1、  引言

　　半導體功率器件失效的原因多種多樣,。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的,。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡稱SOA）使用引起的。因此全面了解SOA,，并在使用中將IGBT的最大直流電流IC和集電極—發(fā)射極電壓Vce控制在SOA之內(nèi)是十分重要的,。SOA分為正偏安全工作區(qū)（FBSOA）,、反偏安全工作區(qū)（RBSOA）、開關(guān)安全工作區(qū)（SSOA）和短路安全工作區(qū)（SCSOA）,。

　　2,、  各安全工作區(qū)的物理概念

　　IGBT的SOA表明其承受高壓大電流的能力，是可靠性的重要標志,。

　　2.1正偏安全工作區(qū)（FBSOA）

　　FBSO是處于Vge>閾值電壓Vth的輸出特性曲線的有源區(qū)之內(nèi),，如圖1所示。圖1中ABCDO所包圍的區(qū)域為直流安全工作區(qū),。AB段為tc=80℃限制的最大直流電流Ic,。B點對應的IC和Vce的乘積等于最大耗散功率Pcm。BC段為等功耗線,。CD段為二次擊穿限制的安全工作區(qū)的邊界,，此段不是等功耗。隨著Vce的增加功耗下降,，Vce越高功耗越低,。這說明高電壓強電場狀態(tài)更容易出現(xiàn)失效。

　　由圖1可見,，隨著脈沖寬度減小SOA擴大,。這里要說明的是手冊給的FBSOA，除DCSOA之外,。一定脈沖寬度下的脈沖SOA,，均是單脈沖安全工作區(qū)。而且FBSOA只考慮導通損耗,，不包括開關(guān)損耗,。所以FBSOA只適用功率放大器的A類、B類及短路工作沒有開關(guān)損耗的工作狀態(tài),。對于一定脈寬和占空比的連續(xù)工作,，其安全工作區(qū)應使用瞬態(tài)熱阻曲線的計算來確定,。

　　2.2反偏安全工作區(qū)（RBSOA）

　　RBSOA是表明在箝位電感負載時,，在額定電壓下關(guān)斷最大箝位電感電流Ilm的能力。Ilm一般是最大DC額定電流的兩倍,，而額定電壓接近反向擊穿電壓,。PT型IGBT和NPT型IGBT的反偏安全工作區(qū)略有不同。PT型IGBT的RBSOA是梯形SOA,，NPT型IGBT的RBSO是矩形SOA,。如圖2所示?？梢奛PT型IGBT,。在額定電壓下關(guān)斷箝位電感電流的能力強于PT型IGBT。因此，PT型IGBT不適用于電感負載電路和馬達驅(qū)動等電路,，而且短路持續(xù)時間TSC較短,，一般不給出短路安全工作區(qū)。所以,，NPT型IGBT的可靠性高于PT型IGBT,。

　　2.3開關(guān)安全工作區(qū)（SSOA）

　　開關(guān)字全工作區(qū)如圖3所示。由圖2和圖3可見,，SSOA和RBSOA相似,，都是矩形的。所不同的是RBSOA只考慮關(guān)斷時承受高電壓大電感電流的能力,。SSOA不僅考慮關(guān)斷狀態(tài),，同時也考慮開啟瞬間。所以SSOA兼顧FBSOA和RBSOA兩種狀態(tài)的考慮,。另外,，縱坐標的電流，RBSOA是Iim ,；而SSOA是最大脈沖電流Icm,。一個是最大箝位電感電流，一個是最大脈沖電流,。而且兩者在手冊中給出的數(shù)值又是相等的?，F(xiàn)在有的公司只給出SSOA，不再給出FBSOA和RBSOA,。在IGBT開啟時,，往往是Vce沒有降下來，Ic就達到負載電流Il,。在有續(xù)流作用時還要達到Ic +Ir r m,。Ir r m為續(xù)流二極管的最大反向恢復電流，因此導通過程也存在高壓大電流狀態(tài),。

　　2.4短路安全工作區(qū)（SCSOA）

　　SCSOA是IGBT C—E間處于高壓(額定反向電壓)下,，G—E間突然加上過高的柵壓Vg，過高Vg和高垮導的作用出現(xiàn)短路狀態(tài),，其短路電流ISC可高達10倍的額定電流IC,。這和SSOA的開通狀態(tài)比較相似，但ISC>Icm,。在整個短路時間Tsc中,，IGBT始終處于導通狀態(tài)。在此狀態(tài)下IGBT的耗能在四種安全工作區(qū)最大,，出現(xiàn)失效的幾率也最高,。SCSOA如圖4所示,。

　　3、  超SOA的失效機理

　　安全工作區(qū),，顧各思義工作在SOA內(nèi)是安全的,，超出將是不安全的，或引起失效,。由于四種安全工作區(qū)的偏置狀態(tài)不同,，超出SOA的失效機理也是不同的。FBSOA,、SCSOA和SSOA的開啟狀態(tài)均為正偏,，而RBSOA為反偏。眾所周知,，IGBT失效的主要原因是寄生SCR的鎖定（Latch-up）和超結(jié)溫tj工作出現(xiàn)的燒毀,。

　　（1）RBSOA的失效：在額定電壓下關(guān)斷箝位電感電流Ilm時,，由于關(guān)斷來自IGBT發(fā)射極的溝道電子電流,，寄生PNP管發(fā)射極注入到高阻漂移區(qū)（PNP管的是基區(qū)）的少子空穴一部經(jīng)過PNP管的基區(qū)從IGBT的發(fā)射極流出。當該空穴電流Ih在NPN管的基區(qū)電阻R b上壓降Ih·R≥0.7V時,，NPN管導通,，其共基極放大系數(shù)αnpn迅速增大。同時由于PNP管的集電極處于高壓,，集電結(jié)耗盡層寬度（Xm）很寬,，使PNP管的有效基區(qū)Wb變窄，α pnp也增大,。當α npn+α pnp1時出現(xiàn)動態(tài)鎖定而燒毀,。因此直角安全區(qū)是IGBT可靠性的重要標志。由圖2可見NPT型IGBT具有直角SOA,，而PT型IGBT是梯形安全工作區(qū),。這說明PT型IGBT在額定電壓下關(guān)斷的箝位電感電流Ilm比NPT型IGBT要小。其抗高壓大電流沖擊能力和短路能力都不如NPT型IGBT,。

　　對于SSOA的關(guān)斷失效機理和RBSOA的失效是相同的,。

　　對于FBSOA、SCSOA和SSOA的開啟狀態(tài),，三者都工作在有源區(qū)的高壓大電流狀態(tài),，因為處于正偏而瞬間電流為DC額定電流的2-10倍,。IGBT中寄生的NPN管和PNP管的α npn和α pnp均隨工作電流的增加而增大,。當α npn+αpnp1時出現(xiàn)靜態(tài)鎖定燒毀。

　?。?）SCSOA的失效：由于短路電流ISC可能高達10倍于直流額定電流,，在短路時間TSC內(nèi)產(chǎn)生的焦耳熱過量,，來不及消散而產(chǎn)生熱燒毀。

　　例如：100A 1200V的NPN型IGBT,，當TSC=10μs時產(chǎn)生的能量：

　　ESC=Vce·Ic·Tsc=12焦耳,。

　　該能量產(chǎn)生在P阱PN結(jié)耗盡層X m中，耗盡層中的電場ε=1200V/Xm,。這時,，Xm （1200V）約為200μm，所以ε=6×104V/cm,。定義εm≥3×104V/cm為強電場,，現(xiàn)在，ε>εm電子在強電場下的漂移速度達到飽和,。飽和的原因是強電場下光學波聲子散射,，通過光學波聲子散射將外電場的能量傳遞給遭散射的晶格。量子物理提出一個基本事實：“盡管在固體里面電子是在密集的原子之間高速運動,，只要這些原子按嚴格的周期性排列,，電子的高速運動并不遭受散射”。Si單晶片和外延片中的缺陷就是晶格周期排列的破壞,。缺陷密度大的部位散射截面就大,，這時，從外電場接受的能量就多,，該部位晶格振動就劇烈,，使晶格溫度t1升高。當t1大于硅的熔點(1415℃)時,，出現(xiàn)Si熔洞而燒毀,。這就是為什么燒毀的器件解剖后均發(fā)現(xiàn)Si熔洞的原因。這里我們從超出SCSOA的應用為例對燒毀機理做了上述分析,。對于超出SCSOA的應用為例對燒毀機理做了上述分析,。對于超出FBSOA、SSOA和RBSOA一樣,，只要偏置電壓和偏置電壓對應的耗盡層寬度Xm之比大于3×104V/cm,，均可能產(chǎn)生上述燒毀。

　　解剖發(fā)現(xiàn)Si熔洞的面積A si約100μm2~1mm2,。晶格溫度為：

T1=Ic·Vce·Tsc/Dsi ·Csii·Asi·X m       （1）

　　式中Dsi和Csi分別為Si比重和熱比,。Csi=0.7焦耳/克℃，Dsi=2.328克/cm3,。我們假設在10μs的短路時間內(nèi)產(chǎn)生能量的10%讓強散射區(qū)吸收,，并取Asi=1mm2，將相關(guān)數(shù)據(jù)代入（1）式得：t1=3600℃,。該溫度已大大超過Si的熔點1415℃,，難怪燒毀后的Si片出現(xiàn)熔洞,。

　　4、  短路持續(xù)時間Tsc和柵壓Vg,、集電極—發(fā)射極導通電壓Vce(on)越大Tsc的關(guān)系

　　圖5表示Tsc ~Vce (on)的關(guān)系曲線,，可見集電極—發(fā)射極導通電壓Vce（on）越大Tsc越長。圖6表示Vg和Isc,、Tssc的關(guān)系,，由圖6可見隨著Vg的增加Tsc下降而Isc上升。

　　從目前IGBT生產(chǎn)中所用Si材料來講,，有外延材料和高阻單晶材料兩種,。用外延材料生產(chǎn)的IGBT在高壓擊穿時耗盡層穿通高阻移區(qū)而稱為PT—IGBT。用高阻單晶片生產(chǎn)的IGBT,，由于高阻漂移區(qū)較厚,，高壓擊穿時不被穿通而稱為NPT—IGBT。從溝道來分有平面柵和溝槽兩類,。PT-IGBT又分為PT,、SPT（軟穿通）和FS（場中止）IGBT。PT,、SPT和FS-IGBT都有緩沖層,，F(xiàn)S實際也是緩沖層，其結(jié)內(nèi)電場為梯形分布,。PT,、SPT和FSIGBT可以做成平面柵，也可以做成溝槽柵,。溝槽柵具有更低的導通壓降Vce(on),。外延PT—IGBT的最高擊穿電壓為1200V。1700V以上的IGBT多用于高阻單晶材料,，其結(jié)構(gòu)為NPT結(jié)構(gòu),。NPT—IGBT可做成平面柵，也可做成溝槽柵,。加緩沖層的NPT結(jié)構(gòu)又稱FS—IGBT,。

　　從短路能力來講，外延片產(chǎn)生的PT,、SPT或FS—IGBT,，手冊中均沒給出SCSOA。不能滿足Isc/Ic=103Vg≥15V,，在額定電壓下Tsc達不到10μs,。此結(jié)構(gòu)的IGBT的Vce(on)為負溫度系數(shù)，不適于并聯(lián)使用，適于開關(guān)電源電路,。不適于有短路要求的馬達驅(qū)動電路和電壓型逆變電路,。用高阻單晶Si生產(chǎn)的NPN—IGBT和溝槽柵場終止IGBT都給出了短路額定值SCSOA,。在Tsc≤10μs,，NPT—IGBT在額定電壓下Isc/Ic=10，溝槽柵場終止IGBT Tsc≤10μs時,，Isc/Ic=4,。Tsc除了和結(jié)構(gòu)有關(guān)外，尚和IGBT自身的垮導gm以及使用的Vg有關(guān),。在Vg一定的情況下,，Gm越大Isc越高而Tsc越短。在不影響導通損耗的情況下,，適當降低Vg使其不要進入深飽和區(qū),，可降低Isc和增加Tsc。Tsc越長過流保護電路的設計越容易滿足,。

　　5,、  幾個問題的討論

　　5.1 如何評價IGBT的短路能力

　　短路安全工作區(qū)實際是脈沖寬度為Tsc的單脈沖工作狀態(tài)。單脈沖下的耗散功率為

Psc= t j –t c/Z th  (T sc)            （2）

　　式中t j和t c分別為結(jié)溫和殼溫,，Z th  (T sc)為脈寬下Tsc的單脈沖瞬態(tài)熱阻,。短路時：

　　Psc = Vce·Isc   代入（2）式得

Isc = t j –t c/Z th  (T sc)·Vce      （3）

　　或  Z th  (T sc) = t j –t c/Vce ·Isc    （4）

　　圖7是100A/1200V NPT—IGBT的瞬態(tài)熱阻曲線。

　　當已知Tsc時,，可求出脈寬為Tsc時的Z thjc,。這時，t j應為150℃,，t c="80"℃,，代入（3）式可求短路時間下的。由（4）式可求出Vce和Ise下的Z th  (T sc),。由可用圖7查找脈動沖寬度Tsc,。

　　例如：Tsc=10μ，Vce=1200V,，t j =150℃和t c =80℃時求可承受的短路Ise,。由圖7可查得Tsc=10μs時Z th  (T sc)=2.3×10-4℃/W，代入（3）得：Ise=253.6A,。若Ise=1000A,，Vce=1200V代入<4>式求出Z th  (T sc)=5.83×10-5℃/W，由圖7可知Tsc<10μs,。

　　5.2Vce(on)越高越長的討論

　　NTP-IGBT的Vce(on)大于PT-IGBT的Vce(on),。在額定電壓和電流相同情況下，NPT-IGBT的Vce(on)大的原因主要其高阻漂移區(qū)W n寬,，在額定電壓下對應的耗盡層寬度X m沒有完全穿透W n即W n>X m,。尚存在一定厚度的高阻區(qū)所致,。我們可以認為IGBT的導通電阻Rce(on)= Vce(on)/Ic。在一定的Ic下Vce(on)越高Rce(on)越大,。該電阻實際上是寄生PNP的管基區(qū)的縱向電阻,，它對由PNP管發(fā)射區(qū)P+注入來的空穴電流起到均流作用，這樣流過強電場區(qū)的空穴電流較均勻,，使得整個空間電荷區(qū)內(nèi)功率密度均勻,，減緩熱點的產(chǎn)生，從而延長了短路時間Tsc,。另外,，當出現(xiàn)過載或短路時劇增。在Rce(on)上的壓降增加,。這時耗盡層X m中的電壓為Vce(on)—Ic ·Rce(on),。所以Rce(on)（Vce(on)）越大，X m中的電場子越弱T1也就越低,，Tsc就越長,。

　　5.3為什么PT—IGBT不能用于馬達驅(qū)動電路

　　PT—IGBT手冊中均沒有給出SCSOA。也不希望用在有短路出現(xiàn)的電路,。正如前述PT—IGBT是用高阻厚外延Si片產(chǎn)生的,。高阻厚外延是重摻雜P+單晶片上，通過外延技術(shù)生長N+和N-外延層,。重摻雜P+單晶片本身缺陷就較多,，而外延生長過程中又要引進大量的層錯、位錯外延缺陷,。所以PT—IGBT在高壓（強電場）大電流下工作,，強散射區(qū)較多，容易產(chǎn)生發(fā)熱點,，在較低能量狀態(tài)下則出現(xiàn)燒毀,。這就是說短路時間Tsc和IGBT生產(chǎn)材料、工藝及結(jié)構(gòu)有重大關(guān)系,。

　　6 結(jié)語

　　半導體器件失效機理是一個比較復雜的問題,，現(xiàn)在正處于認識的不斷深化階段，本文提出強電場機理,，僅供分析中參考,。