《電子技術(shù)應(yīng)用》
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設(shè)計開關(guān)電流電路延遲線
摘要: 本文詳細(xì)分析了第二代開關(guān)電流存儲單元存在的問題,,提出了改進方法,,并設(shè)計了延遲線電路。此電路可以精確地對信號進行采樣并延遲任意時鐘周期,。解決了第二代開關(guān)電流存儲單元產(chǎn)生的誤差,,利用此電路可以方便地構(gòu)造各種離散時間系統(tǒng)函數(shù)。
Abstract:
Key words :

  O 引言

  開關(guān)電流技術(shù)是近年來提出的一種新的模擬信號采樣,、保持,、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比,,開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運算放大器,,整個電路均由MOS管構(gòu)成,因此可與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝兼容,,可與數(shù)字電路使用相同工藝,,并集成在同一塊芯片上,所以也有人稱之為數(shù)字工藝的模擬技術(shù),。但是開關(guān)電流電路中存在一些非理想因素,,如時鐘饋通誤差和傳輸誤差,它直接影響到電路的性能,。

  本文詳細(xì)分析了第二代開關(guān)電流存儲單元存在的問題,,提出了改進方法,并設(shè)計了延遲線電路,。此電路可以精確地對信號進行采樣并延遲任意時鐘周期,。解決了第二代開關(guān)電流存儲單元產(chǎn)生的誤差,,利用此電路可以方便地構(gòu)造各種離散時間系統(tǒng)函數(shù)。

  1 第二代開關(guān)電流存儲單元分析

  第二代開關(guān)電流存儲單元,,在φ1(n-1)相,,S1,S2閉合,,S3斷開,,晶體管M連成二極管形式,輸入電流ii與偏置電流I之和給柵源極間電容C充電,。隨著充電的進行,,柵極電壓vgs達(dá)到使M能維持整個輸入電流的電平,柵極充電電流減至零,,達(dá)到穩(wěn)態(tài),,此時M的漏極電流為:

公式

  在φ2(n)相,,S1,,S2斷開,S3閉合,,此時輸出端電流為:

公式

  Z域傳輸函數(shù)為:

公式

  綜上可看出,,晶體管M既作為輸入存儲管又作為輸出管,輸出電流i0僅在φ2相期間獲得,。

  2 延遲線

  從結(jié)果來看,,由于時鐘饋通誤差和傳輸誤差的存在,第二代開關(guān)電流存儲單元(以下簡稱基本存儲單元)輸出波形嚴(yán)重失真,,尤其是級聯(lián)后的電路失真更加嚴(yán)重,,無法應(yīng)用到實際中,所以,,設(shè)計延遲線電路,。

  電路原理如下:電路是一個由N+1個并聯(lián)存儲單元組成的陣列,且由時鐘序列控制,。在時鐘的φ0,。相,存儲單元M0接收輸入信號,,而單元M1提供其輸出,。類似的,在φ1相,,單元M1接收輸入信號,,單元M2提供其輸出。這個過程一直持續(xù)到單元MN接收其輸入信號,,單元M0提供其輸出信號為止,,然后重復(fù)循環(huán),。顯然,每個單元都是在其下一個輸入之前一個周期,,即在其前一個輸出相N個周期(NT)之后,,提供輸出信號。如取N=1,,則延遲線是一個反相單位延遲單元,,或連續(xù)輸入信號時,它是一個采樣保持電路,,此時,,延遲線電路和基本存儲單元相同。請注意,,對于循環(huán)的N-1個時鐘相,,每個存儲單元既不接收信號也不提供信號。在這些時刻,,存儲晶體管上的漏電壓值變化到迫使每個偏置電流和保持在其有關(guān)存儲晶體管中的電流之間匹配,。給出Z域傳輸函數(shù)為:

公式

  用基本存儲單元級聯(lián)延遲N個周期,則需要2N個基本存儲單元級聯(lián),,并且電路的時鐘饋通誤差和傳輸誤差會隨著N的增加越來越嚴(yán)重,,到最后原信號將淹沒在誤差信號中。延遲線電路若要實現(xiàn)信號延遲N個時鐘周期,,則需要N+1個并聯(lián)存儲單元組成,,并且需要N+1種時序。由于這種電路結(jié)構(gòu)不需要級聯(lián),,所以并不會像基本存儲單元級聯(lián)那樣使得時鐘饋通誤差和傳輸誤差越來越大,。但是時鐘饋通誤差和傳輸誤差仍然存在,以下給出解決辦法,。

  3 時鐘饋通誤差及傳輸誤差的改善

  3.1 時鐘饋通誤差的改善

  改善時鐘饋通誤差可采用S2I電路,。它的工作原理為:在φ1a相,Mf的柵極與基準(zhǔn)電壓Vref相連,,此時Mf為Mc提供偏置電流JoMc中存儲的電流為ic=I+ii,。當(dāng)φ1b由高電平跳變?yōu)榈碗娖綍r,由于時鐘饋通效應(yīng)等因素造成Mc單元存儲的電流中含有一個電流誤差值,,假設(shè)它為△ii,,則Mc中存儲的電流為ic=J+ii+△ii。在φ1b相期間,,細(xì)存儲管Mf對誤差電流進行取樣,,由于輸入電流仍然保持著輸入狀態(tài),所以Mf中存儲的電流為If=J+△ii,。當(dāng)φ1b由高電平跳變?yōu)榈碗娖綍r,,考慮到△ii<<J,,所以可以認(rèn)為Mf和Mc的漏極端子為“虛地”端,即此時Mf和Mc的漏極端電壓與沒有信號輸入時的電壓非常接近,。在φ2相為高電.平期間,,由φ1b的時鐘饋通效應(yīng)在Mf產(chǎn)生的誤差電流為δi,則If=I+△ii+δi,,由于δi是由△ii產(chǎn)生的,,且δi<<△ii,所以輸出電流io=If-Ic=-ii+δi,,由于△ii已經(jīng)被抵消,,而δi很小,所以可以認(rèn)為輸出電流與輸入電流相等,。

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