12月4日消息,，據(jù)Tom's hardware報道，三星將在即將舉行的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上展示新的超過400層3D NAND Flash,，接口速度為5.6 GT/s,。

報道稱，三星的第10代V-NAND保持了TLC（三級單元,，或每個單元 3 位）架構,，每個芯片的容量為1Tb（128 GB）。三星聲稱其新的超400層 3D TLC NAND Flash的存儲密度為 28 Gb/mm2,，僅略低于三星的1Tb 3D QLC V-NAND,，后者的存儲密度為 28.5 Gb/mm2，是目前世界上存儲密度最高的NAND Flash,。

當前的一個NAND Flash芯片封裝通常擁有8個或16個NAND Flash芯片,。這意味著 16 芯片封裝將提供高達 2TB 的存儲容量，而SSD主板上單面的四個此類封裝將支持 8TB 的存儲空間,，如果是雙面八個此類封裝,，M.2 2280 驅動器上可提供高達16TB的存儲空間。（不過,，三星已經有一段時間沒有創(chuàng)建新的雙面貼裝8個芯片的SSD,，而是選擇堅持使用單面設計。）

可以說,，三星第10代 V-NAND 最重要的特點是它的接口速度,，可以達到5.6 GT/s，明顯快于長江存儲的 3.6 GT/s,。在 5.6 GT/s 時,，這相當于大約 700 MB/s，這意味著其中 10 個設備可以使 PCIe 4.0 x4 接口飽和，而 20 個足以使超快的 PCIe 5.0 x4 接口飽和,。由于兩個 NAND Flash封裝中可能有多達 32 個芯片,，這已經是 PCIe 6.0 x4 接口上實現(xiàn)最大吞吐量的一半。

三星計劃在 ISSCC 10 上推出其第10代 V-NAND,，有理由預計該公司也將在明年開始批量生產這種NAND Flash,。目前尚不清楚新的NAND Flash何時會進入三星自己的 SSD。通常,，新的 NAND Flash解決方案可用于各種零售產品,，包括 USB盤、存儲卡,、SSD、智能手機等,。