近年來(lái)射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小,、功耗低而受到廣泛關(guān)注,，特別是MEMS開(kāi)關(guān)構(gòu)建的移相器與天線，是實(shí)現(xiàn)上萬(wàn)單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù),，在軍事上有重要意義,。在通信領(lǐng)域上亦憑借超低損耗、高隔離度,、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用,。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題,，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān),。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段,。下文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn),。

1 RF MEMS開(kāi)關(guān)的一般考慮
    當(dāng)MEMS開(kāi)關(guān)的梁或膜受靜電力吸引向下偏移到一定程度時(shí)達(dá)到閾值電壓,，梁或膜迅速偏移至下極板,，電壓大小取決于材料參數(shù)、開(kāi)關(guān)尺寸及結(jié)構(gòu),。梁或膜的材料需要比較好的楊氏模量與屈服強(qiáng)度,，楊氏模量越大諧振頻率就越高，保證工作的高速穩(wěn)定及開(kāi)關(guān)壽命,；尺寸設(shè)計(jì)上要考慮靜電驅(qū)動(dòng)力的尺寸效應(yīng),；結(jié)構(gòu)的固有振動(dòng)頻率則影響開(kāi)關(guān)的最高工作速度。單從結(jié)構(gòu)上看,，降低驅(qū)動(dòng)電壓的途徑為：降低極板間距,；增加驅(qū)動(dòng)面積；降低梁或膜的彈性系數(shù),。常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)有串,、并聯(lián)懸臂梁開(kāi)關(guān)、扭轉(zhuǎn)臂開(kāi)關(guān)和電容式開(kāi)關(guān),，前三者為電阻接觸式,，金屬與信號(hào)線外接觸時(shí)存在諸如插入損耗大等很多問(wèn)題，而電容接觸式開(kāi)關(guān)的絕緣介質(zhì)也存在被擊穿的問(wèn)題,。有研究表明,，所加電壓越高開(kāi)關(guān)的壽命越短，驅(qū)動(dòng)電壓的降低勢(shì)必導(dǎo)致開(kāi)關(guān)速度變慢,，如何同時(shí)滿足驅(qū)動(dòng)電壓和開(kāi)關(guān)速度的要求是當(dāng)前的困難所在,。

2 RIF MEMS開(kāi)關(guān)的模擬與優(yōu)化
    對(duì)于電容式開(kāi)關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓隨著橋膜長(zhǎng)度的增加而下降,，橋膜殘余應(yīng)力越大驅(qū)動(dòng)電壓也越大,。通常把楊氏張量78 GPa,、泊松比O．44的Au作為橋膜材料，為獲得好的隔離度要求開(kāi)關(guān)有大的電容率,，這里選介電常數(shù)為7．5的S3N4作為介質(zhì)層,，橋膜單元為Solid98，加5 V電壓,，電介質(zhì)為空氣,，下極板加O V電壓。然后用ANSYS建模,、劃分網(wǎng)格,、加載并求解靜電耦合與模態(tài)分析。5 V電壓下的開(kāi)關(guān)形變約為O．2 μm左右,，尚達(dá)不到低壓驅(qū)動(dòng)要求,。提取開(kāi)關(guān)前五階模態(tài)如圖1所示。
    可見(jiàn)開(kāi)關(guān)從低階到高階的共振頻率越來(lái)越大,，分別為79．9 kHz,，130．3 kHz，258．8 kHz,，360．7 kHz,，505．6 kHz，一階模態(tài)遠(yuǎn)離其他模態(tài),，即不容易被外界干擾,，只有控制開(kāi)關(guān)頻率低于一階模態(tài)的諧振頻率才能保證其穩(wěn)定工作。由于實(shí)際開(kāi)關(guān)時(shí)間仍不理想,，所以在膜上挖孔以減小壓縮模的阻尼,，從而增加開(kāi)關(guān)速度。雖然關(guān)態(tài)的電容比下降了,，但孔可以減輕梁的重量,，得到更高的力學(xué)諧振頻率。最終的模型共挖了100個(gè)孔,，并對(duì)兩端做了彎曲處理以降低驅(qū)動(dòng)電壓,，仿真得到5 V電壓下形變?yōu)?μm以上、穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)時(shí)間在5μs以下的電容式開(kāi)關(guān),，如圖2所示,。

    考慮到電容式開(kāi)關(guān)仍存在的介質(zhì)擊穿問(wèn)題，這里對(duì)其結(jié)構(gòu)加以改進(jìn),，將扭轉(zhuǎn)臂杠桿與打孔電容膜相結(jié)合,，在減小驅(qū)動(dòng)電壓和提高開(kāi)關(guān)速度的同時(shí)，又不影響電容比，一定程度上抑制了電擊穿,。其工作原理是：push電極加電壓時(shí)杠桿上抬,，介質(zhì)膜與接觸膜間距離增大導(dǎo)致其耦合電容很小，信號(hào)通過(guò)傳輸線,；pull電極加電壓時(shí)杠桿下拉,，耦合電容變大，微波信號(hào)被反射,。材料選擇上仍以Au和S3N4為主,，某些部分可用A1代替Au。結(jié)構(gòu)與尺寸的設(shè)計(jì)上由超越方程與開(kāi)關(guān)通斷下的電容方程得到估計(jì)值,，下極板為25×25(單位制采用μMKSV,，長(zhǎng)度單位為μm，下同),，其上附有絕緣介質(zhì)層,，孔為3．4×3．4，杠桿為100x30,，結(jié)構(gòu)層為20×20,，極板厚度為1。用ANSYS仿真得到圖3所示結(jié)果,。

    在ANSYS做靜電耦合與模態(tài)分析后利用ANSOFT HFSS對(duì)該開(kāi)關(guān)進(jìn)行3D電磁場(chǎng)仿真,，進(jìn)一步求得其插入損耗與隔離度,，確定共面波導(dǎo)和接觸膜的結(jié)構(gòu),，從而完善開(kāi)關(guān)的射頻性能。建模時(shí)忽略開(kāi)關(guān)的彎曲,，定義材料特性與空氣輻射邊界,，利用wave port端口進(jìn)行仿真，分別求解開(kāi)態(tài)的插入損耗和關(guān)態(tài)的隔離度,。介質(zhì)層較薄時(shí),，開(kāi)關(guān)在10 GHz附近具有良好的隔離度，且插入損耗在1 dB以下,。

3 RF MEMS開(kāi)關(guān)的制備工藝
    合理選擇生長(zhǎng)介質(zhì)膜的工藝對(duì)開(kāi)關(guān)性能有很大影響,，本文的RF MEMS開(kāi)關(guān)需要在基底表面生長(zhǎng)一層氮化硅膜，一般選擇LP-CVD工藝,，而介質(zhì)膜則選擇PECVD工藝為宜,，金屬膜的性能要求相對(duì)較低，用濺射方法即可,?？紤]到基底要求漏電流與損耗盡可能小，選取高阻硅與二氧化硅做基底，后者保證了絕緣要求,。金質(zhì)信號(hào)線與下極板通過(guò)正膠剝離形成,，電子束蒸發(fā)得到鋁質(zhì)上極板。但從可行性考慮,，部分方案的工藝實(shí)現(xiàn)對(duì)于國(guó)內(nèi)的加工工藝尚有難度,，只能犧牲微系統(tǒng)的性能來(lái)達(dá)到加工條件。

4 結(jié)語(yǔ)
    本文主要從結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了創(chuàng)新,，通過(guò)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)仿真分析得到了理論解,，一定程度上滿足了設(shè)計(jì)初衷，但在工藝上還不成熟,。更低的驅(qū)動(dòng)電壓和更高的開(kāi)關(guān)頻率仍是亟待解決的問(wèn)題,，另外如何保證實(shí)際產(chǎn)品的可靠性、實(shí)用性也是未來(lái)的研究重點(diǎn),。