隨著軍事電子技術(shù)的飛速發(fā)展,，對(duì)武器裝備的多功能與小型化、可靠性要求越來(lái)越高,。相控陣?yán)走_(dá),、多通道接收機(jī)、雷達(dá)陣列處理技術(shù)都迫切需要小型化,、可靠性高,、一致性好的雷達(dá)接收機(jī)。
　　針對(duì)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,、體積大,、重量重的雷達(dá)接收機(jī)，本文提出了一種新型的輕小型化雷達(dá)接收機(jī),，通過(guò)采用單片集成電路,、微型封裝的表面貼裝器件，利用先進(jìn)的微組裝" title="微組裝">微組裝技術(shù)和封裝工藝組裝各種微型化片式元器件和半導(dǎo)體集成電路,，重點(diǎn)解決了接收機(jī)中的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),、系統(tǒng)設(shè)計(jì)和干擾等技術(shù)問(wèn)題，研制成輕小型化的雷達(dá)接收機(jī),。
1 多層基板技術(shù)
　　多層基板技術(shù)是制作多芯片組件(MCM)的關(guān)鍵技術(shù),。基本類型有MCM－L(疊層型多芯片組件),、MCM－C(陶瓷厚膜型多芯片組件),、MCM－D(淀積薄膜型多芯片組件)等,。
1.1 陶瓷厚膜型多芯片組件(MCM－C)
　　MCM－C是在高密度厚膜多層布線或共燒陶瓷多層互連基板上組裝多個(gè)片式元器件和芯片構(gòu)成的。其優(yōu)點(diǎn)是布線層數(shù)多,，布線密度,、封裝效率和性能均較高，可以用于高工作頻率,。MCM－C采用陶瓷多層基板,。陶瓷多層基板分為厚膜多層(TFM)基板與共燒陶瓷多層基板兩類。
1.2 共燒陶瓷多層基板
　　共燒陶瓷多層基板可分為高溫共燒陶瓷(HTCC)多層基板和低溫共燒陶瓷(LTCC)多層基板兩種,。陶瓷多層基板技術(shù)的基礎(chǔ)是厚膜技術(shù)和陶瓷多層技術(shù),。陶瓷多層基板包括元器件安裝層(頂層)、信號(hào)層,、電源層,、接地層和對(duì)外連接層(底層)等幾部分，陶瓷介質(zhì)位于各導(dǎo)體層之間,，起電絕緣作用,。
　　頂層含各種焊盤(pán)，用以安裝相應(yīng)的電子元器件,。為了提高組裝密度,，可以采用雙面安裝多層基板，即在基板的頂面和底面都安裝電子元器件,。多層基板的信號(hào)層設(shè)置在頂層下方,，主要布置元器件之間的互連線，層數(shù)視組件規(guī)模和布線密度而定,。電源層和接地層一般都獨(dú)立設(shè)置,，可按組件電性能的要求進(jìn)行設(shè)計(jì)。陶瓷基板的以上各層由垂直通孔進(jìn)行互連,。
2 多芯片組件(MCM)
　　通常,，MCM采用多層基板作襯底?；逯锌梢杂行盘?hào)層,、電源層和接地層?；ミB方式有絲焊,、載帶自動(dòng)焊(TAB)、倒裝焊,、倒裝TAB等,。
　　寬頻帶MCM的電設(shè)計(jì)需要選擇合適的圖形參數(shù)，如信號(hào)線寬度,、信號(hào)線厚度,、信號(hào)線間距,、介質(zhì)厚度和材料性能(如電導(dǎo)率,、介電常數(shù))等,。這些物理參數(shù)一旦確定，利用電磁模型將參數(shù)轉(zhuǎn)換成一個(gè)等效電路,。MCM電模型是由適用于一定頻域的電磁轉(zhuǎn)換程序完成,，此程序包含Maxewell方程在此頻域內(nèi)的全波解。一般情況下,，此程序完全可以處理具有非TEM波傳輸?shù)碾娮臃庋b結(jié)構(gòu),。高頻下，由集膚效應(yīng)在導(dǎo)體中產(chǎn)生的非均勻電流也包括在這個(gè)封裝模型中,。
　　通常,，傳輸線的性能由以下六個(gè)主要參數(shù)確定：特性阻抗(ZO)、傳輸延遲(T,。),、容性耦合和感性耦合(C12、L12),、交直流電阻(R_dc,、R_ac)。其中容性耦合和感性耦合會(huì)在系統(tǒng)中一對(duì)有終端的耦合傳輸線中產(chǎn)生耦合噪聲,。假定整個(gè)傳輸線無(wú)損耗,，動(dòng)態(tài)傳輸線上有上升時(shí)間為t_r的干擾電壓V_in，則有：
　　
　　NEN和FEN分別代表靜態(tài)傳輸線終端附近和遠(yuǎn)離終端處的噪聲,，K_b,、K_r分別為反向和正向耦合系數(shù)。l是耦合長(zhǎng)度,，τ是傳輸延遲,，C₁₁、L11是自身電容和自身電感,，C₁₂,、L₁₂通過(guò)變量K_b、K_r作用于噪聲方程,，因?yàn)镵_b,、K_r正比于耦合嗓聲，所以變量K_b,、K_r被廣泛用于參數(shù)優(yōu)化和設(shè)計(jì)比較分析中,。由于R_dc與傳輸線的直流壓降有關(guān)，而R_ac是整個(gè)傳輸線電流返回路徑的函數(shù),，也是工作頻率的函數(shù),，所以R_dc與R_ac不同,。
　　由MCM電模型可知，物理參數(shù)的變化必將引起電參數(shù)的變化,，所以在MCM應(yīng)用中,，要全面考慮傳輸線網(wǎng)絡(luò)延遲、最大允許線長(zhǎng),、感應(yīng),、耦合、同步噪聲,、開(kāi)關(guān)噪聲,、線路轉(zhuǎn)換等因數(shù)。
3 輕小型化的雷達(dá)接收機(jī)研制
3.1 雷達(dá)接收機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
　　體積小,、重量輕和高可靠性的雷達(dá)接收機(jī)的結(jié)構(gòu)是研制的關(guān)鍵,。常規(guī)接收機(jī)由各個(gè)單元電路組裝的模塊連接起來(lái)，在每個(gè)單元電路中將元器件焊接在電路板上,，再通過(guò)螺釘把電路板裝在盒體上,，信號(hào)通過(guò)SMA插座輸入輸出，單元電路通過(guò)電纜連接,。一般整個(gè)接收機(jī)尺寸約300mm×200mm×25mm,重量約10斤,。
　　本文提出了一種新型的封裝結(jié)構(gòu)，整個(gè)接收機(jī)封裝在一個(gè)小型的盒體里,，電路板采用多層基板,，直接焊接在盒體上。單元電路用芯片代替,，利用微組裝技術(shù),，將芯片用導(dǎo)電膠粘結(jié)到多層基板上，然后用超聲壓焊的方法將金絲或金帶鍵合到芯片及電路上,。射頻信號(hào)通過(guò)傳輸線垂直過(guò)渡輸入輸出,，大大減小了結(jié)構(gòu)的體積和重量。整個(gè)接收機(jī)尺寸18mm×9mm×3.2mm,重量?jī)H400克,。
3.2 雷達(dá)接收機(jī)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)
　　雷達(dá)接收機(jī)的原理框圖如圖1所示,。

　　組件的設(shè)計(jì)應(yīng)在滿足各項(xiàng)電性能指標(biāo)的前提下，盡量做到小型化,、輕型化,，這就要從綜合布局、單元電路的電性能及空間分配,、電磁兼容,、散熱等方面綜合考慮。系統(tǒng)設(shè)計(jì)水平的高低將決定組件性能的好壞。由于元件密度高,、增益高,、大小信號(hào)之間、高頻與低頻信號(hào)之間極易產(chǎn)生相互干擾,。所以在電路設(shè)計(jì)中,，將低噪聲放大器供電的電源線與后面電路相互隔離，在各器件的電源入口加濾波電路以避免電源與微波信號(hào)間的相互干擾,；同時(shí)合理布局,，將大信號(hào)與小信號(hào)分開(kāi),，盡量離得遠(yuǎn)些,；高頻與低頻信號(hào)用地隔開(kāi)，要交叉的傳輸線和電源線通過(guò)中間層過(guò)渡,，以避開(kāi)交叉,；中間層上下再布地層以增加隔離度，大大減少了相互干擾,，較好地解決了小型化和干擾的矛盾,。
3.3 接收機(jī)技術(shù)指標(biāo)
　　輸入頻率RF：2.7GHz～3.5GHz
　　輸出頻率IF：40MHz～60MHz
　　噪聲系數(shù)：≤2.5dB
　　耐功率：連續(xù)波功率≥1W
　　脈沖功率：≥10W
　　增益：60dB～65dB
　　輸入端口駐波：1.5:1
　　帶內(nèi)起伏：≤±1.5dB
　　接收機(jī)動(dòng)態(tài)：≥50dB
　　輸出能力P-1：≥10dBm
3.4 接收機(jī)電路設(shè)計(jì)
3.4.1 接收機(jī)的噪聲系數(shù)
　　接收機(jī)的噪聲系數(shù)主要取決于限幅器和低噪聲放大器?？偟脑肼曄禂?shù)為：
　　
　　限幅二極管芯片的安裝示意圖如圖2,。
　　限幅二極管芯片在低電平工作時(shí)，其等效為一個(gè)寬帶低通濾波器,，如圖3,。

　　要降低限幅二極管引入的噪聲，就要精心設(shè)計(jì)連接微帶線和鍵合金絲的長(zhǎng)度,，使總的阻抗等效為50Ω,。
3.4.2 接收前端設(shè)計(jì)
　　低噪聲放大器采用單片微波集成電路(MMIC)，利用微組裝技術(shù),，將芯片用導(dǎo)電膠粘結(jié)到多層基板上,，輸入輸出用金絲鍵合。MMIC芯片鍵合金絲拱高與跨距對(duì)微波信號(hào)傳輸有較大影響,金絲鍵合的一致性和重復(fù)性非常重要,。金絲鍵合的模型如圖4所示,。

　　對(duì)長(zhǎng)度為l、直徑為d的圓形鍵合金絲,，其串聯(lián)電感L和串聯(lián)電阻R可分別表示為：
　　
　　式中：μ₀為空氣介質(zhì)的導(dǎo)磁率,，μ_r為鍵合金絲的相對(duì)導(dǎo)磁率，ρ和ds分別為鍵合金絲材料的電阻率和趨膚深度,。用ADS軟件對(duì)金絲進(jìn)行分析,，結(jié)果表明金絲加長(zhǎng)時(shí)，傳輸損耗(dB(S(2,1))增大，駐波(dB(S(1,1))隨之變差,。通常對(duì)MMIC芯片而言,芯片焊區(qū)到微帶線的最佳距離是20mils～25mils,。
　　理論和試驗(yàn)表明, 金絲(帶)鍵合拱高與跨距應(yīng)滿足以下要求:①在同跨距情況下,鍵合金絲(帶)的拱高越低越好,以平直為最佳(對(duì)單根金絲);②在同拱高情況下,鍵合金絲(帶)的跨距越短越好(對(duì)單根金絲);③若芯片焊區(qū)尺寸允許,盡量采用同時(shí)鍵合二根、三根金絲,。
3.4.3 中頻混頻器設(shè)計(jì)
　　無(wú)源混頻器需要大的本振功率,，變頻損耗大，電路中需要更多的補(bǔ)償放大器,。為了減小體積,，設(shè)計(jì)采用MAXIM公司的有源混頻器MAX2682。
　　它是一個(gè)小型化,、低噪聲系數(shù),、寬電源工作(單電源：＋2.7V~5.5V)的下變頻器件。射頻信號(hào)頻率范圍為400MHz~2500MHz,，本振信號(hào)采用雙平衡混頻方式輸出中頻,，中頻信號(hào)頻率范圍為10MHz~500MHz。器件的尺寸僅為：2.8mm×2.6mm×0.9mm,，同時(shí)有關(guān)斷模式控制,。在關(guān)斷狀態(tài)下，僅消耗不到0.1μA的電流,，Z1,、Z2、Z3作為電路的匹配原件,。典型應(yīng)用電路如圖5所示,。

3.5 接收機(jī)的測(cè)試
　　利用 Agilent N8975A噪聲測(cè)試儀和頻譜儀E4407B進(jìn)行電路的測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)如圖6所示,。