2 月 21 日消息,，應(yīng)用材料（Applied Materials）公司于 2 月 19 日發(fā)布博文，宣布推出新型芯片檢測(cè)設(shè)備 SEMVision H20,，速度提升三倍,，助力提升先進(jìn)制程芯片良率。

技術(shù)背景

注：電子束成像技術(shù)一直是檢測(cè)光學(xué)技術(shù)無(wú)法識(shí)別的微小缺陷的重要工具,。其超高分辨率能夠在數(shù)十億個(gè)納米級(jí)電路圖案中分析最細(xì)微的缺陷,。

傳統(tǒng)上，光學(xué)技術(shù)用于掃描晶圓以查找潛在缺陷,，然后使用電子束技術(shù)對(duì)這些缺陷進(jìn)行更詳細(xì)的表征,。

在新興的“埃米時(shí)代”，最小的芯片特征可能只有幾個(gè)原子厚,，區(qū)分真正的缺陷和誤報(bào)變得越來(lái)越困難,。

SEMVision H20 創(chuàng)新

SEMVision H20 采用第二代冷場(chǎng)發(fā)射電子顯微鏡技術(shù)（CFE）技術(shù),，分析速度是熱場(chǎng)發(fā)射（TFE）設(shè)備的三倍，也是第一代 CFE 技術(shù)的兩倍,。

應(yīng)用材料的“冷場(chǎng)發(fā)射”（CFE）技術(shù)是電子束成像領(lǐng)域的一項(xiàng)突破,，可實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)分辨率，用于識(shí)別最小的隱藏缺陷,。相比于傳統(tǒng)的熱場(chǎng)發(fā)射（TFE）技術(shù),，CFE 在室溫下運(yùn)行，產(chǎn)生更窄,、電子更多的電子束,，從而使納米級(jí)圖像分辨率提高多達(dá) 50%，成像速度提高多達(dá) 10 倍,。

更快的成像速度提高了每個(gè)晶圓的覆蓋率,，使芯片制造商能夠在三分之一的時(shí)間內(nèi)收集相同數(shù)量的信息。

該設(shè)備使用更窄的電子束,，讓其能夠深入芯片底部進(jìn)行檢測(cè),，對(duì)于 2 納米以下先進(jìn)邏輯芯片、高密度 DRAM 和 3D NAND 至關(guān)重要,。

隨著芯片制程不斷推進(jìn),，光學(xué)檢測(cè)技術(shù)逐漸難以滿足需求，電子束檢測(cè)的應(yīng)用范圍正在擴(kuò)大,。SEMVision H20 能夠滿足先進(jìn)制程芯片的檢測(cè)需求,，例如 2 納米以下邏輯芯片、高密度 DRAM 和 3D NAND,。

SEMVision H20 還使用深度學(xué)習(xí) AI 算法,，能分析趨勢(shì)，找出真正的缺陷,，最終提高芯片制造商的良率,。應(yīng)用材料專有的深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)使用來(lái)自芯片制造商工廠的數(shù)據(jù)進(jìn)行持續(xù)訓(xùn)練，并將缺陷分類到包括空洞,、殘留物,、劃痕、顆粒和其他數(shù)十種缺陷類型的分布中,，從而實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確,、更高效的缺陷表征。

SEMVision H20 可用于所有前端工藝,。這款設(shè)備的推出,，標(biāo)志著芯片檢測(cè)技術(shù)的一大進(jìn)步，將有助于推動(dòng)先進(jìn)制程芯片的研發(fā)和生產(chǎn),。