1引言
絕緣柵控雙極型晶體管IGBT的驅動問題是制約IGBT應用的關鍵技術之一,。驅動電路性能不好,,常常會造成功率IGBT的擊穿和損壞。因此為解決IGBT的驅動問題,,世界上各IGBT制造商都在生產(chǎn)IGBT的同時,,配套生產(chǎn)了其專用柵極驅動集成電路或模塊。如西門康公司的SKHI21,、 SKHI22驅動模塊,、日本富士公司的EXB8系列、日本三菱公司的M579系列等,。在國內(nèi)大家比較注意和應用較多的是日本富士公司的EXB840,、 EXB850、EXB841和日本東芝公司的M57962L,、M57959L,,但這些驅動器在工作頻率超過30kHz時,其脈沖前后沿便變得較差,且內(nèi)部采用印刷電路板設計,,因此散熱不是很好,,加之提供負柵偏壓的穩(wěn)壓管被封裝在集成電路內(nèi)部,這樣就可能因該穩(wěn)壓管的損壞而使整個驅動芯片損壞,,另外,,由于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值僅5V,這使得IGBT關斷時負偏壓偏低,,從而導致該類柵極驅動芯片對IGBT驅動的不可靠,,本文介紹的陜西高科電力電子有限責任公司生產(chǎn)的 HL402A(B)IG-BT驅動集成電路可以彌補EXB8系列和M579系列 IGBT驅動器的以上不足。
2 HL402A(B)簡介
HL402驅動器是國家“八五”攻關新成果,,為國家級新產(chǎn)品,。它具有先降柵壓、后軟關斷的雙重保護功能,,其降柵壓延遲時間,、降柵壓時間、軟關斷斜率均可通過外接電容器進行整定,,因而能適應不同飽和壓降IGBT的驅動和保護,。它的研制成功填補了國內(nèi)空白,達到了國際90年代的先進水平,。
2.1引腳排列及功能
HL402的外形尺寸及引腳排列如圖1所示,。它采用單列直插式標準17引腳厚膜集成電路封裝,共有15個引腳,。各引腳的功能如下:
●引腳17:內(nèi)置靜電屏蔽層的高速光耦合器陽極連接端。應用中通過一電阻接正電源,,亦可通過一電阻接用戶脈沖形成單元輸出端,,要求提供的電流幅值為12mA,無論是接用戶脈沖形成部分的輸出還是接正電源,,串入的電阻值均可按下式計算:
R=VIN-2V/12mA(kΩ)
●引腳16:內(nèi)置靜電屏蔽層的高速光耦合器陰極連接端,。應用中直接接用戶脈沖形成部分的輸出(當引腳17通過電阻接正電源時),亦可直接與控制脈沖形成部分的地相連接(當引腳17接脈沖形成部分的脈沖輸出時),。
●引腳2:被驅動的IGBT脈沖功率放大輸出級正電源連接端,。應用中接驅動輸出級電源,要求提供的電壓為25~28V,。
●引腳4:被驅動的IGBT脈沖功率放大輸出級正電源參考地端,。
●引腳5、10:為軟關斷斜率電容器C5連接端(其引腳10在HL202內(nèi)部已與引腳4接通),。該兩端所接電容量的大小決定著被驅動的IGBT軟關斷斜率的快慢,,推薦值為1000~3000pF。
●引腳11、10:降柵壓延遲時間電容器C6的連接端,。該兩端所接電容器電容量的大小決定著降柵壓延遲時間的長短,,該電容的推薦值為0~200pF,當該電容的容量較大時,,短路電流峰值也較大,,所以此電容一般可不接。
●引腳12,、10:降柵壓時間定時電容器C7的連接端,。當該電容器較大時,經(jīng)過較長的降柵壓時間后,,被驅動的IGBT才關斷,,這意味著造成被驅動的IGBT損壞的危險性將增加。所以C7的值不能取得太大,,但也不能取得太小,,過小的C7將造成被驅動的IGBT快速降柵壓后關斷,這有可能導致回路中的電感因被驅動的IGBT快速關斷而引起過高的尖峰過電壓,,從而擊穿被驅動的IGBT,,所以C7的取值要適當,一般推薦值為510~1500pF,。
●引腳1:驅動輸出脈沖負極連接端,。使用時,接被驅動IGBT的發(fā)射極,。
●引腳3:驅動輸出脈沖正極連接端,。使用中經(jīng)電阻RG后直接接被驅動IGBT的柵極。電阻RG的取值隨被驅動IGBT容量的不同而不同,,當被驅動的IGBT為50A/1200V時,,RG的典型值應為0~20Ω/1W。
●引腳9:降柵壓信號輸入端,。使用中需經(jīng)快恢復二極管接至被驅動IGBT的集電極,,當需要降低動作門限電壓值時,可再反串一個穩(wěn)壓二極管(穩(wěn)壓管的陰極接引腳9),。需要注意的是:該快恢復二極管必須是高壓,、超高速快恢復型,其恢復時間應不超過50ns,,經(jīng)反串穩(wěn)壓二極管后,,原來的動作門限電壓(8.5V)減去穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值即為新的門限電壓。降柵壓功能可通過將引腳13與引腳10相短接而刪除,。
●引腳6:軟關斷報警信號輸出端,,最大負載能力為20mA,。它可作為被驅動的輸入信號的封鎖端,可通過光耦合器(引腳6接光耦合器陰極)來封鎖控制脈沖形成部分的脈沖輸出,,亦可通過光耦合器來帶動繼電器,,從而分斷被驅動IGBT所在的主電路。
●引腳8:降柵壓報警信號輸出端,,最大輸出電流為5mA,。該端可通過光耦合器(引腳8接光耦合器陰極)來封鎖控制脈沖形成部分的脈沖輸出,亦可通過光耦合器來帶動繼電器,,從而分斷被驅動的IGBT所在的主回路,。
●引腳5:軟關斷斜率電容器C5的接線端及驅動信號的封鎖信號引入端。使用中,,可通過光耦合器的二次側并聯(lián)在C5兩端(集電極接引腳5,,發(fā)射極接引腳10,發(fā)光二極管接用戶集中封鎖信號輸入)來直接封鎖被驅動IGBT的脈沖輸出,。
●引腳7:空腳,,使用時懸空。
1引言
絕緣柵控雙極型晶體管IGBT的驅動問題是制約IGBT應用的關鍵技術之一,。驅動電路性能不好,,常常會造成功率IGBT的擊穿和損壞。因此為解決IGBT的驅動問題,,世界上各IGBT制造商都在生產(chǎn)IGBT的同時,,配套生產(chǎn)了其專用柵極驅動集成電路或模塊。如西門康公司的SKHI21,、 SKHI22驅動模塊,、日本富士公司的EXB8系列、日本三菱公司的M579系列等,。在國內(nèi)大家比較注意和應用較多的是日本富士公司的EXB840,、 EXB850、EXB841和日本東芝公司的M57962L,、M57959L,,但這些驅動器在工作頻率超過30kHz時,,其脈沖前后沿便變得較差,,且內(nèi)部采用印刷電路板設計,因此散熱不是很好,,加之提供負柵偏壓的穩(wěn)壓管被封裝在集成電路內(nèi)部,,這樣就可能因該穩(wěn)壓管的損壞而使整個驅動芯片損壞,另外,,由于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值僅5V,,這使得IGBT關斷時負偏壓偏低,,從而導致該類柵極驅動芯片對IGBT驅動的不可靠,本文介紹的陜西高科電力電子有限責任公司生產(chǎn)的 HL402A(B)IG-BT驅動集成電路可以彌補EXB8系列和M579系列 IGBT驅動器的以上不足,。
2 HL402A(B)簡介
HL402驅動器是國家“八五”攻關新成果,,為國家級新產(chǎn)品。它具有先降柵壓,、后軟關斷的雙重保護功能,,其降柵壓延遲時間、降柵壓時間,、軟關斷斜率均可通過外接電容器進行整定,,因而能適應不同飽和壓降IGBT的驅動和保護。它的研制成功填補了國內(nèi)空白,,達到了國際90年代的先進水平,。
2.1引腳排列及功能
HL402的外形尺寸及引腳排列如圖1所示。它采用單列直插式標準17引腳厚膜集成電路封裝,,共有15個引腳,。各引腳的功能如下:
●引腳17:內(nèi)置靜電屏蔽層的高速光耦合器陽極連接端。應用中通過一電阻接正電源,,亦可通過一電阻接用戶脈沖形成單元輸出端,,要求提供的電流幅值為12mA,無論是接用戶脈沖形成部分的輸出還是接正電源,,串入的電阻值均可按下式計算:
R=VIN-2V/12mA(kΩ)
●引腳16:內(nèi)置靜電屏蔽層的高速光耦合器陰極連接端,。應用中直接接用戶脈沖形成部分的輸出(當引腳17通過電阻接正電源時),亦可直接與控制脈沖形成部分的地相連接(當引腳17接脈沖形成部分的脈沖輸出時),。
●引腳2:被驅動的IGBT脈沖功率放大輸出級正電源連接端,。應用中接驅動輸出級電源,要求提供的電壓為25~28V,。
●引腳4:被驅動的IGBT脈沖功率放大輸出級正電源參考地端,。
●引腳5、10:為軟關斷斜率電容器C5連接端(其引腳10在HL202內(nèi)部已與引腳4接通),。該兩端所接電容量的大小決定著被驅動的IGBT軟關斷斜率的快慢,,推薦值為1000~3000pF。
●引腳11,、10:降柵壓延遲時間電容器C6的連接端,。該兩端所接電容器電容量的大小決定著降柵壓延遲時間的長短,該電容的推薦值為0~200pF,,當該電容的容量較大時,,短路電流峰值也較大,所以此電容一般可不接,。
●引腳12,、10:降柵壓時間定時電容器C7的連接端,。當該電容器較大時,經(jīng)過較長的降柵壓時間后,,被驅動的IGBT才關斷,,這意味著造成被驅動的IGBT損壞的危險性將增加。所以C7的值不能取得太大,,但也不能取得太小,,過小的C7將造成被驅動的IGBT快速降柵壓后關斷,這有可能導致回路中的電感因被驅動的IGBT快速關斷而引起過高的尖峰過電壓,,從而擊穿被驅動的IGBT,,所以C7的取值要適當,一般推薦值為510~1500pF,。
●引腳1:驅動輸出脈沖負極連接端,。使用時,接被驅動IGBT的發(fā)射極,。
●引腳3:驅動輸出脈沖正極連接端,。使用中經(jīng)電阻RG后直接接被驅動IGBT的柵極。電阻RG的取值隨被驅動IGBT容量的不同而不同,,當被驅動的IGBT為50A/1200V時,,RG的典型值應為0~20Ω/1W。
●引腳9:降柵壓信號輸入端,。使用中需經(jīng)快恢復二極管接至被驅動IGBT的集電極,,當需要降低動作門限電壓值時,可再反串一個穩(wěn)壓二極管(穩(wěn)壓管的陰極接引腳9),。需要注意的是:該快恢復二極管必須是高壓,、超高速快恢復型,其恢復時間應不超過50ns,,經(jīng)反串穩(wěn)壓二極管后,,原來的動作門限電壓(8.5V)減去穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值即為新的門限電壓。降柵壓功能可通過將引腳13與引腳10相短接而刪除,。
●引腳6:軟關斷報警信號輸出端,,最大負載能力為20mA。它可作為被驅動的輸入信號的封鎖端,,可通過光耦合器(引腳6接光耦合器陰極)來封鎖控制脈沖形成部分的脈沖輸出,,亦可通過光耦合器來帶動繼電器,從而分斷被驅動IGBT所在的主電路,。
●引腳8:降柵壓報警信號輸出端,,最大輸出電流為5mA,。該端可通過光耦合器(引腳8接光耦合器陰極)來封鎖控制脈沖形成部分的脈沖輸出,,亦可通過光耦合器來帶動繼電器,,從而分斷被驅動的IGBT所在的主回路。
●引腳5:軟關斷斜率電容器C5的接線端及驅動信號的封鎖信號引入端,。使用中,,可通過光耦合器的二次側并聯(lián)在C5兩端(集電極接引腳5,發(fā)射極接引腳10,,發(fā)光二極管接用戶集中封鎖信號輸入)來直接封鎖被驅動IGBT的脈沖輸出,。
●引腳7:空腳,使用時懸空,。
2.2工作原理
HL402的原理框圖如圖2所示,。圖中,VL1為帶靜電屏蔽的光耦合器,,用來實現(xiàn)與輸入信號的隔離,。由于它具有靜電屏蔽功能,因而顯著提高了HL402的抗共模干擾能力,。圖中的V2為脈沖放大器,,晶體管V3、V4可用于實現(xiàn)驅動脈沖功率放大,,V5為降柵壓比較器,,正常情況下由于引腳9輸入的IGBT集電極電壓VCE不高于V5的基準電壓VREF而使得V5不翻轉,晶體管V6不導通,,故從引腳17,、16輸入的驅動脈沖信號經(jīng)V2整形后不被封鎖。該驅動脈沖經(jīng)V3,、V4放大后提供給被驅動的IGBT以使之導通或關斷,。一旦被驅動的IGBT退飽和,則引腳9輸入的集電極電壓取樣信號VCE將高于V5的基準電壓VREF,,從而使比較器V5翻轉后輸出高電平,,使晶體管V6導通,并由穩(wěn)壓管VD2將驅動器輸出的柵極電壓VGE降低到10V,。此時,,軟關斷定時器V8在降柵壓比較器V5翻轉達到設定的時間后,輸出正電壓使晶體管V7導通,,并將柵極電壓關斷降到IGBT的柵極-發(fā)射極門檻電壓,,以便給被驅動的IGBT提供一個負的驅動電壓,從而保證被驅動的IGBT可靠關斷,。
3 主要參數(shù)
由于HL402內(nèi)含一個具有靜電屏蔽層的高速光耦合器,,因而可以實現(xiàn)信號隔離,它抗干擾能力強,,響應速度快,,隔離電壓高,。并具有對被驅動功率IGBT進行降柵壓、軟關斷的雙重保護功能,。在軟關斷及降柵壓的同時還將輸出報警信號,,以實現(xiàn)對封鎖脈沖或分斷主回路的保護。它的輸出驅動電壓幅值很高,,其正向驅動電壓可達15~17V,,負向驅動電壓可達10~12V,因而可用來直接驅動容量為 150A/1200V以下的功率IGBT,。
3.1 極限參數(shù)
HL402的極限參數(shù)如下:
●供電電壓VC:30V(VCC為15~18V,,VEE為-10~-12V);
●光耦輸入峰值電流If:20mA,;
●正向輸出電流+IG:2A(脈寬<2μs,、頻率為40kHz、占空比<0.05時),;
●負向輸出電流-IG:2A(脈寬<2μs,、頻率為40kHz、占空比<0.05時),;
●輸入,、輸出隔離電壓Viso:2500V(工頻1min),。
HL402的電源電壓VC的推薦值為25V(VCC=+15V,VEE=10V);光耦合器輸入峰值電流If為10~12mA,。
3.2主要電參數(shù)
下面是HL402的主要電參數(shù):
●輸出正向驅動電壓+VG:≥VCC-1V,;
●輸出負向驅動電壓-VC:≥VEE-1V,;
●輸出正向電壓響應時間tON≤1μs(輸入信號上升沿<0.1μs,,If=0→10mA);
●輸出負電壓響應時間toff≤1μs(輸入下降沿<0.1μs,,If=10→0mA),;
●軟關斷報警信號延遲時間tALM1:<1μs(不包括光耦合器LV3的延遲),輸出電流<20mA,;
●降柵壓報警信號延遲時間tALM2:<1μs(不包括光耦合器LV2的延遲),,輸出電流<5mA;
●降柵壓動作門檻電壓VCE:8±0.5V,;
●軟關斷動作門檻電壓VCE:8.5±0.8V,;
●降柵壓幅值:8~10V。
4 典型應用電路
HL402的典型接線如圖3所示,。但圖中的C1,、C2、C3、C4應盡可能地靠近引腳2,、1,、4安裝。
為盡可能避免高頻耦合及電磁干擾,,由HL402輸出到被驅動IGBT柵-射極的引線應采用雙絞線或同軸電纜屏蔽線,其引線長度應不超過1m,。
由HL402的引腳9,、13接至IGBT集電極的引線必須單獨分開走,不得與柵極和發(fā)射極引線絞合,,以免引起交叉干擾,。
在圖3典型接線圖中,光耦合器VL1可輸入脈沖封鎖信號,,當VL1導通時,,HL402輸出脈沖將立即被封鎖至-10V。光耦合器VL2用于提供軟關斷報警信號,,它在驅動器軟關斷的同時還將導通光耦合器VL3,,以提供降柵壓報警信號。
在不需封鎖和報警信號時,,VL1,、VL2及VL3可不接。
在高頻應用時,,為了避免IGBT受到多次過電流沖擊,,可在光耦合器VL2輸出數(shù)次或一次報警信號后,將輸入引腳16,、17間的信號封鎖,。
使用中,通過調(diào)整電容器C5,、C6,、C7的值,可以將保護波形中的降柵壓延遲時間t1,、降柵壓時間t2,、軟關斷斜率時間t3調(diào)整至合適的值。
對于低飽和壓降的IGBT(VCES≤2.5V),,可不接降柵壓延遲時間電容器C6,,這樣可使降柵壓延遲時間t1最小。在這種情況下,,當降柵壓時間定時電容器C7為750pF時,,可得到的降柵壓定時時間為6μs。軟關斷斜率電容C5可取100pF左右,由此決定的軟關斷時間t3為2μs,。
對于中飽和壓降的IGBT(2.5≤VCES≤3.5V),,一般推薦C6取0~100pF,降柵壓延遲時間t1為1μs,,在C5取1500pF,,C7取1000pF時,降柵壓時間t2為8μs,,而軟關斷時間t3為3μs,。
對于高飽和壓降的IGBT(VCES≥3.5V),C5,、C6,、C7的推薦值分別為:C5取3000pF,C6取200pF,,C7取1200pF,,此時降柵壓延遲時間t1約為2μs,降柵壓時間t2約為10μs,,軟關斷時間t3約為4μs,。
在高頻使用場合,出現(xiàn)軟關斷時能夠封鎖輸入信號的應用電路如圖4所示,。圖中,,LM555在電源合閘時置“1”,輸入信號VIN通過與門4081進入HL402的引腳17,、16,。當出現(xiàn)軟關斷時,光耦合器VL1導通,,晶體管V2截止,,V2集電極電壓經(jīng)10kΩ電阻、330pF電容延遲5μs后,,使LM555置“0”,,并通過與門4081將輸入信號封鎖。此電路延遲5μs動作是為了使IGBT軟關斷后再停止輸入信號,,以避免立即停止輸入信號而可能造成的硬關斷,。圖中,C1,、C3的典型值為0.1μF,,C2、C4為100μF/25V,,VD4,、VD5可取0.5V。
5 其它應用電路
HL402的優(yōu)良性能決定了它可在一切主功率器件為IGBT的電力電子變流系統(tǒng)中用作驅動電路,以完成對IGBT的最優(yōu)驅動,,防止IGBT因驅動電路不理想而造成損壞,。本文列舉幾個例子來說明其在電力電子變流系統(tǒng)中的應用。
5.1開關電源系統(tǒng)中的應用電路
功率開關電源是通信,、郵電,、電力等領域的常用設備。過去,,開關電源的主功率器件一般都用MOS-FET,,由于半導體材料及工藝水平的制約,至今功率 MOSFET要么就是低壓大電流(如200A,、50V),,要么就是高壓小電流(如10A,、1000V),,這就為制作大功率開關電源應用功率IGBT展現(xiàn)了廣闊的前景。圖5給出了應用四只HL402來完成開關電源系統(tǒng)中四只功率IGBT驅動的開關電源系統(tǒng)電路原理圖,。圖中IGBT的驅動脈沖由SG3526來產(chǎn)生,,HL為霍爾電流傳感器,可用來進行過電流及短路等故障保護,。
5.2直流斬波電源系統(tǒng)中的應用
直流斬波系統(tǒng)是直流調(diào)速系統(tǒng)中的常用方案,,隨著功率IGBT容量的不斷擴大,HL402在直流斬波系統(tǒng)中的應用展現(xiàn)了廣闊的前景,。它可在此類系統(tǒng)中完成功率IGBT的驅動,。圖6給出了直流斬波調(diào)速系統(tǒng)中應用HL402驅動IGBT的原理圖。該系統(tǒng)是閉環(huán)穩(wěn)速系統(tǒng),,其速度的反饋信號來自測速傳感器,。可通過調(diào)節(jié)PWM調(diào)制器TL494輸出的PWM脈沖寬度來實現(xiàn)直流電動機轉速的調(diào)節(jié),,這使得本系統(tǒng)電路可獲得很寬的調(diào)速范圍和較高的調(diào)速精度,。