艦級GDDR7 DRAM,，可以以高達 42.5 Gbps 的速度運行,。它將是一個 24 Gb 或 3 GB 模塊,，旨在實現(xiàn)最佳的 GDDR7 性能,，并且也將比其前身更節(jié)能。GDDR7 DRAM 已經(jīng)比 GDDR6 快得多,，但目前,，42.5Gbps速率還是太高了，現(xiàn)有的GPU可能還用不了,。

盡管如此,，它仍有可能進入未來的產(chǎn)品，例如英偉達的 RTX 60 系列卡,。目前,，英偉達將為其 Blackwell RTX 50 系列 GPU 配備高達 28 Gbps 的 GDDR7 模塊。該速度已經(jīng)比RTX 4090上的旗艦級24 Gbps GDDR6內(nèi)存速度高出4 Gbps,。然而,，42.5 Gbps的內(nèi)存速度比24 Gbps的GDDR6 DRAM高出約77%。

遺憾的是,，我們在大多數(shù) GPU 上都沒有看到 24 Gbps 的 GDDR6 顯存速度,，包括 AMD 的旗艦 RX 7900 XTX 和 XT GPU，甚至是英偉達的旗艦 RTX 4090 GPU,。這些顯存模塊分別以 20 Gbps 和 21 Gbps 的內(nèi)存速度運行,。因此，即使在未來的 GPU 上,，42.5 Gbps 也不一定會出現(xiàn),。

目前，英偉達的旗艦產(chǎn)品 Blackwell GeForce RTX 5090 圖形處理器將使用 28 Gbps 內(nèi)存,，未來幾代可能會提高到 30 Gbps 以上,，就像我們看到 GDDR6 模塊的發(fā)展一樣。

據(jù)報道,，RTX 5090 將在 32 位內(nèi)存總線上配備 7 GB 的 GDDR512 內(nèi)存,，從而產(chǎn)生 1.7-2.0 TB/s 的內(nèi)存帶寬。這已經(jīng)比 RTX 4090 高出 1.7 到 2.0 倍,，理論上,，如果 RTX 5090 上的 VRAM 可以達到 42.5 Gbps，則內(nèi)存帶寬將接近 2.5 Gbps,。

ISSCC 非易失性和 DRAM 活動上,，SK 海力士將展示其最先進的 321 層 4D NAND，該產(chǎn)品最近進入量產(chǎn)狀態(tài),。