問題

　　我按照數(shù)據(jù)手冊在原理圖中使用了10 Ω柵極電阻,，但在啟動期間仍有振鈴。我的熱插拔控制器電路為何會振蕩,？

　　回答

　　使用高端N溝道MOSFET開關(guān)的熱插拔器件在啟動和限流期間可能會發(fā)生振蕩。雖然這不是新問題,，但數(shù)據(jù)手冊通常缺少解決方案的詳細(xì)信息,。如果不了解基本原理，只是添加一個小柵極電阻進(jìn)行簡單修復(fù),，可能會導(dǎo)致電路布局容易產(chǎn)生振蕩,。本文旨在解釋寄生振蕩的理論，并為正確實施解決方案提供指導(dǎo),。

　　簡介

　　使用高端N溝道MOSFET （NFET）的熱插拔控制器,、浪涌抑制器、電子保險絲 和理想二極管控制器,，在啟動和電壓/電流調(diào)節(jié)期間可能會發(fā)生振蕩,。數(shù)據(jù)手冊通常會簡要提到這個問題，并建議添加一個小柵極電阻來解決,。然而,，如果不清楚振蕩的根本原因，設(shè)計人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻,，使電路容易受到振蕩的影響,。本文將討論寄生振蕩的原理，以幫助設(shè)計人員避免不必要的電路板修改,。

　　最初,，添加?xùn)艠O電阻可能沒什么必要，因為看起來NFET柵極的電阻為無窮大,。用戶可能會忽略這個步驟,，并且不會出現(xiàn)問題，進(jìn)而會質(zhì)疑柵極電阻是否有必要,。但10 Ω柵極電阻可以有效抑制柵極節(jié)點上振鈴,。柵極節(jié)點含有諧振電路的元件，包括柵極走線本身,。較長PCB走線會將寄生電感和分布電容引入附近的接地平面,，從而形成通向地的高頻路徑。針對高安全工作區(qū)（SOA）優(yōu)化的功率FET具有數(shù)納法拉的柵極電容,，為增加電流處理能力而并聯(lián)更多FET時,，此問題會加劇。用于鉗位FET的VGS的齊納二極管也會帶來寄生電容,，不過功率FET的C_ISS影響較大,。

　　圖1為帶寄生效應(yīng)的通用PowerPath?控制器。

　　圖1.通用PowerPath控制器

　　旋轉(zhuǎn)電路后（見圖2）,，其與Colpitts振蕩器的相似性就非常明顯了（見圖3）,。這是一個具有附加增益的諧振電路，能夠產(chǎn)生持續(xù)振蕩，使用N溝道FET的PowerPath控制器可能會采用這種配置,。

　　圖2.旋轉(zhuǎn)后的PowerPath控制器,。

　　圖3.Colpitts振蕩器。

　　Colpitts振蕩器使用緩沖器通過容性分壓器提供正反饋,。在PowerPath控制器中,，這是由FET實現(xiàn)的。它處于共漏極/源極跟隨器配置中,，因此可充當(dāng)交流緩沖器,，在更高漏極電流下性能更好。容性分壓器頂部的信號被注入分壓器的中間,，導(dǎo)致分壓器頂部的信號上升,，然后重復(fù)這一過程。

　　振蕩常發(fā)生在以下FET未完全導(dǎo)通的情況中：

　　1.初始啟動期間,，當(dāng)柵極電壓上升且輸出電容充電時,。

　　2.正在調(diào)節(jié)電流時（如果控制器使用有源限流功能）。

　　3.正在調(diào)節(jié)電壓時（如在浪涌抑制器中所見）,。

　　為了驗證開關(guān)FET在Colpitts振蕩器拓?fù)渲械淖饔?，我們?gòu)建了一個沒有柵極驅(qū)動器IC的基本電路（見圖5）。FET的C_GS（圖4中未顯示為分立元件）與C2構(gòu)成分壓器,。

　　圖4.NFET作為Colpitts振蕩器的測試電路

　　圖5.電路原型

　　圖6.示波器圖顯示施加直流電時出現(xiàn)振蕩

　　圖6中觀察到了振蕩,，這表明高端NFET開關(guān)處于Colpitts拓?fù)渲小?/p>

　　現(xiàn)在我們轉(zhuǎn)到熱插拔控制器，看看是否進(jìn)行調(diào)整以引起振蕩,。演示板用于啟動容性負(fù)載測試,。在啟動期間，柵極電壓按照設(shè)定的dV/dt上升,，輸出也隨之上升,。根據(jù)公式I_INRUSH＝C_LOAD×dV/dt，進(jìn)入輸出電容的沖擊電流由dV/dt控制,。為了提高FET的跨導(dǎo)（g_m），沖擊電流設(shè)置為相對較高的值3 A,。測試設(shè)置（見圖7）：

　　▲UV和OV功能禁用,。

　　▲C_TRACE代表走線電容，是10 nF分立陶瓷電容,。

　　▲L_TRACE是150 nH分立電感,，位于LT4260的GATE引腳和NFET的柵極之間，代表走線電感,。

　　▲2 mΩ檢測電阻將折返電流限制為10A,。

　　▲68 nF柵極電容將啟動時間延長至數(shù)十毫秒，在此期間FET容易受到振蕩的影響。

　　▲15 mF輸出電容會在啟動期間吸收數(shù)安培的沖擊電流,，從而提高FET的gm,。

　　▲12 Ω負(fù)載為FET的gm提供額外電流。

　　圖7.簡化測試電路

　　圖8.示波器圖顯示了啟動期間逐漸衰減的振蕩

　　注意圖8中的波形,，一旦柵極電壓上升到FET的閾值電壓,，GATE和OUT波形就出現(xiàn)振鈴，這是由GATE波形突然階躍導(dǎo)致沖擊電流過沖而引起的,。隨后振鈴逐漸消退,。

　　為使瞬態(tài)振鈴進(jìn)入連續(xù)振蕩狀態(tài)，必須增加FET的增益,。將VIN從12 V提升至18 V,，負(fù)載電流和gm都會增加。這會將正反饋放大到足以維持振蕩的水平,，如圖9中的示波器圖所示,。

　　圖9.示波器圖顯示提高VIN產(chǎn)生連續(xù)振蕩

　　圖10.添加?xùn)艠O電阻的演示板測試電路

　　現(xiàn)在問題已經(jīng)重現(xiàn)，我們可以實施眾所周知的解決方案：將一個10 Ω柵極電阻與電感串聯(lián)（見圖10）,。增加?xùn)艠O電阻后有效抑制了振蕩,，使系統(tǒng)能夠平穩(wěn)啟動（見圖11）。

　　圖11.示波器圖顯示,，添加?xùn)艠O電阻后,，啟動時無振蕩

　　回到基本的NFET Colpitts振蕩器，引入可切換柵極電阻后,，可觀察到R_GATE的阻尼效應(yīng)（見圖12）,。當(dāng)從0 Ω逐步增至10 Ω時，振蕩會衰減,，如圖13所示,。

　　圖12.基本NFET Colpitts振蕩器，添加了可切換RGATE

　　圖13.示波器圖顯示,，隨著RGATE逐步增加,，振蕩逐漸消失

　　結(jié)論

　　本文介紹了寄生FET振蕩的理論，通過工作臺實驗驗證了Colpitts模型,，在演示板上再現(xiàn)了振蕩問題,，并使用大家熟悉的解決方案解決了該問題。將10 Ω柵極電阻盡可能靠近FET柵極引腳放置,，可將PCB走線的寄生電感與FET的輸入電容分開,。只需一個表貼電阻就能消除柵極振鈴或振蕩的可能性，用戶不再需要耗時費力地排除故障和重新設(shè)計電路板,。

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