摘要
本文提出,，CMOS開關(guān)可以取代自動測試設(shè)備（ATE）廠商使用的PhotoMOS?開關(guān),。CMOS開關(guān)的電容乘電阻（CxR）性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導(dǎo)通速度,、可靠性和可擴展性的表現(xiàn)也很出色,，契合了先進內(nèi)存測試時代ATE廠商不斷升級的需求。
簡介
人工智能（AI）應(yīng)用對高性能內(nèi)存,，尤其是高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求不斷增長,，芯片設(shè)計因此變得更加復(fù)雜。自動測試設(shè)備（ATE）廠商是驗證這些芯片的關(guān)鍵一環(huán),，目前正面臨著越來越大的壓力,，需要不斷提升自身能力以滿足這一需求。傳統(tǒng)上,，在存儲器晶圓探針電源應(yīng)用中,，PhotoMOS開關(guān)因其良好的低電容乘電阻（CxR）特性而得到采用。低CxR有助于減少信號失真,，改善開關(guān)關(guān)斷隔離度,，同時實現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更低的插入損耗。
除了上述優(yōu)點外,，PhotoMOS開關(guān)的關(guān)態(tài)電壓也較高,，但也存在一些局限性，主要體現(xiàn)在可靠性,、可擴展性和導(dǎo)通速度方面,。其中，導(dǎo)通速度較慢一直是客戶不滿的一大原因,。
為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn),，ADI公司開發(fā)出了新型開關(guān)來取代存儲器晶圓探針電源應(yīng)用中的PhotoMOS。ADI開關(guān)不僅導(dǎo)通速度非?？?，而且同樣具備低CxR特性，可以確保高效切換,。此外還具有良好的擴展性,，能夠改善測試的并行處理能力,，使ATE能夠處理更大規(guī)模、速度更快的測試任務(wù),。如今AI應(yīng)用對高效和高性能內(nèi)存測試的需求日益增長,，為此，ATE公司正積極尋求更優(yōu)的解決方案,。在這種背景下,，ADI開關(guān)憑借一系列出色特性，成為了PhotoMOS的有力替代方案,。
應(yīng)用原理圖
在ATE設(shè)置中,，開關(guān)扮演著非常重要的角色。開關(guān)能夠?qū)⒍鄠€被測器件（DUT）連接到同一個測量儀器（例如參數(shù)測量單元PMU）,，或者將它們從測量儀器上斷開，以便執(zhí)行測試流程,。具體來說,，開關(guān)使得PMU能夠高效地向不同DUT施加特定電壓，并檢測這些DUT反饋的電流,。開關(guān)能夠簡化測試流程,，在需要同時或依次測試多個DUT的情況下，這種作用更加突出,。通過使用開關(guān),，我們可以將PMU的電壓分配到多個DUT，并檢測其電流,，這不僅提高了測試效率,，還大幅減少了每次測試之間重新配置測試裝置的麻煩。
圖1.PMU開關(guān)應(yīng)用
圖2.PhotoMOS和CMOS開關(guān)架構(gòu)
圖1展示了如何利用開關(guān)輕松構(gòu)建矩陣配置,，使得一個PMU就能評估多個DUT,。這種配置減少了對多個PMU的需求，并簡化了布線,，從而顯著提高了ATE系統(tǒng)的靈活性和可擴展性,，對于大批量或多器件的測試環(huán)境至關(guān)重要。
開關(guān)架構(gòu)
為便于理解評估研究（即利用開發(fā)的硬件評估板對PhotoMOS開關(guān)和CMOS開關(guān)進行比較）以及研究得出的結(jié)果,，這里比較了PhotoMOS開關(guān)和CMOS開關(guān)的標準,。從二者的開關(guān)架構(gòu)開始比較更易于看出差別。
CMOS開關(guān)和PhotoMOS開關(guān)的架構(gòu)不同,，圖2顯示了開關(guān)斷開時的關(guān)斷電容（COFF）,。該寄生電容位于輸入源極引腳和輸出引腳之間。
對于PhotoMOS開關(guān),，COFF位于漏極輸出引腳之間,。此外,，PhotoMOS開關(guān)具有輸入到輸出電容（也稱為漏極電容），同時在其用于導(dǎo)通和關(guān)斷輸出MOSFET的發(fā)光二極管（LED）級也存在輸入電容,。
對于CMOS開關(guān),，COFF位于源極和漏極引腳之間。除了COFF之外,，CMOS開關(guān)還有漏極對地電容（CD）和源極對地電容（CS）,。這些對地電容也是客戶在使用CMOS開關(guān)時經(jīng)常抱怨的問題。
當(dāng)任一開關(guān)使能時,，輸入信號便可傳輸至輸出端,，此時源極和漏極引腳之間存在導(dǎo)通電阻（RON）。通過了解這些架構(gòu)細節(jié),，我們可以更輕松地分析評估研究中的電容,、RON和開關(guān)行為等性能指標，確保為特定應(yīng)用選擇正確的開關(guān)類型,。
開關(guān)規(guī)格和附加值
為了更好地對開關(guān)進行定性和定量評估,，應(yīng)該考察其在系統(tǒng)設(shè)計應(yīng)用中帶來的附加值。如上所述,，對于圖1所示應(yīng)用,，ADG1412是理想選擇，可以輕松替代PhotoMOS開關(guān),。這款CMOS開關(guān)是四通道單刀單擲（SPST）器件,，擁有出色的特性，包括高功率處理能力,、快速響應(yīng)時間,、低導(dǎo)通電阻和低漏電流等。設(shè)計人員可以通過比較表1列出的重要指標,，評估CMOS開關(guān)性能并打分,，從而量化其相對于其他替代方案的優(yōu)勢。這有助于更深入地了解器件的信號切換效率,，對于復(fù)雜或敏感的電子系統(tǒng)非常有幫助,。
關(guān)斷隔離：開關(guān)斷開時的電容
兩種開關(guān)的關(guān)斷隔離曲線（圖3）表明，輸入信號受到高度抑制（100 kHz時為-80 dB）,，未到達輸出端,。隨著頻率提高，PhotoMOS的性能開始略高一籌,，二者相差-10 dB,。對于圖1所示的開關(guān)應(yīng)用（直流（DC）切換），開關(guān)電容并不重要,，重要的開關(guān)參數(shù)是低漏電流,、高導(dǎo)通速度和低插入損耗,。
圖3.關(guān)斷隔離曲線
插入損耗：開關(guān)導(dǎo)通電阻
低RON的開關(guān)至關(guān)重要。I*R電壓降會限制系統(tǒng)性能,。各器件之間以及溫度變化引起的RON波動越小,，測量誤差就越小。圖4中的插入損耗曲線顯示,，在100 kHz頻率下,，PhotoMOS開關(guān)的插入損耗為-0.8 dB，而CMOS開關(guān)的插入損耗僅為-0.3 dB,。這進一步證實了CMOS開關(guān)具有較低的RON （1.5 Ω）,。
圖4.插入損耗曲線
圖5.開關(guān)導(dǎo)通時間
開關(guān)導(dǎo)通時間
當(dāng)驅(qū)動使能/邏輯電壓施加到任一開關(guān)上，使其閉合并將輸入信號傳遞到輸出端時,，如果使用的是PhotoMOS開關(guān),，則會存在明顯的延遲（如圖5所示）。這種較慢的導(dǎo)通速度由于LED輸入級的輸入電容,，以及內(nèi)部電路將電流轉(zhuǎn)換為驅(qū)動MOSFET柵極所需電壓的過程中產(chǎn)生的延遲造成的,。導(dǎo)通速度慢一直是客戶不滿的主要原因，而且會影響系統(tǒng)整體應(yīng)用的速度和性能,。相比之下，CMOS開關(guān)的導(dǎo)通速度（100 ns）是PhotoMOS開關(guān)（200,000 ns）的2000倍（×2000）,，更能滿足系統(tǒng)應(yīng)用所需,。
設(shè)計遷移：PhotoMOS替換為ADG1412開關(guān)
如果系統(tǒng)中使用的是PhotoMOS開關(guān)，并且遇到了測量精度不高,、導(dǎo)通速度慢導(dǎo)致系統(tǒng)資源占用過多,，以及難以提高通道密度等問題，那么升級到采用CMOS開關(guān)的方案將使開發(fā)變得非常簡單,。圖6顯示了PhotoMOS開關(guān)與CMOS開關(guān)的連接點對應(yīng)關(guān)系,。因此，系統(tǒng)設(shè)計可以利用CMOS開關(guān),，以更低的成本實現(xiàn)更高的通道密度,。
圖6.開關(guān)連接點
ADI開關(guān)可提高通道密度
表2列出了一些能夠提高通道密度的ADI開關(guān)示例。這些開關(guān)具有與ADG1412類似的性能優(yōu)勢,，導(dǎo)通電阻更低（低至0.5 Ω）,，而且成本比PhotoMOS開關(guān)還低。這些開關(guān)提供串行外設(shè)接口（SPI）和并行接口,，方便與控制處理器連接,。
結(jié)論
本文著重說明了CMOS開關(guān)的潛力。在ATE應(yīng)用中,，ADG1412可以很好地取代PhotoMOS開關(guān),。比較表明,，CMOS開關(guān)的性能達到甚至超過了預(yù)期，尤其是在對開關(guān)電容或漏極電容要求不高的場合,。此外,，CMOS開關(guān)還擁有顯著的優(yōu)勢，例如更高的通道密度和更低的成本,。
ADI公司的CMOS開關(guān)產(chǎn)品系列非常豐富,，不僅提供導(dǎo)通電阻更低的型號，還支持并行和SPI兩種控制接口,，從而更加有力地支持了在ATE系統(tǒng)中使用CMOS開關(guān)的方案,。
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