《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于開路電壓的電池監(jiān)視器電路的編程及測試
摘要: 基于開路電壓(OCV)的電量計DS2786在出廠時將默認的OCV特性和默認配置加載到EEPROM中,。為了提高OCV電量計的精度并使DS2786適應(yīng)特定的應(yīng)用場合,,必要時需對DS2796的EEPROM進行再編程,。本文描述了如何對EEPROM進行編程及如何對已經(jīng)安裝好的電路板進行測試,。
Abstract:
Key words :

引言

基于開路電壓" title="開路電壓">開路電壓(OCV)的電量計" title="電量計">電量計DS2786在出廠時將默認的OCV特性和默認配置加載到EEPROM中。為了提高OCV電量計的精度并使DS2786適應(yīng)特定的應(yīng)用場合,,必要時需對DS2796的EEPROM進行再編程,。本文描述了如何對EEPROM進行編程及如何對已經(jīng)安裝好的電路板進行測試。

板極測試

下文給出了一個安裝電池包之前測試基于DS2786 OCV電路板的例子,。圖1為電路板的電路原理圖,,用到了DS2786的所有功能。圖中所有重要的測試點(共7個)都用帶圈數(shù)字標(biāo)出,。測試流程假定電路中的所有分立元件已經(jīng)過測試,,因此,,測試目的為確認線路連接,從而驗證安裝的電路板是否正確,。
 

                                                                             圖1. 必須驗證的電路節(jié)點


測試步驟1:測試初始化,。該步驟的目的是確定電路板中是否存在直接短路,是否能進行通信,。器件成功通信后可以讀取電壓寄存器讀數(shù),,以驗證SDA和SCL連接(節(jié)點1)、Pack+和VDD引腳之間的連接(節(jié)點2),,以及Pack-和VSS引腳(節(jié)點3)之間的連接是否正確,。此外,通過讀取電壓寄存器并確認測試是否有效,,可以驗證VIN引腳(節(jié)點4)連接是否正確,。

Pack+與Pack-間接4.0V電源。

等待880ms,。 等待電壓轉(zhuǎn)換,。

讀電壓寄存器: 2字節(jié)。

若未發(fā)生通信表明電路安裝失敗,。

若電壓讀數(shù)不正確表明電路安裝失敗,。

測試步驟2:驗證SNS (節(jié)點5)。通過有效的電流測試可驗證" title="可驗證">可驗證SNS引腳連接是否正確,。

Pack+與Pack-間接4.0V電源,。

Pack-與系統(tǒng)VSS間電流為1.0A。

等待880ms,。 等待電流轉(zhuǎn)換

讀電流寄存器: 2字節(jié),。

若電流讀數(shù)不準(zhǔn)確表明電路安裝失敗。

測試步驟3:驗證輔助輸入AIN0和AIN1連接(節(jié)點6),。通過有效的電阻測量可驗證AIN0和AIN1引腳連接是否正確,。這一步是可選的。

在PackID端與Pack-間接10kΩ電阻,。

在Therm端與Pack-間接10kΩ電阻。

Pack+與Pack-間接4.0V電源,。

等待880ms,。 等待輔助輸入轉(zhuǎn)換。

讀AIN0和AIN1: 4字節(jié),。

若AIN0/AIN1讀數(shù)不準(zhǔn)確表明電路安裝失敗,。

測試步驟4:驗證VPROG并對EEPROM編程(節(jié)點8)。需要提供一個測試點用于連接編程電壓至VPROG引腳,,以對DS2786的EEPROM進行編程,。通過寫EEPROM和復(fù)制EEPROM可以驗證該連接是否正確,,并驗證EEPROM是否已更新。EEPROM中包括了電流失調(diào)偏置寄存器(COBR),,因此在編程EEPROM之前校準(zhǔn)COBR是有益的,。

Pack+與Pack-間接4.0V電源。

校準(zhǔn)COBR,。 若希望進行COBR校準(zhǔn),,可以參看下文的詳細說明。

寫參數(shù)EEPROM區(qū): 32字節(jié),。

將參數(shù)復(fù)制到EEPROM,。

等待14ms。 等待復(fù)制EEPROM,。

向參數(shù)EEPROM區(qū)寫0xFFh: 31字節(jié)非存儲器地址0x7Dh)*,。

從EEPROM中調(diào)用參數(shù)。

讀參數(shù)EEPROM區(qū): 32字節(jié),。

如果從EEPROM中讀取到的32個字節(jié)都無法與原先寫入的32字節(jié)相匹配,,說明電路安裝失敗。

不要向存儲器地址7Dh寫入0xFFh,,否則從地址將變化并且器件將停止響應(yīng)當(dāng)前從地址,。

電流失調(diào)偏置寄存器的校準(zhǔn)

通過電流失調(diào)偏置寄存器,可在+3.175mV至-3.2mV間調(diào)節(jié)DS2786電流測量" title="電流測量">電流測量結(jié)果,,步長為25μV,。COBR的出廠默認值為0x00h。以下例子列出了校準(zhǔn)DS2786電流失調(diào)偏置寄存器的步驟:

給DS2786加電,,確保檢測電阻中無電流,。

向COBR中寫0x00h (存儲器地址0x60h)。

等待880ms,,直至下一個轉(zhuǎn)換周期到來,。

讀電流寄存器。

根據(jù)實際需要,,多次重復(fù)步驟3和步驟4,,直至獲得平均電流讀數(shù)。

將平均電流讀數(shù)的相應(yīng)值寫入COBR,。

將COBR值復(fù)制到EEPROM (該步驟應(yīng)與將所有值復(fù)制到EEPROM結(jié)合起來共同進行),。

總結(jié)

要對組裝好的基于OCV電量計DS2786進行正確驗證,需要測試電路" title="測試電路">測試電路中的每一個焊點,。測試步驟1,、2和3可以合為一個步驟以縮短測試時間,尤其是可以縮短轉(zhuǎn)換延遲時間。

此外,,測試期間對EEPROM編程可以提供更有效的測試流程,,同時可以提供足夠的時間施加保存參數(shù)(包括電流失調(diào)偏置)至EEPROM所需的編程電壓。

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