3 月 12 日消息,，韓媒 FNnews 昨日（3 月 11 日）發(fā)布博文，報道稱三星電子本月初在其華城園區(qū)引入了 ASML 生產(chǎn)的 High NA 極紫外光刻（EUV）設(shè)備，希望提升 2 納米及以下制程的競爭力,。

ASML 的 High NA EUV 設(shè)備 "EXE:5000" 是全球唯一能夠提供此類設(shè)備的供應(yīng)商，單臺價格高達 5000 億韓元（IT 之家備注：當前約 24.88 億元人民幣）,。該設(shè)備通過增大透鏡和反射鏡尺寸,，將數(shù)值孔徑（NA）從 0.33 提升至 0.55，顯著提高了光刻精度,，是 2 納米及以下制程的必備工具,。

▲ ASML 首代 High NA EUV 光刻機 EXE:5000

與現(xiàn)有 EUV 設(shè)備相比，High NA EUV 能夠?qū)崿F(xiàn)更窄的電路線寬,，從而降低功耗并提升數(shù)據(jù)處理速度,，三星自去年起已開始評估該設(shè)備的工藝應(yīng)用，將其用于下一代半導(dǎo)體制造,。

三星電子計劃在完成設(shè)備安裝后,，全面構(gòu)建 2 納米工藝生態(tài)系統(tǒng)。三星晶圓代工業(yè)務(wù)部負責人韓鎮(zhèn)萬強調(diào),，盡管公司在環(huán)繞柵極（GAA）工藝轉(zhuǎn)換上領(lǐng)先,，但在商業(yè)化方面仍需加速，2 納米工藝的快速量產(chǎn)是其首要任務(wù),。

全球半導(dǎo)體巨頭紛紛加速引入 High-NA EUV 設(shè)備,，英特爾（Intel）在 2023 年率先采購了 ASML 的首臺 High-NA EUV 設(shè)備，并已簽訂合同購買總計 6 臺,。據(jù)路透 . 社報道,，英特爾的前兩臺 High-NA EUV 設(shè)備已投入生產(chǎn)，每季度可處理 3 萬片晶圓,。

據(jù) BITS&CHIPS 報道,，英特爾預(yù)計將率先獲得 EXE:5200 設(shè)備用于其 14A 節(jié)點，而臺積電則計劃在 2028 年啟動 High-NA 量產(chǎn),。

據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)顯示,，盡管三星在 2023 年第四季度全球晶圓代工市場排名第二，但其收入環(huán)比下降 1.4%,，至 32.6 億美元,，市場份額僅為 8.1%。相比之下,，臺積電（TSMC）以 67% 的市場份額保持領(lǐng)先地位,。