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Ramtron擴(kuò)展F-RAM V產(chǎn)品系列新增汽車等級串口128千位器件

新V系列產(chǎn)品具有高性能和低功耗特性,,適合要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用
2010-12-16
作者:Ramtron
關(guān)鍵詞: 低功耗 汽車 存儲器

  世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣布,,其V系列產(chǎn)品線新增兩款通過嚴(yán)格的AEC-Q100 Grade 3汽車等級認(rèn)證的串口F-RAM器件。這兩款產(chǎn)品的型號為FM24V01-G和FM25V01-G,,是128 千位 (Kb)、高性能非易失性F-RAM存儲器,,在2.0至3.6V的寬工作電壓范圍內(nèi)工作,。這一嚴(yán)格的汽車等級認(rèn)證,是汽車電子設(shè)備委員會 (Automotive Electronic Council) 針對集成電路而制定的應(yīng)力測試認(rèn)證,,用于滿足汽車市場的嚴(yán)苛要求。通過Grade-3認(rèn)證確保器件,,能夠在 -40℃ 到 +80℃ 的汽車使用溫度范圍內(nèi)可靠工作,。
 
  FM24V01-G和FM25V01-G是Ramtron范圍廣泛的V系列非易失性F-RAM存儲器產(chǎn)品的最新成員,具有 2.0V至3.6V的寬工作電壓范圍,。FM24V01具有串行I2C接口,,有效電流為90µA (100KHz下的典型值)。FM25V01在40MHz全總線速度下工作,,標(biāo)準(zhǔn)串口外設(shè)接口 (SPI) 的有效電流為2.5mA,。F-RAM存儲器的特點(diǎn)是無延遲 (NoDelay™) 寫入,幾乎無限的讀/寫次數(shù) (10E14) 及低功耗,。這些器件是汽車,、工業(yè)控制、計量,、醫(yī)療,、軍事、游戲和計算等應(yīng)用中128Kb串口EEPROM存儲器的理想的普適型 (drop-in) 替代產(chǎn)品,,F(xiàn)M24V01-G 和FM25V01-G 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8腳SOIC封裝,。
 
  V系列產(chǎn)品線提供一個可以讀出制造商和部件識別編碼的器件ID,以及一個可選的獨(dú)特只讀序列號,,通過電路板或系統(tǒng)識別來進(jìn)行防偽,。Ramtron市場經(jīng)理Mike Peters評論道:“128Kb F-RAM V系列器件符合嚴(yán)格的汽車等級要求,提供了獨(dú)特的集成安全特性,。”

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