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如何提高G652D光纖宏彎損耗測試效率

2010-11-24

        光纖宏彎損耗測試,,在國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為:光纖以30mm半徑松繞100圈,,在1625nm測得的宏彎損耗應(yīng)不超過0.1dB,。

  而注2中描述:為了保證彎曲損耗易于測量和測量準(zhǔn)確度,,可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替100圈光纖進行試驗,,在此情況下,,繞的圈數(shù)環(huán)的半徑和最大允許的彎曲損耗都應(yīng)該與30mm半徑100圈試驗的損耗值相適應(yīng),。

  大多光纖廠家都提供Φ60mm*100圈的判斷標(biāo)準(zhǔn),,然而,在日常的測試工作中,,若要采用方便快捷的實驗方法,,則傾向于按照注2中的建議去進行一些常規(guī)判斷。因此,,掌握Φ32mm*1圈與Φ60mm*100圈的數(shù)據(jù)差異就十分有必要,。

  Φ32mm*1宏彎測試更為簡便

  兩種宏彎損耗測試方法示意圖如圖1所示。

宏彎損耗測試方法示意圖

  用上述方法對10盤正常生產(chǎn)條件下的光纖樣品進行對比測試,。

  分別在1310nm,、1550nm、1625nm三種波長下,,對10盤光纖樣品的宏彎平均值,、標(biāo)準(zhǔn)偏差進行統(tǒng)計,,最后將全部數(shù)據(jù)匯總,得到圖2,。

  從整體數(shù)據(jù)匯總圖可看出,,Φ32mm*1宏彎測試方法所得數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差都比 Φ60mm*100的要小,且數(shù)據(jù)相對穩(wěn)定,,重復(fù)性好,。當(dāng)然所抽樣品也不是完全都遵循此規(guī)律,10個樣品中有3個樣品在1625nm窗口下Φ32mm*1 所得數(shù)據(jù)的平均值大于Φ60mm*100所測得的,;還有1個樣品在1550nm,、1625nm窗口下所得數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差大于Φ60mm*100的。

  10個樣品用兩種測試方法所得數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差相差不大,,處于一個數(shù)據(jù)等級內(nèi),。Φ32mm*1的判斷標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)考慮的與60mm*100比較接近。

  在測試過程中,,Φ32mm*1宏彎測試方法易于操作,,能減少測試誤差,根據(jù)GB/T 9771.3-2008宏彎損耗的說明,,Φ32mm*1宏彎測試方法可作為判斷光纖宏彎性能的一種簡便方法,。

  Φ60mm*100作為標(biāo)準(zhǔn)明確規(guī)定一種方法,其準(zhǔn)確性的提高需依賴于測試裝置的改良,,如保證光纖以盡可能一致的直徑,、適宜的張力纏繞100圈。

  截止波長與宏彎損耗存在相關(guān)性

實驗數(shù)據(jù)

  為更好地摸索宏彎損耗與截止波長的關(guān)系,,隨機抽取760個樣品進行實驗,,實驗數(shù)據(jù)如圖3、圖4所示,。

  由圖3可明顯看出1625nm的數(shù)據(jù)較1550nm窗口下宏彎損耗分散,,實際數(shù)據(jù)證實長波長對彎曲的敏感程度更甚。

  由圖4可看出1625nm宏彎損耗相對集中時對應(yīng)的截止波長也相對集中分布在1210nm~1290nm,,截止波長越小,,宏彎損耗越大,且分布散亂無規(guī)律,。

  通過以上分析,,可以看出截止波長對宏彎損耗有一定的影響,當(dāng)截止波長分布在1210nm~1290nm范圍內(nèi)時,,1550nm、1625nm窗口下宏彎損耗相對集中,,數(shù)據(jù)穩(wěn)定,,這為光纖廠商優(yōu)化工藝改善宏彎損耗提供了有利的數(shù)據(jù)依據(jù),。

 

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