諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件,，要求對(duì)IGBT" title="IGBT">IGBT功率模塊" title="功率模塊">功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注,，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性,。本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán),、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。

　　各種工業(yè)應(yīng)用中通常會(huì)使用多達(dá)十幾種的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）,，設(shè)計(jì)IGBT模塊的目的就是為了向某種專門的應(yīng)用提供最優(yōu)的性價(jià)比和適當(dāng)?shù)目煽啃?。圖1為現(xiàn)有的IGBT功率模塊的主要組成部分。

　　商用電動(dòng)車（EV）和混合動(dòng)力電動(dòng)車（HEV" title="HEV">HEV）的出現(xiàn)為IGBT模塊創(chuàng)造了一個(gè)新的市場(chǎng),。EV和HEV中對(duì)IGBT功率模塊的可靠性要求最高的部分是傳動(dòng)系" title="傳動(dòng)系">傳動(dòng)系,，IGBT位于逆變器中,，為混合系統(tǒng)的電機(jī)提供能量。根據(jù)傳動(dòng)系的概念,，逆變器可以放置在汽車尾箱,、變速箱內(nèi)或引擎蓋下靠近內(nèi)燃機(jī)的位置，因此IGBT模塊要經(jīng)受嚴(yán)峻的熱和機(jī)械條件（振動(dòng)和沖擊）的考驗(yàn),。

　　為向汽車設(shè)計(jì)人員提供高可靠性的標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)IGBT模塊,，IGBT設(shè)計(jì)人員必須特別小心地選擇材料和設(shè)計(jì)電氣特性，以得到相似甚至更好的結(jié)果,。

　　熱循環(huán)和熱沖擊試驗(yàn)

　　在熱循環(huán)（TC）期間,，待測(cè)器件（DUT）交替地暴露于被精確設(shè)定的最低和最高溫度下，使其管殼的溫差（ΔTC）達(dá)到80K到100K,。DUT處于最低和最高溫度的存儲(chǔ)時(shí)間必須足以使其達(dá)到熱平衡（即2到6分鐘）,。此項(xiàng)試驗(yàn)的重點(diǎn)是檢測(cè)焊接處的疲勞特性。

　　通過(guò)更嚴(yán)格的試驗(yàn),，還可以研究其它部分（如模塊的框架）所存在的弱點(diǎn),。熱沖擊試驗(yàn)（TST），也被稱作二箱試驗(yàn),，是在經(jīng)過(guò)擴(kuò)展的ΔTC的條件下進(jìn)行的,，例如從-40-C到+150+C，其典型的存儲(chǔ)時(shí)間為1小時(shí),。

　　圖1：包括基板在內(nèi)的IGBT模塊構(gòu)架示意圖。

　　功率循環(huán)

　　在熱循環(huán)/熱沖擊試驗(yàn)過(guò)程中,，從外部加熱DUT,，而在功率循環(huán)（PC）期間，DUT被流經(jīng)模塊內(nèi)部的負(fù)載電流主動(dòng)地加熱,。因此,，模塊內(nèi)部的溫度梯度和不同材料層的溫度都比熱循環(huán)過(guò)程中高得多。

　　模塊的冷卻是通過(guò)主動(dòng)關(guān)斷負(fù)載電流以及使用外部散熱措施來(lái)實(shí)現(xiàn)的,。最典型的是使用水冷散熱器,，但空氣冷卻系統(tǒng)也較常用。試驗(yàn)裝置能在加熱階段停止水流,，待進(jìn)入冷卻階段后再重新打開(kāi)水流,。通過(guò)功率循環(huán)，能對(duì)綁定線的連接以及焊接處的疲勞特性進(jìn)行研究,。

　　諸如高環(huán)境溫度,、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮,，并保持很高的可靠性,。本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討,。

　　各種工業(yè)應(yīng)用中通常會(huì)使用多達(dá)十幾種的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）,，設(shè)計(jì)IGBT模塊的目的就是為了向某種專門的應(yīng)用提供最優(yōu)的性價(jià)比和適當(dāng)?shù)目煽啃浴D1為現(xiàn)有的IGBT功率模塊的主要組成部分,。

　　商用電動(dòng)車（EV）和混合動(dòng)力電動(dòng)車（HEV）的出現(xiàn)為IGBT模塊創(chuàng)造了一個(gè)新的市場(chǎng),。EV和HEV中對(duì)IGBT功率模塊的可靠性要求最高的部分是傳動(dòng)系，IGBT位于逆變器中,，為混合系統(tǒng)的電機(jī)提供能量。根據(jù)傳動(dòng)系的概念,，逆變器可以放置在汽車尾箱,、變速箱內(nèi)或引擎蓋下靠近內(nèi)燃機(jī)的位置，因此IGBT模塊要經(jīng)受嚴(yán)峻的熱和機(jī)械條件（振動(dòng)和沖擊）的考驗(yàn),。

　　為向汽車設(shè)計(jì)人員提供高可靠性的標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)IGBT模塊,，IGBT設(shè)計(jì)人員必須特別小心地選擇材料和設(shè)計(jì)電氣特性，以得到相似甚至更好的結(jié)果,。

　　熱循環(huán)和熱沖擊試驗(yàn)

　　在熱循環(huán)（TC）期間,，待測(cè)器件（DUT）交替地暴露于被精確設(shè)定的最低和最高溫度下，使其管殼的溫差（ΔTC）達(dá)到80K到100K,。DUT處于最低和最高溫度的存儲(chǔ)時(shí)間必須足以使其達(dá)到熱平衡（即2到6分鐘）,。此項(xiàng)試驗(yàn)的重點(diǎn)是檢測(cè)焊接處的疲勞特性。

　　通過(guò)更嚴(yán)格的試驗(yàn),，還可以研究其它部分（如模塊的框架）所存在的弱點(diǎn),。熱沖擊試驗(yàn)（TST），也被稱作二箱試驗(yàn),，是在經(jīng)過(guò)擴(kuò)展的ΔTC的條件下進(jìn)行的,，例如從-40-C到+150+C，其典型的存儲(chǔ)時(shí)間為1小時(shí),。

　　圖1：包括基板在內(nèi)的IGBT模塊構(gòu)架示意圖。

　　功率循環(huán)

　　在熱循環(huán)/熱沖擊試驗(yàn)過(guò)程中,，從外部加熱DUT,，而在功率循環(huán)（PC）期間，DUT被流經(jīng)模塊內(nèi)部的負(fù)載電流主動(dòng)地加熱,。因此,，模塊內(nèi)部的溫度梯度和不同材料層的溫度都比熱循環(huán)過(guò)程中高得多。

　　模塊的冷卻是通過(guò)主動(dòng)關(guān)斷負(fù)載電流以及使用外部散熱措施來(lái)實(shí)現(xiàn)的。最典型的是使用水冷散熱器,，但空氣冷卻系統(tǒng)也較常用,。試驗(yàn)裝置能在加熱階段停止水流，待進(jìn)入冷卻階段后再重新打開(kāi)水流,。通過(guò)功率循環(huán),，能對(duì)綁定線的連接以及焊接處的疲勞特性進(jìn)行研究。

　　IGBT模塊的故障模式

　　除由超出IGBT模塊的電氣規(guī)范（如過(guò)電壓和/或過(guò)電流）所引起的損害外,，還會(huì)出現(xiàn)其它一些故障機(jī)制,。下面將探討在功率循環(huán)、熱循環(huán),、機(jī)械振動(dòng)或機(jī)械沖擊試驗(yàn)中出現(xiàn)的一些典型的故障模式,。

　　熱循環(huán)和特定的熱沖擊試驗(yàn)?zāi)芙沂境鱿到y(tǒng)焊錫層（即位于基板和被稱作陶瓷襯底的直接鍵合銅，即DCB之間）的耐久度信息,。銅基板和Al2O3陶瓷的標(biāo)準(zhǔn)材料組合在經(jīng)過(guò)600個(gè)熱沖擊試驗(yàn)循環(huán)后,，系統(tǒng)的焊錫層出現(xiàn)了分層現(xiàn)象。這一試驗(yàn)結(jié)果反映出所選材料具有不同的熱膨脹系數(shù)（CTE）,。兩種材料的熱膨脹系數(shù)相差越大,，它們對(duì)于中間層（即焊錫層）的機(jī)械應(yīng)力就越大。

　　圖2給出了不同材料的熱膨脹系數(shù),。我們的目標(biāo)是選用熱膨脹系數(shù)差別盡可能小的材料來(lái)進(jìn)行組合,。但另一方面，并不是每種材料都是首選的,，即使它們的熱膨脹系數(shù)十分匹配,，因?yàn)椴牧媳旧淼某杀究赡軙?huì)太高，或者在生產(chǎn)過(guò)程中難以被加工或加工成本太高,。

　　圖2：不同材料的熱膨脹系數(shù)（CTE）（ppm/K）。

　　功率循環(huán)所引起的故障模式一般位于綁定線的連接位置,。通常為綁定線剝離和/或芯片頂部的鋁金屬化重建,。

　　在某些情況下，還能觀察到綁定線跟部出現(xiàn)裂縫,。機(jī)械和熱效應(yīng)會(huì)不斷地造成綁定線發(fā)生移動(dòng),，從而引發(fā)裂縫，最終材料疲勞會(huì)導(dǎo)致綁定線本身出現(xiàn)故障,。除功率模塊的內(nèi)部部件外,，其外殼也會(huì)被外部的極端環(huán)境和/或工作條件所損壞。例如出現(xiàn)外殼框架的破裂,。

　　在HEV中,，隨著IGBT模塊安裝位置的不同，可能會(huì)受到超過(guò)5g的機(jī)械振動(dòng)和超過(guò)30g的機(jī)械沖擊。如果不夠堅(jiān)固,，功率端子最終就可能被這些振動(dòng)/沖擊破壞,。出現(xiàn)故障的位置位于組裝后端子的彎曲部位，微裂隙會(huì)在那里產(chǎn)生已損壞的彎曲區(qū)域,。采用預(yù)成型的端子能提高堅(jiān)固性,，其在彎曲邊緣不會(huì)出現(xiàn)已經(jīng)損壞的區(qū)域，因此具有更高的可靠性,。因此,，所有用于HEV的英飛凌功率模塊都采用這一方法進(jìn)行設(shè)計(jì)。

　　用于HEV的高可靠性IGBT功率模塊

　　為HEV開(kāi)發(fā)的所有IGBT模塊都有一個(gè)特別的目標(biāo),，就是提供出色的可靠性,、合適的電氣特性和最優(yōu)成本?；趯?duì)IGBT功率模塊開(kāi)發(fā)的長(zhǎng)時(shí)間探索,，對(duì)于新材料的組合與組裝技術(shù)所投入的巨大研究精力，以及現(xiàn)代功率半導(dǎo)體芯片的使用,，英飛凌已經(jīng)開(kāi)發(fā)出HEV專用的兩個(gè)模塊系列：HybridPACK1和HybridPACK2。

　　這兩種型號(hào)的產(chǎn)品都基于英飛凌領(lǐng)先的IGBT溝道柵場(chǎng)終止技術(shù),，能提供最低的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,。其中所選用的600V的第三代芯片能工作在1501C的結(jié)溫Tj，op下（絕對(duì)最大Tj,，max=1751C）,。

　　能在六封裝配置中容納高達(dá)400A的600V IGBT3和EmCon3二極管的HybridPACK1，適用于氣冷或采用低溫液體散熱的逆變器系統(tǒng),。這些模塊擁有3mm銅基板和經(jīng)過(guò)改進(jìn)的Al2O3 DCB陶瓷襯底,，具有最佳的可靠性和成本；它們是峰值20kW功率級(jí)別（單個(gè)模塊）和全HEV應(yīng)用的理想選擇,，而且通過(guò)并聯(lián)還能達(dá)到更高的額定功率,。

　　HybridPACK1模塊系列采用了下面這些特殊的措施以便在提供高可靠性的同時(shí)獲得最佳的性價(jià)比：

　　（1）采用銅基板和經(jīng)過(guò)改進(jìn)的Al2O3陶瓷的組合來(lái)減小分層效應(yīng),，與AlSiC/Si3N4的組合相比,，這一組合還具有成本優(yōu)勢(shì)；

　?。?）使用間距物進(jìn)一步減輕了分層效應(yīng),；

　　（3）每相采用了獨(dú)立的DCB陶瓷,，以得到優(yōu)化的熱耦合和熱擴(kuò)散特性,；

　　（4）改進(jìn)的綁定線工藝增強(qiáng)了功率循環(huán)能力；

　?。?）選擇適當(dāng)?shù)乃芰喜牧虾徒?jīng)過(guò)優(yōu)化的工藝參數(shù)來(lái)避免在溫度大幅度擺動(dòng)下出現(xiàn)破裂,；

　　（6）預(yù)成型的功率端子能避免在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)微裂痕,。

　　HybridPACK2是專為帶有高溫液體散熱逆變器系統(tǒng)和HEV應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的,。作為直接液冷散熱的功率模塊，其能在散熱溫度高達(dá)1051C的條件下工作,。這一模塊系列的AlSiC基板上集成有直接插入液體冷卻媒質(zhì)中的鰭片狀散熱片,。此模塊具有最大六封裝600V/800A IGBT3的配置。

　　HybridPACK2模塊系列采用了下面這些特殊的措施以便在提供高可靠性的同時(shí)獲得最佳的性價(jià)比：

　?。?）經(jīng)過(guò)優(yōu)化的AlSiC基板和Si3N4陶瓷的組合來(lái)提供最低的分層效應(yīng)（同類中最佳的解決方案）,；

　　（2）使用間距物進(jìn)一步減輕了分層效應(yīng),；

　?。?）每相采用了獨(dú)立的DCB陶瓷，以得到優(yōu)化的熱耦合和熱擴(kuò)散特性,；

　?。?）被直接冷卻的基板為功率半導(dǎo)體和散熱媒質(zhì)之間提供了最低的熱阻。采用此方法,，能使Tj降低超過(guò)30K（取決于負(fù)載條件和芯片配置）,；

　　（5）改進(jìn)的綁定線工藝增強(qiáng)了功率循環(huán)能力,；

　?。?）選擇適當(dāng)?shù)乃芰喜牧虾徒?jīng)過(guò)優(yōu)化的工藝參數(shù)來(lái)避免在溫度大幅度擺動(dòng)下出現(xiàn)破裂；

　?。?）預(yù)成型的功率端子能避免在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)微裂痕,。

　　諸如E-Busses和E-Trucks等高功率電動(dòng)車輛更需要堅(jiān)固和可靠的IGBT模塊。對(duì)于這些應(yīng)用,， PrimePACK系列模塊是理想的選擇,。它們具有兩種不同的封裝形式，并具有采用英飛凌最先進(jìn)的IGBT4芯片技術(shù)（Tj,，op=1501C,， Tj，max=1751C）的1,，200V/1,，400A和1，700V/1,，000A的最大半橋配置,。

　　PrimePACK模塊系列采用了下面這些特殊的措施使得在高可靠性的同時(shí)獲得最佳的性價(jià)比：

　?。?）采用銅基板和經(jīng)過(guò)改進(jìn)的Al2O3陶瓷襯底最優(yōu)組合和制造工藝來(lái)減小分層效應(yīng)；

　?。?）使用間距物進(jìn)一步減輕了分層效應(yīng),；

　　（3）經(jīng)過(guò)優(yōu)化的芯片布局能提供最低的熱阻,，這樣可使熱阻比上一代（即IHM）的高功率器件降低30%,；（4）改進(jìn)的綁定線工藝增強(qiáng)了功率循環(huán)能力；

　?。?）選擇適當(dāng)?shù)乃芰喜牧虾徒?jīng)過(guò)優(yōu)化的工藝參數(shù)來(lái)避免在溫度大幅度擺動(dòng)下出現(xiàn)破裂,；

　　（6）內(nèi)部雜散電感被降低（與IHM相比降低了高達(dá)60%）,；

　?。?）對(duì)DCB陶瓷處的功率端子連接采用超聲焊接，以提高機(jī)械強(qiáng)度,。

　　本文小結(jié)

　　由于HEV等汽車對(duì)于功率半導(dǎo)體模塊的可靠性應(yīng)用具有最高的要求,，所以當(dāng)今的供應(yīng)商必須保證并滿足這一市場(chǎng)要求。針對(duì)這類應(yīng)用,，英飛凌推出了具有優(yōu)化性能和成本的功率半導(dǎo)體模塊：HybridPACK和PrimePACK系列產(chǎn)品,。此外，英飛凌還將進(jìn)一步投資用于研發(fā)能在更苛刻的功率密度和環(huán)境溫度條件下提供更高可靠性的未來(lái)IGBT模塊,。