DDR3內(nèi)存相對(duì)于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高,，并沒(méi)有真正的全面換代的新架構(gòu),。DDR3同DDR2接觸針腳數(shù)目相同。但是防呆的缺口位置不同,。DDR3在大容量?jī)?nèi)存的支持較好,，而大容量?jī)?nèi)存的分水嶺是4GB這個(gè)容量，4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限（不考慮PAE等等的內(nèi)存映像模式,，因這些32位元元延伸模式只是過(guò)渡方式,，會(huì)降低效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過(guò)4GB的時(shí)候,，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案,，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。DDR3 UB DIMM 2007進(jìn)入市場(chǎng),，成為主流時(shí)間點(diǎn)多數(shù)廠商預(yù)計(jì)會(huì)是到2010年,。
1、邏輯Bank數(shù)量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的就是為了應(yīng)對(duì)未來(lái)大容量芯片的需求,。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,，因此起始的邏輯Bank就是8個(gè)，另外還為未來(lái)的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備,。
2,、封裝（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會(huì)有所增加,，8bit芯片采用78球FBGA封裝,，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格,。并且DDR3必須是綠色封裝,，不能含有任何有害物質(zhì)。
3,、突發(fā)長(zhǎng)度（BL,，Burst Length）
由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（BL,，Burst Length）也固定為8,，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的,，DDR3為此增加了一個(gè)4-bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式,，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線來(lái)控制這一突發(fā)模式,。而且需要指出的是,，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止,，且不予支持,，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）,。
3,、尋址時(shí)序（Timing）
就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣,，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間,，而DDR3則在5至11之間,，且附加延遲（AL）的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0至4,，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0,、CL-1和CL-2。另外,，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫(xiě)入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定,。
4,、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能,，并為此專門(mén)準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界已經(jīng)很早以前就要求增這一功能,，如今終于在DDR3身上實(shí)現(xiàn)。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單,。當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3內(nèi)存將停止所有的操作,，并切換至最少量活動(dòng)的狀態(tài),，以節(jié)約電力。在Reset期間,，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所以有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉,。所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作,，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的,。
5、新增功能——ZQ校準(zhǔn)
ZQ也是一個(gè)新增的腳,，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集,，通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎（ODCE,，On-Die Calibration Engine）來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令之后,，將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期（在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期,，在退出自刷新操作后用256時(shí)鐘周期,、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期）對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。
6,、參考電壓分成兩個(gè)
對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF，在DDR3系統(tǒng)中將分為兩個(gè)信號(hào),。一個(gè)是為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA，另一個(gè)是為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ,，它將有效的提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí),。
7,、根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
為了保證所保存的數(shù)據(jù)不丟失,，DRAM必須定時(shí)進(jìn)行刷新,，DDR3也不例外,。不過(guò),，為了最大的節(jié)省電力,，DDR3采用了一種新型的自動(dòng)自刷新設(shè)計(jì)（ASR，Automatic Self-Refresh）,。當(dāng)開(kāi)始ASR之后,，將通過(guò)一個(gè)內(nèi)置于DRAM芯片的溫度傳感器來(lái)控制刷新的頻率,，因?yàn)樗⑿骂l率高的話，消電就大,，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數(shù)據(jù)不丟失的情況下,，盡量減少刷新頻率,，降低工作溫度。不過(guò)DDR3的ASR是可選設(shè)計(jì),，并不見(jiàn)得市場(chǎng)上的DDR3內(nèi)存都支持這一功能，因此還有一個(gè)附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT,，Self-Refresh Temperature）,。通過(guò)模式寄存器，可以選擇兩個(gè)溫度范圍,，一個(gè)是普通的的溫度范圍（例如0℃至85℃），另一個(gè)是擴(kuò)展溫度范圍,，比如最高到95℃。對(duì)于DRAM內(nèi)部設(shè)定的這兩種溫度范圍,，DRAM將以恒定的頻率和電流進(jìn)行刷新操作,。
8,、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
這是DDR3的一個(gè)可選項(xiàng),，通過(guò)這一功能,，DDR3內(nèi)存芯片可以只刷新部分邏輯Bank,，而不是全部刷新，從而最大限度的減少因自刷新產(chǎn)生的電力消耗,。這一點(diǎn)與移動(dòng)型內(nèi)存（Mobile DRAM）的設(shè)計(jì)很相似,。
9、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接（P2P,，Point-to-Point）
這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行了重要改動(dòng),，也是與DDR2系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中,，一個(gè)內(nèi)存控制器將只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道,，而且這個(gè)內(nèi)存通道只能一個(gè)插槽。因此內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)（P2P,，Point-to-Point）的關(guān)系（單物理Bank的模組）,，或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)（P22P，Point-to-two-Point）的關(guān)系（雙物理Bank的模組）,，從而大大減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載,。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似,，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM（臺(tái)式PC）,、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分,，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級(jí)內(nèi)存緩沖器）,。不過(guò)目前有關(guān)DDR3內(nèi)存模組的標(biāo)準(zhǔn)制定工作剛開(kāi)始，引腳設(shè)計(jì)還沒(méi)有最終確定,。
10.省電：DDR3 Module電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V,，同頻率下比DDR2更省電，搭配SRT（Self-Refresh Temperature）功能,，內(nèi)部增加溫度senser,，可依溫度動(dòng)態(tài)控制更新率（RASR,，Partial Array Self-Refresh功能），達(dá)到省電目的,。
除了以上9點(diǎn)之外，DDR3還在功耗管理,，多用途寄存器方面有新的設(shè)計(jì)，但由于仍入于討論階段,，且并不是太重要的功能,，在此就不詳細(xì)介紹了
