本參考設(shè)計(jì)采用MAX16834構(gòu)建112.5W boost LED驅(qū)動(dòng)器電路板 www.elecfans.com" border="0" hspace="0" src="http://files.chinaaet.com/images/20101026/7416af8a-f7c6-44c3-8b3b-e50b18ca6610.jpg" style="filter: ; width: 400px; zoom: 1; height: 405px" />

　　清晰圖片(PDF, 7.6MB)歡迎轉(zhuǎn)載,，本文來自電子發(fā)燒友網(wǎng)(http://www.elecfans.com )

　　圖1. LED驅(qū)動(dòng)器電路板

　　清晰圖片(PDF, 290kB)

　　圖2. LED驅(qū)動(dòng)器原理圖

　　清晰圖片(PDF, 913kB)

　　圖3. LED驅(qū)動(dòng)器布局

　　清晰圖片(PDF, 1.7MB)

　　圖4. 材料清單

　　清晰圖片(PDF, 1.3MB)

　　圖5. 設(shè)計(jì)表格提供了MOSFET和電感的峰值電流和RMS電流,。欲索取設(shè)計(jì)表格,，請(qǐng)聯(lián)系Maxim在當(dāng)?shù)劁N售機(jī)構(gòu)。

　　圖6. 開關(guān)MOSFET的電壓和檢流電阻的電壓

　　圖7. 輸出電壓(交流耦合)和開關(guān)MOSFET檢流電阻的電壓

　　圖8. 漏極電壓上升時(shí)間

　　圖9. 漏極電壓下降時(shí)間

　　圖10. LED電壓(交流耦合)和電流紋波

　　圖11. LED電壓(交流耦合)和MOSFET檢流電壓

　　圖12. 大約150µs的調(diào)光脈沖

　　圖13. 大約50µs的調(diào)光脈沖

　　圖14. LED串開路OVP

　　圖15. 預(yù)測(cè)電感的溫升。計(jì)算器來自Coilcraft®提供的設(shè)計(jì)支持工具,。

　　電路說明

　　概述

　　本參考設(shè)計(jì)用于為長(zhǎng)串LED提供高壓boost電流源,，長(zhǎng)串LED的應(yīng)用不僅限于路燈和停車場(chǎng)照明。長(zhǎng)串LED允許采用高性價(jià)比的LED驅(qū)動(dòng)方案,，另外,，由于各個(gè)LED具有相同電流，可以很好地控制亮度變化,。本設(shè)計(jì)采用24V輸入,，可提供高達(dá)75V的LED驅(qū)動(dòng)輸出，可驅(qū)動(dòng)1.5A LED燈串(或多串并聯(lián)),。測(cè)量到的輸入功率為115.49W,，輸出功率為111.6W，具有96.6%的效率,。

　　PCB

　　MAX16834 boost設(shè)計(jì)的印制電路板(PCB)采用通用的兩層板(圖1和圖3),。有些PCB功能要求為可選項(xiàng)，測(cè)試時(shí)并沒有組裝這些電路,，原理圖(圖2)中將其標(biāo)注為“no-pop”。電路板在IC下方布設(shè)接地島,，通過單點(diǎn)連接至功率地,，以確保低噪聲特性。由于很多路燈生產(chǎn)廠商沒有適當(dāng)焊接設(shè)備焊接其它形式的封裝,，例如TQFN封裝,，因此本設(shè)計(jì)采用了TSSOP封裝IC。圖4給出本設(shè)計(jì)的材料清單,。

　　拓?fù)?/p>

　　設(shè)計(jì)采用工作在200kHz連續(xù)模式的boost調(diào)節(jié)器,。圖5所示表格給出了MOSFET和電感的RMS電流和峰值電流。連續(xù)模式設(shè)計(jì)能夠保持較小的MOSFET電流和電感電流,。然而,，由于MOSFET (Q1)導(dǎo)通期間電流流過輸出二極管(D2)，輸出二極管的反向恢復(fù)損耗較大,，并可能導(dǎo)致更大的關(guān)斷噪聲,。從圖6電路波形可以看出,，占空比為69%時(shí)，MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間大約為3.4µs,，關(guān)斷時(shí)間大約為1.5µs,。一旦MOSFET關(guān)斷，漏極電壓將上升到輸出電壓與肖特基二極管壓降之和,。

　　MOSFET驅(qū)動(dòng)

　　由于采用連續(xù)模式設(shè)計(jì),，MOSFET和電感峰值電流低于工作在非連續(xù)模式下的數(shù)值。但是,，由于在導(dǎo)通和關(guān)斷期間都有電流流過MOSFET,，MOSFET在兩次轉(zhuǎn)換期間存在較大的開關(guān)損耗。MAX16834以足夠強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力使MOSFET在5ns內(nèi)完全導(dǎo)通,，在10ns內(nèi)完全關(guān)斷(圖8和圖9),，保持較低的溫升。如果設(shè)計(jì)中存在EMI問題,，則改變MOSFET柵極的串聯(lián)電阻R5,，以調(diào)整開關(guān)時(shí)間。如果這一變化引起功耗過大,，可以增加另一個(gè)MOSFET Q2,，與Q1并聯(lián)，以降低溫升,。

　　輸出電容

　　驅(qū)動(dòng)器的輸入和輸出電容可以采用陶瓷電容,。陶瓷電容具有更小尺寸，工作更可靠,，但容值有限,，尤其是在設(shè)計(jì)中要求200V的額定電壓。圖5中,，設(shè)計(jì)表格顯示驅(qū)動(dòng)器需要一個(gè)5.4µF電容以滿足輸出紋波電壓的要求;為降低成本和空間,，本電路采用4個(gè)1.2µF電容(共4.8µF)。輸出電壓開關(guān)紋波為2.88V (圖10和圖11),，紋波電流為182mA,，是輸出電流的12%，略大于10%目標(biāo)參數(shù),，但仍然能夠滿足要求,。

　　調(diào)光

　　MAX16834提供很好的調(diào)光。當(dāng)PWMDIM (第12引腳)為低電平時(shí),，將發(fā)生三個(gè)動(dòng)作：第一,，開關(guān)MOSFET Q1的柵極驅(qū)動(dòng)(NDRV，第15引腳)變?yōu)榈碗娖剑苊忸~外的能量傳送到LED串;第二,，調(diào)光MOSFET Q4的柵極驅(qū)動(dòng)(DIMOUT,，第20引腳)變?yōu)榈碗娖剑档蚅ED串電流并保持輸出電容電壓固定;最后,，為保持補(bǔ)償電容處于穩(wěn)態(tài)電壓,，COMP (第5引腳)變?yōu)楦咦钁B(tài)，以確保IC在PWMDIM返回高電平時(shí)立即以正確的占空比啟動(dòng),。每個(gè)動(dòng)作都允許極短的PWM導(dǎo)通時(shí)間,，因此可提供較高的調(diào)光比。

　　縮短導(dǎo)通時(shí)間主要受限于電感的充電時(shí)間,，參見圖12和圖13,，可以看到電流能夠很好地跟隨DIM脈沖。在電流脈沖的起始位置有衰減,，主要是由于電感電流的爬升(大約12µs或2–3個(gè)開關(guān)周期),。觀察波形，可以看出需要大約40µs至50µs的時(shí)間電壓才能完全恢復(fù)并建立,。如果DIM導(dǎo)通脈沖小于50µs,，輸出電壓將在下個(gè)關(guān)斷脈沖的起始處沒有足夠的時(shí)間。在提高DIM占空比之前,，將一直持續(xù)這種現(xiàn)象,。因此，滿載(1.5A)時(shí),，DIM導(dǎo)通脈沖不應(yīng)低于50µs,。這意味著100Hz DIM頻率下，調(diào)光比為200:1,。降低最小導(dǎo)通脈沖的唯一途徑是提高輸出電容,，這將提高系統(tǒng)的成本，而且在通用照明中并不需要,。如果降低LED電流,，最小導(dǎo)通時(shí)間可隨之降低，調(diào)光比增大,。陶瓷電容表現(xiàn)為壓電效應(yīng)，調(diào)光期間會(huì)出現(xiàn)一定的音頻噪聲,。不過,，通過適當(dāng)電路板布局，可以最大程度地降低噪聲,。

　　OVP

　　圖14中,，LED串開路，MAX16834的過壓保護(hù)(OVP)電路在重新啟動(dòng)之前將首先關(guān)斷驅(qū)動(dòng)器400ms,。因?yàn)檩敵鲭娙葺^小,，電感儲(chǔ)能可能產(chǎn)生的過沖,，因此采用了107V峰值電壓設(shè)置(高于83V設(shè)計(jì)值)。

　　電路調(diào)整及其它輸入,、輸出

　　R15是線性數(shù)字電位器,，可以在0A至1.7A之間任意調(diào)節(jié)LED電流。MAX16834具有一個(gè)輸入(SYNC),，用于同步控制器的開關(guān)頻率,。UVEN輸入允許外部控制驅(qū)動(dòng)器(通/斷)。REFIN輸入端的低阻信號(hào)源可以優(yōu)先于電位器設(shè)置,，控制驅(qū)動(dòng)器電流,。例如，微控制器經(jīng)過緩沖的DAC可以通過REFIN直接控制LED電流,。出現(xiàn)故障(例如OVP)時(shí),，F(xiàn)LT#輸出低電平。一旦解除故障,，信號(hào)變?yōu)楦唠娖?，該信?hào)并不閉鎖。

　　溫升

　　測(cè)量效率為96.63% (VIN = 24.01V,、I_IN = 1.49A,、PIN = 115.49W、VLED = 74.9V,、I_LED = 1.49A,、POUT = 111.60W)。由于電路的頻率較高,，驅(qū)動(dòng)器元件并不發(fā)熱,。溫度最高的元件為調(diào)光MOSFET Q4，溫升大約41°C,。這一溫升是由于小尺寸PCB布局造成的,，可以通過增大漏極附近的覆銅面積改善。電感尺寸較大,，具有23°C的溫升,，高于預(yù)期的7°C (圖15)。電感似乎吸收了部分MOSFET熱量,，因?yàn)樗鼈児灿么竺娣e覆銅焊盤,。

　　溫度測(cè)量

　　以下溫度是在實(shí)際LED負(fù)載測(cè)試中得到的：

　　VIN:24VDC

　　Ambient:16°CΔT

　　L1:39°C23°C

　　D1:51°C35°C

　　Q1:51°C35°C

　　Q3:57°C41°C

　　IC:33°C17°C

　　上電步驟

　　在LED+和LED-之間連接最多20只串聯(lián)LED，同時(shí)串聯(lián)安培表以測(cè)量電流(注：如果LED的正向?qū)妷和耆ヅ洳⑶?或者增加串聯(lián)均衡電阻,，可以采用并聯(lián)架構(gòu)),。歡迎轉(zhuǎn)載，本文來自電子發(fā)燒友網(wǎng)(http://www.elecfans.com )

　　在VIN和GND之間連接24V、6A電源,。

　　在連接器J2插入短路器,。

　　打開24V電源。

　　調(diào)節(jié)R15將電流設(shè)置為0至1.5A,。

　　如果需要調(diào)光,，則在DIM IN和GND之間連接PWM信號(hào)(0V至3.3V)。

　　按照上述內(nèi)容調(diào)節(jié)PWM占空比,，實(shí)現(xiàn)調(diào)光,。