意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET
2024-12-16
來(lái)源:意法半導(dǎo)體
2024 年 11 月 29日,,中國(guó)——意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力,,適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景,。
工業(yè)級(jí)晶體管STL300N4F8 和 車規(guī)晶體管STL305N4F8AG 的額定漏極電流高于300A,最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為1mΩ,,可在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的能效,。動(dòng)態(tài)性能得到了改進(jìn),65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開關(guān)頻率下電能損耗降至最低,。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速反向恢復(fù)特性有助于提高系統(tǒng)的能效和可靠性,。
有了新系列器件,設(shè)計(jì)人員可以利用意法半導(dǎo)體最新的 STripFET F8 技術(shù)為無(wú)線電動(dòng)工具,、工業(yè)生產(chǎn)工具等設(shè)備設(shè)計(jì)電源,、電源轉(zhuǎn)換器,、電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置。MOSFET 的能效可延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間,,降低耗散功率,,準(zhǔn)許應(yīng)用系統(tǒng)在采用簡(jiǎn)單的熱管理設(shè)計(jì)情況下持續(xù)輸出高功率,,從而節(jié)省電路板空間,,降低物料成本。車規(guī)器件的目標(biāo)應(yīng)用是整車電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和DC/DC轉(zhuǎn)換器,,包括車身電子設(shè)備,、底盤和動(dòng)力總成。具體應(yīng)用場(chǎng)景包括車窗升降器,、座椅定位器,、天窗開啟器、風(fēng)扇和鼓風(fēng)機(jī),、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向,、主動(dòng)懸架和減排控制系統(tǒng)。
意法半導(dǎo)體的 STripFET F8 技術(shù)確保器件具有很高的穩(wěn)健性和更大的安全工作區(qū) (SOA),,能夠處理大功率,,耐受大功率造成的漏源電壓 (VDS)大幅下降。此外,,175°C 的最高工作結(jié)溫讓MOSFET適用于極端惡劣的工作環(huán)境,。
此外,該技術(shù)可以縮減裸片尺寸,,降低導(dǎo)通電阻RDS(on),,提高價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力,采用尺寸緊湊的封裝,。這兩款器件都采用節(jié)省空間的 PowerFLAT 5x6 封裝,,同時(shí)還提供汽車工業(yè)要求的可潤(rùn)濕側(cè)翼封裝。
STL300N4F8現(xiàn)已上市,。