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??? 新25V芯片組結(jié)合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù),,在SO-8占位面積及0.7mm纖薄設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高密度、單控制和單同步MOSFET解決方案,。新的IRF6710S2,、IRF6795M和IRF6797M器件的特點(diǎn)包括:非常低的導(dǎo)通" title="導(dǎo)通">導(dǎo)通電阻 (RDS(on))、柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) ,,以實(shí)現(xiàn)高效率和散熱性能,,并可實(shí)現(xiàn)每相超過25A的工作。 ??? IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IRF6710S2控制MOSFET具備極低" title="極低">極低的柵極電阻 (Rg) 及電荷,,而且當(dāng)與IRF6795M和IRF6797M這些集成了肖特基整流器的同步MOSFET共同設(shè)計(jì)時(shí),,能夠?qū)崿F(xiàn)高頻、高效DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案,,在整個(gè)負(fù)載范圍發(fā)揮卓越性能,。” ??? IRF6710S擁有0.3Ω的極低柵極電阻和3.0 nC的超低米勒電荷 (Qgd) ,,可以大幅減低開關(guān)損耗,,使這些器件非常適合作為控制MOSFET使用。 ??? IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on),,可以顯著減少導(dǎo)通損耗,,而集成的肖特基整流器可以降低二極管導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗,使這些新器件" title="新器件">新器件非常適合大電流同步MOSFET電路,。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面積,,能輕易由原有SyncFET器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 產(chǎn)品基本規(guī)格如下:
? 詳細(xì)信息可以登錄IR 網(wǎng)站查詢:http://www.irf.com/whats-new/nr080710.html,。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (RoHS),,并已接受批量訂單。
國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱IR,,紐約證交所代號(hào)IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商,。IR的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件,、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能運(yùn)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ,,是眾多國(guó)際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī),、節(jié)能電器、照明設(shè)備,、汽車,、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn),。 IR成立于1947年,,總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯,在二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處,。IR全球網(wǎng)站:www.irf.com,,亞洲網(wǎng)站:www.irf-asia.com ,中國(guó)網(wǎng)站:www.irf.com.cn,。 |