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ARM推出LPDDR2存儲控制器,,加強(qiáng)芯片性能并提高節(jié)能

升級的ARM DDR和DDR2存儲控制器提供DDR PHY (DFI)接口支持
2008-10-29
作者:ARM公司
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ARM公司(倫敦證券交易所:ARM,;納斯達(dá)克:ARMH )近日發(fā)布了ARM PrimeCell 低功耗" title="低功耗">低功耗 DDR2 LPDDR2)動態(tài)存儲控制器" title="存儲控制器">存儲控制器(PL342),,該存儲控制器為LPDDR2存儲系統(tǒng)提供高性能接口,提供比LPDDR存儲系統(tǒng)高兩倍以上的帶寬,,并提供比標(biāo)準(zhǔn)DDR2存儲器高得多的功耗效率,。?

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PL342存儲控制器補(bǔ)充了ARM現(xiàn)有的范圍廣泛的存儲控制器和物理IP,它將幫助SoC設(shè)計師充分利用LPDDR2,,尤其在應(yīng)用程序方面,,例如移動多媒體、網(wǎng)絡(luò)和消費者應(yīng)用等,,這些都要求高帶寬低功耗,,并且有要求訪問共享存儲器的多重總線控制。LPDDR2存儲器正作為面向下一代移動設(shè)備和嵌入式應(yīng)用的重要解決方案逐漸興起,,而ARM也一直是定義LPDDR2標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC委員會中的積極參與者,。?

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ARM PL342動態(tài)存儲控制器為AMBA 3AXI 協(xié)議和LPDDR2存儲器提供了一個高度可配置的接口,使得存儲器接口" title="存儲器接口">存儲器接口能夠提供突破性的效率,,通過仲裁和調(diào)度管理命令執(zhí)行,,提供服務(wù)質(zhì)量(QoS)支持,并通過將存取器讀取時間最小化實現(xiàn)SoC性能的最大化,。另外PL342存儲控制器具有大量的節(jié)能功能,,包括在不影響數(shù)據(jù)流的前提下部分和全部關(guān)閉電源和提前給存儲器充電。?

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PL342存儲控制器的模塊化設(shè)計使它能夠通過改造來滿足多種動態(tài)存儲器的使用需求,。未來的產(chǎn)品中還會加入對新的存儲器種類的支持,,從而為現(xiàn)有的和計劃中的CPUGPU核提供最佳的解決方案。?

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PL342存儲控制器是ARM存儲控制器系列新產(chǎn)品中的一個,。其他新產(chǎn)品包括:?

·????????????? 廣受歡迎的PL340 DDR/LPDDR動態(tài)存儲控制器的新版本,,提供對LPDDR-NVM的支持?

·????????????? PL341 DDR2動態(tài)存儲控制器的新版本,提供對ECC(錯誤更正碼)的支持——這對汽車和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用來說至關(guān)重要,。?

·????????????? ARM Fabric IP副總裁Keith Clarke表示:“由于對LPDDR2的使用越來越廣泛,,設(shè)計師需要新的方法來填補(bǔ)外部存儲器和SoC處理器在性能表現(xiàn)方面的" title="面的">面的差距,從而充分利用先進(jìn)的低功耗存儲器系統(tǒng),。ARM PL342動態(tài)存儲控制器能夠幫助實現(xiàn)存儲器接口效率的最大化,,恢復(fù)時間的最小化,確保QoS,,同時將功耗最小化,。ARM致力于內(nèi)部互連和外設(shè)" title="外設(shè)">外設(shè)IP方面的不斷創(chuàng)新,,從而為主芯片板(backplane)提供整合的,、優(yōu)化的解決方案,。”?

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關(guān)于ARM?

ARM公司設(shè)計先進(jìn)的數(shù)字產(chǎn)品核心應(yīng)用技術(shù),,應(yīng)用領(lǐng)域涉及:無線,、網(wǎng)絡(luò)、消費娛樂,、影像,、汽車電子、安全應(yīng)用及存儲裝置,。 ARM提供廣泛的產(chǎn)品,,包括: 32RISC微處理器、數(shù)據(jù)引擎,、授權(quán)軟件,、數(shù)字單元庫、嵌入式存儲器,、高速連接產(chǎn)品,、外設(shè)和開發(fā)工具。 ARM公司綜合了全面設(shè)計,、訓(xùn)練,、支持和維護(hù)等服務(wù),通過協(xié)同眾多技術(shù)合作伙伴為業(yè)界領(lǐng)先的電子企業(yè)提供快速,、穩(wěn)定的完整系統(tǒng)解決方案,。關(guān)于ARM的更多詳情請見http://www.arm.com?

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