2月15日,，根據(jù)TECHPOWERUP的最新報(bào)導(dǎo)，AMD正在測(cè)試導(dǎo)入三星的4nm制程技術(shù),，以制造新款I/O芯片,。而AMD可能選擇的,，預(yù)計(jì)會(huì)是三星的4LPP制程技術(shù)（SF4）。

2024年7月,，AMD 在美國舊金山舉行的AMD Tech Day 2024上,，更新了CPU的技術(shù)規(guī)劃，首次公開確定了Zen 5系列之后將是Zen 6系列構(gòu)架,，分為Zen 6和Zen 6c,，就是所謂的大小核心的構(gòu)架。不過,，當(dāng)時(shí)AMD并沒有提及Zen 6系列構(gòu)架的發(fā)布日期,，也沒有確認(rèn)采用的制程節(jié)點(diǎn)。然而,，不久前有消息指出,，Zen 6構(gòu)架的電荷耦合元件（CCD）將采用臺(tái)積電的N3E制程技術(shù)來制造，而新款I(lǐng)/O芯片（IOD）則是臺(tái)積電N4C制程技術(shù)。

但是TECHPOWERUP的最新爆料顯示,，AMD正在測(cè)試?yán)萌?LPP制程技術(shù)來生產(chǎn)新的I/O芯片,。從參數(shù)規(guī)格來看，晶體管密度和臺(tái)積電的N5制程差不多,，比起N6制程則有比較顯著的改進(jìn),。

顯示，利用更先進(jìn)的三星4LPP制程技術(shù),，AMD可以降低I/O芯片的功耗,，以加入新的電源管理解決方案。更為重要的是,，新款I(lǐng)/O芯片的主要需求是更新內(nèi)存控制器,，支支持更高速率的DDR5，以及一些新的DIMM設(shè)計(jì),，比如CUDIMM內(nèi)存模塊等,。

此前，三星的晶圓代工制程通常令人擔(dān)心的是其良率表現(xiàn),。不過,，根據(jù)先前的市場(chǎng)消息指出，雖然三星的4nm制程良率仍遜于臺(tái)積電,，不過經(jīng)過優(yōu)化后已經(jīng)接近70%,，較最初的僅25%提高許多，如此證明三星有能力提高良率,，這可能也是讓AMD思考導(dǎo)入三星4nm制程的原因,。

不過，該項(xiàng)消息尚未獲得AMD的證實(shí),，后續(xù)的狀況還有帶進(jìn)一步觀察,。