0 引言

　　近幾年，隨著電子消費產(chǎn)品需求的日益增長,，功率MOSFET的需求也越來越大,。其中，TMOS由于溝道是垂直方向,，在相同面積下,，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低,，同時又具有較低的柵－漏電荷密度,、較大的電流容量，從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度,，被廣泛地應(yīng)用在低壓功率領(lǐng)域,。

　　低壓TMOS的導(dǎo)通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導(dǎo)通電阻,，同時不降低器件其他性能,，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距,，在相同的面積下,，增加元胞的集成度?；诖?，本文借助了溝槽式接觸概念以及突起式多晶硅結(jié)構(gòu)來克服由尺寸縮小引發(fā)的溝道穿通效應(yīng)。最終通過試驗,，成功開發(fā)出柵極電壓為4.5 V,、工作電流5 A時，Rdson·A為9.5 mΩ·mm2,、漏源擊穿電壓大于20 V,、開啟電壓0.7 V、元胞間距1.4μm的n型TMOS,。

　　1 器件仿真與工藝實現(xiàn)

　　通過圖1中傳統(tǒng)TMOS的截面圖和突起式溝槽工藝截面圖的比較,，可以看到傳統(tǒng)的工藝是利用光刻工藝以掩模版形成器件源區(qū)(n+)，但是當(dāng)尺寸不斷縮小以后,，源區(qū)掩模版形成的光刻膠尺寸隨之變小,，在后續(xù)的離子注入工藝中，增加了光刻膠脫落的風(fēng)險,，這就意味著單位元胞中本該被光刻膠掩蔽的有源區(qū)會被注入As+離子，從而產(chǎn)生寄生的npn三極管,，導(dǎo)致器件工作時漏電增加,，嚴(yán)重情況下會導(dǎo)致器件完全失效,。本文采用溝槽式接觸這一概念，當(dāng)源區(qū)注入時,，有源區(qū)不保留光刻膠,，As+離子完全注入，之后利用接觸孔掩模版直接刻蝕掉多余的As+離子注入?yún)^(qū)域,，完全避免了傳統(tǒng)工藝下產(chǎn)生寄生npn三極管的風(fēng)險,，如圖1(b)中新型TMOS結(jié)構(gòu)所示。

　　當(dāng)單位元胞相鄰間距為1.4 μm工藝時,，由于設(shè)計的溝道長度大約為0.5μm,，源區(qū)結(jié)深大致為0.3μm，不得不考慮到傳統(tǒng)工藝下源區(qū)注入時,，多晶硅刻蝕工藝波動所帶來的器件性能下降的風(fēng)險,。在傳統(tǒng)工藝中，當(dāng)多晶硅淀積完成后,，須通過刻蝕來形成柵極區(qū)域,，但是多晶硅去除量難以精準(zhǔn)控制，同時考慮到刻蝕工藝面內(nèi)均勻性的特點,，Si片內(nèi)中心與邊緣的去除量無法保證相同,，從而為隨后的源區(qū)注人工藝留下了潛在的風(fēng)險。如圖2傳統(tǒng)TMOS與突起式TMOS工藝比較圖2(e)所示,，當(dāng)源區(qū)注入時,，如果柵極多晶硅刻蝕量過多，會導(dǎo)致源區(qū)高濃度的As+離子從柵極邊緣注入到溝道中,，間接地減少了溝道長度,，從而降低了閾值開啟電壓(Vth)，尤其當(dāng)溝道長度較短時,，甚至?xí)?dǎo)致器件在正常工作狀態(tài)時發(fā)生漏源間穿通效應(yīng),，最終導(dǎo)致器件失效。本文采用K·Shenai的突起式結(jié)構(gòu),，在形成溝槽之后,，先保留之前所生長的氧化層，然后直接生長柵極氧化膜和多晶硅,，在柵極多晶硅形成后,，才將先前生長的氧化層去掉，由此便形成了突起式多晶硅結(jié)構(gòu),，從而可以保證在隨后的源區(qū)As+離子注入時,，As+離子無法從溝槽側(cè)壁注入到溝道中，從根本上避免了發(fā)生源漏極之間穿通的可能性,，降低了器件對刻蝕工藝的依賴程度,。這點在器件柵極氧化膜厚度較薄的情況下尤其明顯,，此時如果采用傳統(tǒng)工藝，源區(qū)離子注入時,，As+離子更容易從側(cè)壁注入到溝道中,，從而影響溝道長度。

 

　　本文通過綜合運用溝槽式接觸以及突起式結(jié)構(gòu)這兩個技術(shù),，得到了漏源間擊穿電壓大于20 V,、閾值開啟電壓0.7 V、柵極擊穿電壓大于12 V以及在柵極電壓4.5 v,、工作電流5 A時導(dǎo)通電阻Rdson·A為9.5 mΩ·mm2的n型TMOS,。圖3是運用SILVACO公司的Athena工藝仿真軟件所模擬出來的器件結(jié)深示意圖以及外延層中的凈摻雜離子濃度曲線，可以看出,，溝道長度大致0.5μm,，源區(qū)結(jié)深為0.3μm。

　　2結(jié)果與討論

　　為了驗證這一理論,，特別設(shè)計了在傳統(tǒng)工藝下,，柵極頂部到外延層表面的多晶硅去除量(130 nm／230 nm／310 nm)的試驗。通過器件的電性能參數(shù)比較,，如圖4(a)所示,，可以看到，隨著多晶硅去除量的增加,，閾值開啟電壓隨之降低,，說明了器件溝道有效長度變短，源區(qū)離子通過側(cè)壁注入到溝道中,，源區(qū)結(jié)深在溝道表面變深,。同時由圖4(b)可知，漏源間漏電流也有明顯的區(qū)別,，當(dāng)多晶硅去除量在310 nm時,，從累積概率圖中可以看到有部分區(qū)域漏電流增大，這一現(xiàn)象隨著多晶硅去除量的減少而逐步消失,，從而驗證了溝道有效長度與多晶硅去除量有很強的相關(guān)性,。由此可見，為了減少器件性能與刻蝕工藝的相關(guān)性,，采用突起式多晶硅技術(shù)是非常必要的,。圖5是采用透射電子顯微鏡所得到的突起式TMOS實際截面圖?？梢钥吹皆谠搱D中的突起式多晶硅結(jié)構(gòu)以及溝槽式接觸,，單位元胞相鄰間距為1.4μm的n型TMOS，單個芯片有源區(qū)面積為0.4 nm2，并采用TSOP6封裝,。圖6(a),、(b)分別是器件擊穿電壓曲線以及輸出特性曲線,。由圖6(a)可以看到,，當(dāng)漏端漏電流為250μA時，擊穿電壓為24 V,，滿足大于20 V的設(shè)計需要,，由圖6(b)可以看到，當(dāng)柵極開啟電壓為4.5 v,、工作電流為5 A時,，對應(yīng)的導(dǎo)通電阻大致為23.75 mΩ。由于芯片有源區(qū)設(shè)計尺寸為0.4 mm2,，最終Rdson·A為9.5 mΩ·mm2

　　3 結(jié)語

　　當(dāng)相鄰單位元胞尺寸不斷縮小后,，尤其在設(shè)計柵極氧化膜較薄的器件時，在傳統(tǒng)的TMOS工藝中,，源區(qū)注入會穿透柵極側(cè)壁影響器件性能,。采用突起式結(jié)構(gòu)可以有效地避免刻蝕工藝及源區(qū)注入對較短溝道器件的間接影響，消除了器件穿通的風(fēng)險,，保證了器件的穩(wěn)定性能和可重復(fù)性,。