1 TNY256的性能特點

　　·內(nèi)置自動重啟電路,，不需外接元件，一旦發(fā)生輸出短路或控制環(huán)開路故障,，可將占空比降低以保護芯片,。

　　·在輸入直流高壓電路中，不需要使用瞬態(tài)電壓抑制器構成的鉗位保護電路,，僅用簡單的RC吸收回路即可衰減視頻噪聲。

　　·輸入欠壓檢測電路僅需外接1只電阻,，目的是在上電時將片內(nèi)的功率MOSFET關斷,，直到直流輸入電壓VI達到欠壓保護門限電壓（100V）為止；正常工作后若VI突然降低,，對芯片也能起到保護作用,。

　　·開關頻率抖動可降低電磁輻射。

　　·輸入電壓范圍寬（85～265VAC或120～375VDC）且交,、直流兩用,。效率高，265VAC輸入時的空載功耗低于100mW,。

　　·控制方式簡單,。采用開/關控制器來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的PWM脈寬調(diào)制器對輸出電壓進行調(diào)節(jié)，開關控制器可等效為脈沖頻率調(diào)制器（PFM）,，其調(diào)節(jié)速度更快,，對紋波的抑制能力也更強,。

　　·外圍電路簡單，可選用低成本的外圍元件,。無論在啟動時還是正常工作時,，芯片所消耗的能量均由漏極電源提供，無需再加反饋繞組及相關電路,，也不用回路補償,。

　　·利用使能端可從部關斷功率MOSFET，采用跳過時鐘周期的方式來調(diào)節(jié)負載電壓,，并且在快速上電時輸出電壓無過沖現(xiàn)象,，掉電時，功率MOSFET也不會出現(xiàn)頻率倍增現(xiàn)象,。

　　·高效,、小功率輸出，適合構成0～16W的小功率,、低成本開關電源,。

　　2 TNY256的封裝及引腳功能

　　TNY256的三種封裝形式如圖1所示。該器件實際上只有4個有效引腳,，D,、S分別為功率MOSFET的漏極和源極；同時S也是控制電路的公共端,。BP（BYPASS）為旁路端,，該端與地（S極）間需接一只0.1μF的旁路電容器，通過漏極和內(nèi)部電路產(chǎn)生5.8V的電源電壓給該芯片供電,。EN/UV為使能/欠壓端,，正常工作時由此端控制內(nèi)部功率MOS管的通斷，當IEN≥50μA時,，MOSFET關斷,，該端還可用于輸入欠壓檢測，具體方法是將EN/UV端經(jīng)一只2MΩ的電阻器接VI,。

　　3 TNY256的工作原理

　　TNY256內(nèi)含一個700V功率MOSFET開關管和一個電源控制器,，與傳統(tǒng)的PWM脈寬調(diào)制控制方式不同，該器件采用簡單的開/關控制來調(diào)節(jié)輸出電壓使之穩(wěn)定,。TNY256的內(nèi)部結構如圖2所示,，主要包括振蕩器、使能輸入,、5.8V穩(wěn)壓器,、BP腳欠壓保護電路、過熱保護電路,、過流保護電路,、自動重啟動計數(shù)器,、輸入欠壓檢測電路、700V功率MOSFET,。

　　3．1 振蕩器

　　TNY256內(nèi)部有完整的振蕩電路,，無需外接阻容元件。內(nèi)部振蕩器的典型頻率設為130kHz,，振蕩器將產(chǎn)生兩個信號：一個是最大占空比信號DCMAX,，另一個是時鐘信號CLOCK，作為每個周期的起始信號,。振蕩器還具有頻率抖動功能,，頻率抖動的典型值為5kHz，頻率抖動的調(diào)制頻率設為1kHz,，以便最大限度地降低EMI,。

　　3．2 使能輸入

　　和EN/UV相連的使能輸入電路包含一個低阻抗的源極輸出器，設定其輸出為1.5V,。流過源極輸出器的電流被限制為50μA,，并有10μA的滯后特性。當從EN/UV引腳流出的電流超過50μA時,，使能電路的輸出端產(chǎn)生一個低電平將功率MOSFET關斷,。在每個時鐘信號的上升沿（即每個周期的開始時刻），要對使能檢測電路的輸出進行取樣,，如為高電平,，則功率MOSFET導通，如為低電平,，則功率MOSFET截止,。

　　3．3 5.8V穩(wěn)壓器

　　該穩(wěn)壓器的輸入端接MOSFET的漏極，輸出端接0.1μF的旁路電容器CBP,。當MOSFET截止時,，5.8V穩(wěn)壓器對CBP充電,使VBP=5.8V，當MOSFET導通時,，改由CBP上儲存的電能向芯片供電，CBP除用來存儲電能外,，還兼有高頻退耦的作用,。

　　
　　3．4 BP腳欠壓保護電路

　　當VI下降而導致BP腳電壓低于5.1V時，功率MOSFET將被關斷,，起到輸入欠壓保護的作用,。直到BP腳電壓恢復到5.8V，MOSFET才能正常工作,。

　　3．5 過熱保護電路

　　芯片閾值結溫設定為135℃,，并有70℃的滯回特性,，一旦芯片結溫超過135℃，立即關斷功率MOSFET,，使芯片溫度降低,。

　　3．6 過流保護電路

　　當流過功率MOSFET中的電流超過極限電流ILIMTT時，該電路將關斷功率MOSFET,。

　　為了防止因初級電容器或次級超快恢復二極管在反向恢復時間內(nèi)產(chǎn)生類峰電壓,，而造成功率MOSFET誤關斷，專門設置了前沿閉鎖電路,。它能在功率MOSFET則導通的短時間（tLED）內(nèi)將過流比較器輸出的尖峰電壓封鎖掉,，可避免功率MOSFET在剛導通后又被類峰電壓關斷而產(chǎn)生誤動作。

　　3．7 自動重啟計數(shù)據(jù)

　　當電路發(fā)生輸出過載,、輸出短路或控制環(huán)開路等故障時,，TNY256進入自動重啟工作狀態(tài)。當EN/UV腳變?yōu)榈碗娖綍r,，內(nèi)部計數(shù)器被復位,。如在32ms內(nèi)EN/UV腳沒有變?yōu)榈碗娖剑谡Ｇ闆r下功率MOSFET將會停止工作128ms(如在欠壓情況下,，它會一直停止工作直到欠壓消除),。在故障沒有排除之前，自動重啟計數(shù)器將交替代功率MOSFET工作和不工作,。

　　3．8 輸入欠壓檢測電路

　　將一外接電阻器（2MΩ）連接在VI和EN/UV腳即可監(jiān)視輸入電壓,，在上電時將功率MOSFET關斷，直到直流輸入電壓V1達到欠壓保護閾值（100V）為止,；正常工作后如VI突然降低,，也會將功率MOSFET關斷，起到保護作用,。在自動重啟狀態(tài)下功率MOSFET將停止工作,，此時哪存在欠壓條件，自動重啟動計數(shù)器將停止計數(shù),。

　　如EN/UV腳未接外部電阻器,，則輸入欠壓檢測功能將被禁止。

　　4 TNY256的典型應用

　　由TNY256組成的5.5W,、9VDC電源適配器電路如圖3所示,，交流輸入電壓范圍為85～265V。圖中U2為光磁耦合器SFH615-2,，U3為可調(diào)式并聯(lián)精密穩(wěn)壓器TL431CLP,，F(xiàn)1為保險絲電阻器。85～265V交流電經(jīng)過D1～D4橋式整流和C1,、C2濾波后,，得到約300V的直流高壓VI,。鑒于在功率MOSFET關斷瞬間，脈沖變壓器的漏感會產(chǎn)生尖峰電壓,，因此,，由電阻器R3、C3和超快恢復二極管D5（1N4937）組成的功率MOSFET漏極鉗位保護電路,，可有效抑制漏極上的反向峰值電壓,，從而保護TNY256內(nèi)的功率MOSFET不受損壞。C3選用10000pF/1kV的高壓陶瓷電容器,。

　　次級電壓通過D6,、C6、C7,、L3和C8整充濾波后,，得到9V、0.6A的直流輸出,。D4采用MBR360的肖特基二極管,。為了抑制初、次級之間的共模干擾,，在初,、次級的同名端還并聯(lián)一只2200pF/2kV的高壓陶瓷電容C5。輸出電壓由精密電阻R7,、R8決定,，電阻R9為TL431的限流電阻。

　　5 TNY256的使用注意事項

　　TNY256在中等負載或輕負載下工作時會跳過一些時鐘周期,，這容易使高頻變壓器產(chǎn)生音頻噪聲干擾,。為減小此干擾，宜選磁通密度小于0.3T的磁芯材料,。此外,，最好用TVS二極管和陶瓷電容構成的漏極箝位保護電路來衰減視頻噪聲。

　　使用TNY256系列時推薦的一種印制板設計如圖4所示,。

　　設計時需注意以下幾點：

　　·連接輸入濾波電容器,、高頻變壓器初級如TNY256回路的覆銅面積應盡量小。

　　·DIP-8封裝的TNY256系列電路是靠覆銅接地來散熱的,，圖中打斜線的面積要足夠大,，確保散熱良好。

　　·安全電容器要直接焊接在初級接地端和次級返回端之間,。

　　·連接次級線圈、輸出級整流管和濾波電容器的回路面積應盡量小,，但整流管焊盤附近的覆銅要足夠大,，以確保散熱良好,。

　　·為減小耦合噪聲，光耦晶體管到EN/UV腳和源極S腳的布線要盡可能短,。欠壓檢測電阻器要盡可能靠近EN/UV腳,。